今日半导体板块兑现，芯片ETF（512760）、半导体设备ETF（159516）、集成电路ETF（159546）、科创芯片设计ETF（589260）、科创芯片ETF（589100）跌超5%。

下跌因素分析

本轮调整的核心逻辑在于前期板块演绎极致行情后，估值水位已部分透支了短期基本面。高位多头资金顺势采取防守性减仓，引发了短期的筹码结构性踩踏。

后市展望

作为国产算力基座，半导体产业链迎来系统性重塑。作为全球第二大计算市场，国内庞大的数字化转型与AI大模型本土化落地，为算力基础设施筑牢了坚实的生态底座。当前国产GPU在制程破局与生态适配的驱动下，已由“验证阶段”迈入“加速放量期”。由于算力芯片对带宽和集成度的严苛要求，其出货量的指数级增长正沿着“先进制程-先进封装（CoWoS等）”的物理链路传导，驱动相关配套环节打开长期内生性成长空间，半导体产业链动能强劲。

存储价格周期斜率陡峭，核心设备确定性溢价凸显。当前存储行业供需缺口仍在拉大，高带宽内存（HBM）与企业级SSD需求高企，驱动行业步入强景气周期，三季度（Q3）部分核心存储品类合约价预计实现约20%的环比增幅。在存储芯片向高层数3D NAND及先进制程DRAM演进的过程中，工艺步骤中高长径比结构的加工难度激增，使得刻蚀、薄膜沉积设备的价值量占比与消耗量弹性增大，相关设备厂商有望迎来订单与份额的双重爆发。

针对国产算力，有兴趣的朋友可持续关注科创芯片ETF（589100）和科创芯片设计ETF（589260）。而对于存储扩产带来的投资机会，有兴趣的朋友可关注半导体设备ETF（159516）。补充提醒一下，鉴于当前短期高波动率特征明显，技术面破位后仍需时间消化浮筹。建议待盘面构筑出清晰的止跌企稳信号后，再行谋划中长期的趋势性布局。

风险提示

指数等短期涨跌仅供参考，不代表其未来表现，亦不构成对基金业绩的承诺或保证。观点可能随市场环境变化而调整，不构成投资建议或承诺。提及基金风险收益特征各不相同，敬请投资者仔细阅读基金法律文件，充分了解产品要素、风险等级及收益分配原则，选择与自身风险承受能力匹配的产品，谨慎投资。涉及基金费率请查阅法律文件。

责任编辑：郭栩彤

今日半导体板块兑现，芯片ETF（512760）、半导体设备ETF（159516）、集成电路ETF（159546）、科创芯片设计ETF（589260）、科创芯片ETF（589100）跌超5%。

下跌因素分析

本轮调整的核心逻辑在于前期板块演绎极致行情后，估值水位已部分透支了短期基本面。高位多头资金顺势采取防守性减仓，引发了短期的筹码结构性踩踏。

后市展望

作为国产算力基座，半导体产业链迎来系统性重塑。作为全球第二大计算市场，国内庞大的数字化转型与AI大模型本土化落地，为算力基础设施筑牢了坚实的生态底座。当前国产GPU在制程破局与生态适配的驱动下，已由“验证阶段”迈入“加速放量期”。由于算力芯片对带宽和集成度的严苛要求，其出货量的指数级增长正沿着“先进制程-先进封装（CoWoS等）”的物理链路传导，驱动相关配套环节打开长期内生性成长空间，半导体产业链动能强劲。

存储价格周期斜率陡峭，核心设备确定性溢价凸显。当前存储行业供需缺口仍在拉大，高带宽内存（HBM）与企业级SSD需求高企，驱动行业步入强景气周期，三季度（Q3）部分核心存储品类合约价预计实现约20%的环比增幅。在存储芯片向高层数3D NAND及先进制程DRAM演进的过程中，工艺步骤中高长径比结构的加工难度激增，使得刻蚀、薄膜沉积设备的价值量占比与消耗量弹性增大，相关设备厂商有望迎来订单与份额的双重爆发。

针对国产算力，有兴趣的朋友可持续关注科创芯片ETF（589100）和科创芯片设计ETF（589260）。而对于存储扩产带来的投资机会，有兴趣的朋友可关注半导体设备ETF（159516）。补充提醒一下，鉴于当前短期高波动率特征明显，技术面破位后仍需时间消化浮筹。建议待盘面构筑出清晰的止跌企稳信号后，再行谋划中长期的趋势性布局。

风险提示

指数等短期涨跌仅供参考，不代表其未来表现，亦不构成对基金业绩的承诺或保证。观点可能随市场环境变化而调整，不构成投资建议或承诺。提及基金风险收益特征各不相同，敬请投资者仔细阅读基金法律文件，充分了解产品要素、风险等级及收益分配原则，选择与自身风险承受能力匹配的产品，谨慎投资。涉及基金费率请查阅法律文件。

责任编辑：郭栩彤