智车科技
6天前
维科网半导体报道，8月27日，研微半导体正式宣布完成近15亿元B轮融资。
至此，这家成立不到四年的半导体设备厂商已累计完成六轮融资，总融资金额超过22亿元。
在国产半导体设备赛道，研微半导体并非成立最早、融资最多的玩家，但却是少数在短短四年内就实现ALD、PECVD、外延三大类高端沉积设备全面落地，并进入国内头部芯片企业量产线的企业。
累计融资超22亿，中车资本、京东方入投
公开信息显示，研微半导体成立于2022年10月，落户无锡经开区。
据了解，研微半导体董事长林兴是美国加州大学材料学博士，拥有超过20年半导体设备行业经验。
他曾任职于全球最大半导体装备企业美国应用材料公司，主导过ETCH、PECVD、ALD等多款先进制程量产设备的研发，累计获得60余项美国专利，培养了上百名资深工程师。
股权结构方面，创始人团队通过无锡毕月先芯、无锡璇玑先芯、无锡紫微先芯三家持股平台合计持有超过34%的股份，为公司实际控制方。
发展节奏上，研微半导体2023年建成首条产线并完成首批设备组装，2024年多款设备进入客户验证阶段，2025年开启批量交付，2026年进入多品类复购阶段，成长路径清晰且落地效率突出。
而从融资节点看，研微半导体保持了高密度的资本补给。
2022年成立同期完成天使轮；2025年密集完成Pre-A+、A、A+三轮融资；2026年2月完成A轮收官，累计金额近7亿元。
仅时隔半年，B轮融资再落15亿元，创下公司单轮融资规模新高。
本轮投资方涵盖中电科产业基金、中车资本、京东方等具备产业链协同能力的产业战略股东，以及中金资本、沃衍资本、华泰紫金等十余家头部财务投资机构，同时锡高投、湖杉资本等老股东全部持续追加投资。
官方透露，本轮募集资金将重点用于核心产品迭代、产能建设及研发扩容，进一步巩固在高端薄膜沉积设备领域的技术优势。
覆盖SiC、存储等多赛道，打开量产空间
从业务维度分析，研微半导体精准切入半导体制造核心的薄膜沉积工序，形成了以热场ALD、PEALD、PECVD、硅外延、SiC外延为核心的全场景产品矩阵，覆盖逻辑芯片、存储芯片、功率器件、先进封装等多个高价值赛道。
2026年以来，其四大品类设备均实现批量交付或重复订单：
3月Spritz系列热场ALD设备交付国内头部存储企业，4月同系列金属ALD产品再获该客户复购，7月首台Auroalis系列PECVD设备进入国内头部逻辑芯片产线，8月SiC外延设备再度交付国内上市公司客户。
从产业趋势看，薄膜沉积设备是全球半导体设备市场中仅次于光刻机的第二大细分赛道，但也是国产化率提升最慢的领域之一。
尤其在高端ALD和PECVD领域，应用材料、泛林半导体、东京电子等国际巨头仍占据绝对主导。
国内近年来涌现了中微公司、拓荆科技、北方华创等一批上市企业，但市场集中度依然很高，留给初创公司的窗口期并不宽裕。
研微半导体的技术差异化在于，全系列产品均采用自主研发的腔体架构与核心系统：Spritz系列的喷淋头进气与多区温控设计提升了薄膜均匀性并降低颗粒，Auratus系列的双反应腔平台兼顾产能与膜质，SiC外延设备在产能上比同类产品提升1.2-1.4倍。
研微半导体董事长林兴曾公开表示，公司的目标不只是实现单台设备的国产替代，而是要系统性解决高端芯片制造中的沉积与刻蚀技术难题，推动整条工艺链的自主可控。
小结
研微半导体用不到四年时间，完成了团队搭建、产品定义、客户验证和产能建设的“从0到1”。22亿元融资和产业资本的背书，让它在接下来的“从1到N”阶段有了更充足的弹药。
但客观地说，高端半导体设备的技术迭代永无止境，海外厂商在先进制程领域仍有深厚的技术积累，下游晶圆行业的周期性波动也可能给设备采购需求带来变数。
对于研微半导体而言，拿到资金只是起点，如何将资本优势转化为持续的技术迭代能力与市场份额，在更先进制程、更多细分应用中实现突破，真正成长为具备全球竞争力的薄膜沉积设备厂商，仍需时间验证。
维科网半导体报道，8月27日，研微半导体正式宣布完成近15亿元B轮融资。
至此，这家成立不到四年的半导体设备厂商已累计完成六轮融资，总融资金额超过22亿元。
在国产半导体设备赛道，研微半导体并非成立最早、融资最多的玩家，但却是少数在短短四年内就实现ALD、PECVD、外延三大类高端沉积设备全面落地，并进入国内头部芯片企业量产线的企业。
累计融资超22亿，中车资本、京东方入投
公开信息显示，研微半导体成立于2022年10月，落户无锡经开区。
据了解，研微半导体董事长林兴是美国加州大学材料学博士，拥有超过20年半导体设备行业经验。
他曾任职于全球最大半导体装备企业美国应用材料公司，主导过ETCH、PECVD、ALD等多款先进制程量产设备的研发，累计获得60余项美国专利，培养了上百名资深工程师。
股权结构方面，创始人团队通过无锡毕月先芯、无锡璇玑先芯、无锡紫微先芯三家持股平台合计持有超过34%的股份，为公司实际控制方。
发展节奏上，研微半导体2023年建成首条产线并完成首批设备组装，2024年多款设备进入客户验证阶段，2025年开启批量交付，2026年进入多品类复购阶段，成长路径清晰且落地效率突出。
而从融资节点看，研微半导体保持了高密度的资本补给。
2022年成立同期完成天使轮；2025年密集完成Pre-A+、A、A+三轮融资；2026年2月完成A轮收官，累计金额近7亿元。
仅时隔半年，B轮融资再落15亿元，创下公司单轮融资规模新高。
本轮投资方涵盖中电科产业基金、中车资本、京东方等具备产业链协同能力的产业战略股东，以及中金资本、沃衍资本、华泰紫金等十余家头部财务投资机构，同时锡高投、湖杉资本等老股东全部持续追加投资。
官方透露，本轮募集资金将重点用于核心产品迭代、产能建设及研发扩容，进一步巩固在高端薄膜沉积设备领域的技术优势。
覆盖SiC、存储等多赛道，打开量产空间
从业务维度分析，研微半导体精准切入半导体制造核心的薄膜沉积工序，形成了以热场ALD、PEALD、PECVD、硅外延、SiC外延为核心的全场景产品矩阵，覆盖逻辑芯片、存储芯片、功率器件、先进封装等多个高价值赛道。
2026年以来，其四大品类设备均实现批量交付或重复订单：
3月Spritz系列热场ALD设备交付国内头部存储企业，4月同系列金属ALD产品再获该客户复购，7月首台Auroalis系列PECVD设备进入国内头部逻辑芯片产线，8月SiC外延设备再度交付国内上市公司客户。
从产业趋势看，薄膜沉积设备是全球半导体设备市场中仅次于光刻机的第二大细分赛道，但也是国产化率提升最慢的领域之一。
尤其在高端ALD和PECVD领域，应用材料、泛林半导体、东京电子等国际巨头仍占据绝对主导。
国内近年来涌现了中微公司、拓荆科技、北方华创等一批上市企业，但市场集中度依然很高，留给初创公司的窗口期并不宽裕。
研微半导体的技术差异化在于，全系列产品均采用自主研发的腔体架构与核心系统：Spritz系列的喷淋头进气与多区温控设计提升了薄膜均匀性并降低颗粒，Auratus系列的双反应腔平台兼顾产能与膜质，SiC外延设备在产能上比同类产品提升1.2-1.4倍。
研微半导体董事长林兴曾公开表示，公司的目标不只是实现单台设备的国产替代，而是要系统性解决高端芯片制造中的沉积与刻蚀技术难题，推动整条工艺链的自主可控。
小结
研微半导体用不到四年时间，完成了团队搭建、产品定义、客户验证和产能建设的“从0到1”。22亿元融资和产业资本的背书，让它在接下来的“从1到N”阶段有了更充足的弹药。
但客观地说，高端半导体设备的技术迭代永无止境，海外厂商在先进制程领域仍有深厚的技术积累，下游晶圆行业的周期性波动也可能给设备采购需求带来变数。
对于研微半导体而言，拿到资金只是起点，如何将资本优势转化为持续的技术迭代能力与市场份额，在更先进制程、更多细分应用中实现突破，真正成长为具备全球竞争力的薄膜沉积设备厂商，仍需时间验证。
