2024年12月2日北京时间晚间，美国工业和安全局（BIS）发布了新的《出口管理条例（EAR）》的修订说明，修订半导体相关的出口管制规则，同时将 140个中国实体列入“实体清单”。
如此前传闻所述《传美方新一轮限制曝光，半导体设备、HBM在列》，大陆半导体设备企业及HBM产品被列入BIS重点关注领域，重点打击大陆半导体薄弱环节和AI应用领域的发展。
相关规则更新文件见：
https://public-inspection.federalregister.gov/2024-28270.pdf
核心内容包括：
一、实体清单新增140家公司，并修改对部分企业供应含美技术外国产品的限制要求，以及从验证最终用户 （VEU） “白名单”计划中删除3家中国企业。
标注“脚注5” 的企业，脚注5 FDP意味着：如果“知道”具有FN5名称的实体清单上或添加到实体清单中的实体参与了某些活动，则将管辖权扩展到特定外国生产的中小企业和相关物项。
新增企业中，半导体设备企业是其中重要部分，北方华创、盛美上海、至纯科技、中科飞测、新凯来、凯世通、华峰测控、北京烁科、华海清科、芯源微、至微半导体等半导体设备厂商及其部分子公司都被列入了实体清单。
BIS将三家中国半导体公司从VEU（授权验证最终用户）“白名单”清单移除，分别为中微公司、华虹半导体和华润微，VEU公司无需从 BIS 获得出口、再出口或转让（国内）许可证，现在被移除后，购买受管制的商品、软件和/或技术均需要通过BIS审查。
半导体领域投资机构江淮资本、智路资本、建广资产等投资公司也在列，张江实验室也被列入实体清单中。
节选自BIS文件
完整清单见（中国企业P10起）:
https://public-inspection.federalregister.gov/2024-28267.pdf
二、针对高带宽内存（HBM）增加新的管制措施（增加新的3A090.c编码）；
1）新增HBM管制物项编码：针对HBM增加了3A090.c管制物项编码，存储带宽密度超过每平方毫米2GB/s即受到管制，BIS表示当前所有量产中的HBM均受限；3A090.c主要针对独立HBM，而对于HBM与逻辑合封的产品，则主要聚焦算力芯片部分，看TPP和性能密度是否受限（根据3A090.a/3A090.b）；此外，对于美国或盟友企业在中国工厂封装等情形，设置了许可例外条件，当满足HBM内存带宽密度小于3.3GB/s/mm²等一系列条件时，可申请许可证例外授权，对产品去向仍有严格管控。
2）修改先进DRAM定义：在限制半导体设备时，将先进DRAM的技术标准从“18 纳米半间距或更小”修正为当 DRAM集成电路的存储单元面积小于0.0019μm²或存储密度大于 0.288Gbit/mm²时，该集成电路即符合 “先进节点集成电路 （Advanced-Node IC） ”，从而限制3D DRAM等技术，达到这一水平的国内DRAM存储厂采购含美技术设备需要许可证。
三、扩展了部分半导体制造设备和相关物品的管制品类，适用于外国直接产品规则。
BIS在管制清单中新增8种品类（ECCN 3B001），后续此类设备的采购均需要许可要求或推定拒绝，主要包括：用于封装含硅通孔（TSV）芯片（如 HBM 芯片）的刻蚀设备；用于在先进集成电路的金属线之间沉积低介电材料的设备；用于先进存储器集成电路中低电阻率金属（钼和钌）的沉积设备；用于先进 DRAM中绝缘体沉积的设备；部分用先进节点钨沉积的物理沉积设备；能够用于先进节点集成电路生产的纳米压印光刻设备（套刻精度小于 1.5nm）；用于先进制程的高端单片清洗设备（如超临界清洗）；控制用于改善EUV光刻整体图形的沉积或刻蚀设备等。同时，7种商品从原 ECCN 3B001 移入新的 ECCN 3B993，不再需要许可要求或推定拒绝，原因是这些商品与制程节点无关，并已在非先进节点制造应用中得到广泛使用。
资料来源：中信证券、BIS
-END-
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2024年12月2日北京时间晚间，美国工业和安全局（BIS）发布了新的《出口管理条例（EAR）》的修订说明，修订半导体相关的出口管制规则，同时将 140个中国实体列入“实体清单”。
如此前传闻所述《传美方新一轮限制曝光，半导体设备、HBM在列》，大陆半导体设备企业及HBM产品被列入BIS重点关注领域，重点打击大陆半导体薄弱环节和AI应用领域的发展。
相关规则更新文件见：
https://public-inspection.federalregister.gov/2024-28270.pdf
核心内容包括：
一、实体清单新增140家公司，并修改对部分企业供应含美技术外国产品的限制要求，以及从验证最终用户 （VEU） “白名单”计划中删除3家中国企业。
标注“脚注5” 的企业，脚注5 FDP意味着：如果“知道”具有FN5名称的实体清单上或添加到实体清单中的实体参与了某些活动，则将管辖权扩展到特定外国生产的中小企业和相关物项。
新增企业中，半导体设备企业是其中重要部分，北方华创、盛美上海、至纯科技、中科飞测、新凯来、凯世通、华峰测控、北京烁科、华海清科、芯源微、至微半导体等半导体设备厂商及其部分子公司都被列入了实体清单。
BIS将三家中国半导体公司从VEU（授权验证最终用户）“白名单”清单移除，分别为中微公司、华虹半导体和华润微，VEU公司无需从 BIS 获得出口、再出口或转让（国内）许可证，现在被移除后，购买受管制的商品、软件和/或技术均需要通过BIS审查。
半导体领域投资机构江淮资本、智路资本、建广资产等投资公司也在列，张江实验室也被列入实体清单中。
节选自BIS文件
完整清单见（中国企业P10起）:
https://public-inspection.federalregister.gov/2024-28267.pdf
二、针对高带宽内存（HBM）增加新的管制措施（增加新的3A090.c编码）；
1）新增HBM管制物项编码：针对HBM增加了3A090.c管制物项编码，存储带宽密度超过每平方毫米2GB/s即受到管制，BIS表示当前所有量产中的HBM均受限；3A090.c主要针对独立HBM，而对于HBM与逻辑合封的产品，则主要聚焦算力芯片部分，看TPP和性能密度是否受限（根据3A090.a/3A090.b）；此外，对于美国或盟友企业在中国工厂封装等情形，设置了许可例外条件，当满足HBM内存带宽密度小于3.3GB/s/mm²等一系列条件时，可申请许可证例外授权，对产品去向仍有严格管控。
2）修改先进DRAM定义：在限制半导体设备时，将先进DRAM的技术标准从“18 纳米半间距或更小”修正为当 DRAM集成电路的存储单元面积小于0.0019μm²或存储密度大于 0.288Gbit/mm²时，该集成电路即符合 “先进节点集成电路 （Advanced-Node IC） ”，从而限制3D DRAM等技术，达到这一水平的国内DRAM存储厂采购含美技术设备需要许可证。
三、扩展了部分半导体制造设备和相关物品的管制品类，适用于外国直接产品规则。
BIS在管制清单中新增8种品类（ECCN 3B001），后续此类设备的采购均需要许可要求或推定拒绝，主要包括：用于封装含硅通孔（TSV）芯片（如 HBM 芯片）的刻蚀设备；用于在先进集成电路的金属线之间沉积低介电材料的设备；用于先进存储器集成电路中低电阻率金属（钼和钌）的沉积设备；用于先进 DRAM中绝缘体沉积的设备；部分用先进节点钨沉积的物理沉积设备；能够用于先进节点集成电路生产的纳米压印光刻设备（套刻精度小于 1.5nm）；用于先进制程的高端单片清洗设备（如超临界清洗）；控制用于改善EUV光刻整体图形的沉积或刻蚀设备等。同时，7种商品从原 ECCN 3B001 移入新的 ECCN 3B993，不再需要许可要求或推定拒绝，原因是这些商品与制程节点无关，并已在非先进节点制造应用中得到广泛使用。
资料来源：中信证券、BIS
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