据新浪财经9月16日报道，英特尔CEO陈立武预计，随着AI需求不断增长，明年内存供应短缺的情况将更加严重；他表示，部分内存价格已上涨五倍、六倍甚至七倍，不少企业因无法获得足够的内存而放缓扩大业务的步伐。
陈立武提到，人工智能领域对HBM（高带宽存储器，将多层DRAM裸片垂直堆叠以提升带宽）的需求激增，给通用DRAM的供应带来了越来越大的压力。
东吴证券指出，AI服务器本身即配备多层存储，GPU侧使用HBM、CPU侧配置DDR内存、同时搭载系统盘SSD与数据缓存盘SSD。H200至B300升级中，HBM容量提升明显，构成DRAM侧核心增量。
其表示，二季度DRAM合约价集中补涨，服务器RDIMM、PC DIMM及移动LPDDR5均价环比分别上涨约57%、52%和67%，DDR5 16Gb合约价环比上涨约53%；7月DDR5现货价格环比继续上涨约8%，为三季度合约价上行提供支撑。其提到，AI服务器与HBM持续挤占先进DRAM产能，叠加客户提前锁定供应，三星已与五大云厂商签订五年期滚动长协、现有产能难以满足全部供货请求，供需缺口中期内难以缓解。其预计，三季度传统DRAM合约价环比将上涨13%至18%。
此外，根据爱德万统计，爱德万预计2026年SoC/存储测试机市场分别达91/24.5亿美元。AI芯片复杂度提升带来测试时间延长、测试次数增加，同时推动高端测试机价值量提升；其中HBM采用3D堆叠后，测试道数由传统DRAM约3-4道提升至15道以上，测试机用量约为传统DRAM的5-6倍。东吴证券测算，国内存储测试机市场空间有望由2026年的48亿元增至2027年的155亿元，同比增长约223%。
据新浪财经9月16日报道，英特尔CEO陈立武预计，随着AI需求不断增长，明年内存供应短缺的情况将更加严重；他表示，部分内存价格已上涨五倍、六倍甚至七倍，不少企业因无法获得足够的内存而放缓扩大业务的步伐。
陈立武提到，人工智能领域对HBM（高带宽存储器，将多层DRAM裸片垂直堆叠以提升带宽）的需求激增，给通用DRAM的供应带来了越来越大的压力。
东吴证券指出，AI服务器本身即配备多层存储，GPU侧使用HBM、CPU侧配置DDR内存、同时搭载系统盘SSD与数据缓存盘SSD。H200至B300升级中，HBM容量提升明显，构成DRAM侧核心增量。
其表示，二季度DRAM合约价集中补涨，服务器RDIMM、PC DIMM及移动LPDDR5均价环比分别上涨约57%、52%和67%，DDR5 16Gb合约价环比上涨约53%；7月DDR5现货价格环比继续上涨约8%，为三季度合约价上行提供支撑。其提到，AI服务器与HBM持续挤占先进DRAM产能，叠加客户提前锁定供应，三星已与五大云厂商签订五年期滚动长协、现有产能难以满足全部供货请求，供需缺口中期内难以缓解。其预计，三季度传统DRAM合约价环比将上涨13%至18%。
此外，根据爱德万统计，爱德万预计2026年SoC/存储测试机市场分别达91/24.5亿美元。AI芯片复杂度提升带来测试时间延长、测试次数增加，同时推动高端测试机价值量提升；其中HBM采用3D堆叠后，测试道数由传统DRAM约3-4道提升至15道以上，测试机用量约为传统DRAM的5-6倍。东吴证券测算，国内存储测试机市场空间有望由2026年的48亿元增至2027年的155亿元，同比增长约223%。
