6月30日，江苏神州半导体科技股份有限公司（简称：神州股份）科创板 IPO获上交所受理，公司深耕半导体等离子体电源赛道多年，依托自研核心设备与全品类维修服务双业务布局，成为国内少数实现射频电源、远程等离子体源（RPS）规模化量产的本土厂商，本次登陆科创板拟募资 25.22 亿元，加码先进工艺电源研发与产能建设，加速打破海外厂商长期垄断格局。
半导体等离子电源是刻蚀、薄膜沉积设备的核心动力部件，直接决定晶圆制造工艺精度，全球市场长期由 MKS、AE、DAIHEN 等海外企业寡头把控，国内射频电源、RPS 国产化率分别不足 12%、7%，国产替代空间广阔。成立于 2016 年的神州股份，历经多年技术攻关，现已搭建起覆盖射频电源、远程等离子体源、高压脉冲电源三大主力产品矩阵，配套适配 14nm 及以下逻辑芯片、数百层 3D NAND 存储等高阶制程，产品批量导入中微公司、拓荆科技、北方华创等国产头部设备厂商，进入国内多家先进晶圆制造产线。
同时，针对等离子体射频电源系统，公司自研了配件产品射频传感器。该产品通过采集射频电压、电流等，可实时监控腔室阻抗与功率变化，实现多通道功率分配场景下的功率监控与自适应调节，有效提升射频电源系统的状态感知精度与动态调控能力，适配工艺设备一腔多站、多通道功率分配等先进制程应用场景。
除自研设备业务外，技术服务是公司差异化核心竞争力。公司可承接全球各品牌等离子电源检修、性能升级业务，也是国内等离子电源配套服务领域市占率第一的本土企业。在海外原厂逐步收缩国内技术服务的背景下，公司搭建覆盖全国的服务网点，为长江存储、长鑫存储以及三星、英特尔、美光等海内外晶圆厂提供 24 小时应急运维服务。存量产线运维需求刚性强，不受半导体设备扩产周期大幅波动影响，为公司提供稳定现金流，同时大量一线运维数据反向赋能自研产品迭代，形成 “产品 + 服务” 协同发展独特优势。
股权层面，公司产业资本阵容亮眼，实控人朱培文合计掌控 64.74% 表决权，股权结构稳定。发行前股东囊括大基金二期、英特尔亚太、华虹产业基金、中微、拓荆等半导体产业链头部机构与企业，产业资本加持充分印证行业对公司技术实力与成长空间的认可。截至申报前，公司拥有 107 项专利，其中发明专利 62 项、53 项软件著作权，为国家级专精特新重点 “小巨人” 企业，承担多项国家集成电路重大专项研发任务。
财务数据展现出强劲增长势能，2023 至 2025 年公司营业收入分别为 2.61 亿元、4.46 亿元、6.54 亿元，三年复合增速达 58.31%。2023 年公司尚处亏损，2024 年、2025 年连续实现大额盈利，净利润分别为 1.36 亿元、2.09 亿元，满足科创板第一套上市标准。自研设备业务增长尤为迅猛，收入从 2023 年 2118 万元跃升至 2025 年 3.54 亿元，营收占比突破 55%；公司综合毛利率常年维持 66% 以上，自研产品毛利率超 70%，盈利能力行业领先。同时公司财务结构持续优化，资产负债率逐年下行，2025 年末仅 10.93%，经营现金流连续多年为正，资金周转健康。
本次 IPO 公司拟公开发行不超过 2200 万股，募资 25.22 亿元投向五大核心项目。其中 8.51 亿元用于先进工艺电源研发产业化项目，扩充射频、RPS、高压脉冲电源产能；5.56 亿元建设研发创新中心，主攻 3nm 逻辑、400 层以上高堆叠存储配套高端电源；另有 5.35 亿元布局上海产业化基地、2.71 亿元升级全国技术服务网络，剩余 3.10 亿元补充流动资金，全部资金聚焦主业发展，持续完善上下游配套能力。
行业层面，多重利好驱动等离子电源国产化进程提速。一方面，海外半导体设备出口管制持续收紧，国内晶圆厂、设备企业加速核心零部件本土导入；另一方面，AI 算力需求带动 HBM、先进存储、高端逻辑芯片扩产，高精密等离子电源需求持续扩容。同时先进制程迭代，原子层刻蚀、超高堆叠存储工艺对大功率、高精度脉冲电源产生全新增量需求，打开公司长期成长天花板。
招股书同时提示，公司存在客户集中度偏高、上游元器件依赖进口、半导体行业周期波动等经营风险。报告期内公司前五大客户营收占比逐年攀升至 72.89%，若下游设备厂商资本开支收缩，将直接影响公司订单规模；海外巨头持续加大市场竞争力度，也存在毛利率承压可能性。
展望未来，神州股份表示，公司秉承“创造等离子能量，驱动人类科技未来”之使命，将在等离子体电源系统领域持续深耕、开拓创新，全力推动我国半导体装备国产化进程，助力我国半导体行业突破发展瓶颈、勇攀技术高峰，为实现“中国芯”自主可控的战略目标贡献核心力量。
