碳化硅作为第三代半导体材料的核心代表，因其在高温、高频、高压下的优异性能，广泛应用于新能源汽车、光伏、储能、5G通信、智能电网等领域。其产业链主要分为：
衬底 (Substrate)： 技术壁垒最高、价值量最大的环节。分为导电型（用于功率器件）和半绝缘型（用于射频器件）。
外延 (Epiwafer)： 在衬底上生长一层高质量的单晶薄膜，是制造器件的关键基础。
器件设计 制造 (Device Fabrication)： 设计并制造二极管（SBD）、晶体管（MOSFET）等芯片。
模组 (Module)： 将芯片封装成模块，便于下游应用。
设备 材料 (Equipment Materials)： 提供长晶炉、外延炉等关键设备以及高纯碳粉、硅粉等原材料。
以下是按产业链环节划分的国内主要上市公司：
一、衬底 (核心环节)
这是目前资本市场最关注的环节，技术难度大，国产化正在快速突破。
公司名称 股票代码 核心业务与地位 备注
天岳先进 688234.SH 国内半绝缘型SiC衬底绝对龙头，已实现批量供货。导电型衬底也已通过车规级认证，并获得国际大厂长期订单。 技术领先，深度绑定华为哈勃投资，是国内衬底领域的标杆企业。
天科合达 (未上市) 国内领先的导电型SiC衬底供应商，曾冲刺科创板。 虽是非上市公司，但作为行业重要参与者，需保持关注。
露笑科技 002617.SZ 较早布局SiC衬底，与合肥市长丰县共同投资建设衬底产线。已实现小批量出货，正处于产能爬坡和客户验证阶段。 市场关注度高，但技术成熟度和良率提升是市场关注焦点。
东尼电子 603595.SH 主营超微细线材，深度布局SiC衬底。已获得下游芯片厂商的采购订单，并签订重大碳化硅衬底合同。 跨界玩家，进展较快，但同样需要持续验证其量产能力和质量稳定性。
三安光电 600703.SH 子公司湖南三安从事SiC全产业链布局，涵盖衬底、外延、器件制造。其衬底主要用于内部垂直整合。 全产业链IDM模式，资金实力雄厚，是行业的重要力量。
二、外延片
外延环节技术壁垒也较高，但国内已有多家企业具备成熟能力。
公司名称 股票代码 核心业务与地位 备注
天域半导体 (未上市) 国内最早实现SiC外延片产业化的企业之一，是行业的重要参与者。 非上市公司，但技术实力强。
瀚天天成 (未上市) 国内领先的SiC外延片供应商，已实现批量生产供应。 非上市公司，与外延设备厂商德国Aixtron合作紧密。
东莞天域 (未上市) 同样是中国重要的SiC外延片生产商。 非上市公司。
三安光电 600703.SH 作为IDM厂商，其外延片部分自供，也可能对外销售。 具备完整的外延生长能力。
三、器件设计与制造 (IDM 设计)
包括IDM模式（整合器件制造）和Fabless模式（无晶圆厂设计）。
公司名称 股票代码 核心业务与地位 模式 备注
斯达半导 603290.SH 国内IGBT模块龙头，大力布局SiC芯片和模块。其车规级SiC模块已在国内主流车企批量应用。 IDM 设计 从模块向下延伸至芯片，进展迅速，客户资源优质。
时代电气 688187.SH 中国中车旗下，高压IGBT和SiC器件龙头。其SiC产品广泛应用于轨道交通、新能源汽车、电网领域。 IDM 技术底蕴深厚，尤其在高压领域优势明显。
士兰微 600460.SH 国内主要的综合性IDM半导体企业，已建成SiC功率器件中试线，并实现SiC MOSFET批量量产。 IDM 产业链完整，从器件到模块均有布局。
华润微 688396.SH 国内领先的功率IDM企业，已发布多款SiC二极管和MOSFET产品，并具备自有SiC衬底生产能力。 IDM 全产业链布局，技术平台完备。
基本半导体 (未上市) 国内领先的SiC功率器件设计公司，专注于SiC二极管和MOSFET，车规级产品已上线。 Fabless 非上市公司，但技术实力强，获多轮融资。
扬杰科技 300373.SZ 传统功率器件龙头，通过定增布局SiC芯片研发及产业化项目，其SiC二极管已实现批量出货。 IDM 设计 积极推进SiC产业升级。
新洁能 605111.SH 国内MOSFET设计龙头，已推出SiC二极管产品，并持续推进SiC MOSFET的研发。 Fabless 从传统硅基向第三代半导体拓展。
宏微科技 711396.SH 主营IGBT、FRED模块，已布局SiC器件研发，并推出相关产品。 Fabless 模块 跟随行业趋势进行技术储备。
四、设备与材料
为SiC产业提供关键支撑。
公司名称 股票代码 核心业务与地位 备注
晶盛机电 300316.SZ 国内SiC长晶炉绝对龙头，已实现SiC长晶炉和加工设备的批量销售，客户覆盖国内主要衬底厂商。 设备国产化的核心受益者，同时自身也在尝试衬底研发。
北方华创 002371.SZ 国内半导体设备平台型企业，其SiC领域的刻蚀机、PVD、退火炉等设备已实现突破和应用。 产品线丰富，覆盖多个工艺环节。
中微公司 688012.SH 在SiC刻蚀设备方面有所布局。 技术领先的刻蚀设备厂商。
天通股份 600330.SH 已推出SiC长晶炉设备，并进行SiC衬底材料的研发。 横跨设备和材料领域。
楚江新材 002171.SZ 子公司顶立科技可生产SiC冶炼所需的高纯碳粉、高纯碳化硅专用装备。 材料供应商。
铂科新材 300811.SZ 为电力电子元器件提供金属软磁粉芯，SiC的应用对其产品需求有提升作用。 间接供应商/应用受益
五、其他与SiC相关的概念股
公司名称 股票代码 关联业务 备注
甘化科工 000576.SZ 通过参股公司锴威特（已科创板过会）涉及SiC功率半导体设计。 间接投资
捷捷微电 300623.SZ 传统功率半导体厂商，有SiC器件研发和技术储备。 技术跟进者
温氏股份 300498.SZ 旗下温氏投资参投了天域半导体等SiC企业。 间接投资
投资注意事项：
技术迭代风险： SiC技术仍在快速发展中，良率、成本是竞争关键。
行业竞争加剧： 国内外厂商均在大力扩产，未来可能面临价格竞争。
客户验证周期长： 尤其是车规级产品，认证周期长，一旦进入则壁垒也高。
估值较高： 多数SiC概念股处于发展早期，市场给予较高估值，需注意波动风险。
总结：投资SiC赛道，衬底环节的天岳先进、设备环节的晶盛机电、以及已在器件应用端取得领先的斯达半导和时代电气是市场关注的核心。建议密切关注各家公司的技术进展、产能落地情况以及客户认证和订单获取情况。
请注意：以上信息基于公开资料整理，不构成任何投资建议。股市有风险，投资需谨慎。
声明：欢迎转载，感谢支持。
股市有风险，投资需谨慎，笔者分析也仅仅是一个参考，不作为你买卖的依据，文中个股不作为买卖依据，仅仅是研究所用，据此操作，风险自负。
碳化硅作为第三代半导体材料的核心代表，因其在高温、高频、高压下的优异性能，广泛应用于新能源汽车、光伏、储能、5G通信、智能电网等领域。其产业链主要分为：
衬底 (Substrate)： 技术壁垒最高、价值量最大的环节。分为导电型（用于功率器件）和半绝缘型（用于射频器件）。
外延 (Epiwafer)： 在衬底上生长一层高质量的单晶薄膜，是制造器件的关键基础。
器件设计 制造 (Device Fabrication)： 设计并制造二极管（SBD）、晶体管（MOSFET）等芯片。
模组 (Module)： 将芯片封装成模块，便于下游应用。
设备 材料 (Equipment Materials)： 提供长晶炉、外延炉等关键设备以及高纯碳粉、硅粉等原材料。
以下是按产业链环节划分的国内主要上市公司：
一、衬底 (核心环节)
这是目前资本市场最关注的环节，技术难度大，国产化正在快速突破。
公司名称 股票代码 核心业务与地位 备注
天岳先进 688234.SH 国内半绝缘型SiC衬底绝对龙头，已实现批量供货。导电型衬底也已通过车规级认证，并获得国际大厂长期订单。 技术领先，深度绑定华为哈勃投资，是国内衬底领域的标杆企业。
天科合达 (未上市) 国内领先的导电型SiC衬底供应商，曾冲刺科创板。 虽是非上市公司，但作为行业重要参与者，需保持关注。
露笑科技 002617.SZ 较早布局SiC衬底，与合肥市长丰县共同投资建设衬底产线。已实现小批量出货，正处于产能爬坡和客户验证阶段。 市场关注度高，但技术成熟度和良率提升是市场关注焦点。
东尼电子 603595.SH 主营超微细线材，深度布局SiC衬底。已获得下游芯片厂商的采购订单，并签订重大碳化硅衬底合同。 跨界玩家，进展较快，但同样需要持续验证其量产能力和质量稳定性。
三安光电 600703.SH 子公司湖南三安从事SiC全产业链布局，涵盖衬底、外延、器件制造。其衬底主要用于内部垂直整合。 全产业链IDM模式，资金实力雄厚，是行业的重要力量。
二、外延片
外延环节技术壁垒也较高，但国内已有多家企业具备成熟能力。
公司名称 股票代码 核心业务与地位 备注
天域半导体 (未上市) 国内最早实现SiC外延片产业化的企业之一，是行业的重要参与者。 非上市公司，但技术实力强。
瀚天天成 (未上市) 国内领先的SiC外延片供应商，已实现批量生产供应。 非上市公司，与外延设备厂商德国Aixtron合作紧密。
东莞天域 (未上市) 同样是中国重要的SiC外延片生产商。 非上市公司。
三安光电 600703.SH 作为IDM厂商，其外延片部分自供，也可能对外销售。 具备完整的外延生长能力。
三、器件设计与制造 (IDM 设计)
包括IDM模式（整合器件制造）和Fabless模式（无晶圆厂设计）。
公司名称 股票代码 核心业务与地位 模式 备注
斯达半导 603290.SH 国内IGBT模块龙头，大力布局SiC芯片和模块。其车规级SiC模块已在国内主流车企批量应用。 IDM 设计 从模块向下延伸至芯片，进展迅速，客户资源优质。
时代电气 688187.SH 中国中车旗下，高压IGBT和SiC器件龙头。其SiC产品广泛应用于轨道交通、新能源汽车、电网领域。 IDM 技术底蕴深厚，尤其在高压领域优势明显。
士兰微 600460.SH 国内主要的综合性IDM半导体企业，已建成SiC功率器件中试线，并实现SiC MOSFET批量量产。 IDM 产业链完整，从器件到模块均有布局。
华润微 688396.SH 国内领先的功率IDM企业，已发布多款SiC二极管和MOSFET产品，并具备自有SiC衬底生产能力。 IDM 全产业链布局，技术平台完备。
基本半导体 (未上市) 国内领先的SiC功率器件设计公司，专注于SiC二极管和MOSFET，车规级产品已上线。 Fabless 非上市公司，但技术实力强，获多轮融资。
扬杰科技 300373.SZ 传统功率器件龙头，通过定增布局SiC芯片研发及产业化项目，其SiC二极管已实现批量出货。 IDM 设计 积极推进SiC产业升级。
新洁能 605111.SH 国内MOSFET设计龙头，已推出SiC二极管产品，并持续推进SiC MOSFET的研发。 Fabless 从传统硅基向第三代半导体拓展。
宏微科技 711396.SH 主营IGBT、FRED模块，已布局SiC器件研发，并推出相关产品。 Fabless 模块 跟随行业趋势进行技术储备。
四、设备与材料
为SiC产业提供关键支撑。
公司名称 股票代码 核心业务与地位 备注
晶盛机电 300316.SZ 国内SiC长晶炉绝对龙头，已实现SiC长晶炉和加工设备的批量销售，客户覆盖国内主要衬底厂商。 设备国产化的核心受益者，同时自身也在尝试衬底研发。
北方华创 002371.SZ 国内半导体设备平台型企业，其SiC领域的刻蚀机、PVD、退火炉等设备已实现突破和应用。 产品线丰富，覆盖多个工艺环节。
中微公司 688012.SH 在SiC刻蚀设备方面有所布局。 技术领先的刻蚀设备厂商。
天通股份 600330.SH 已推出SiC长晶炉设备，并进行SiC衬底材料的研发。 横跨设备和材料领域。
楚江新材 002171.SZ 子公司顶立科技可生产SiC冶炼所需的高纯碳粉、高纯碳化硅专用装备。 材料供应商。
铂科新材 300811.SZ 为电力电子元器件提供金属软磁粉芯，SiC的应用对其产品需求有提升作用。 间接供应商/应用受益
五、其他与SiC相关的概念股
公司名称 股票代码 关联业务 备注
甘化科工 000576.SZ 通过参股公司锴威特（已科创板过会）涉及SiC功率半导体设计。 间接投资
捷捷微电 300623.SZ 传统功率半导体厂商，有SiC器件研发和技术储备。 技术跟进者
温氏股份 300498.SZ 旗下温氏投资参投了天域半导体等SiC企业。 间接投资
投资注意事项：
技术迭代风险： SiC技术仍在快速发展中，良率、成本是竞争关键。
行业竞争加剧： 国内外厂商均在大力扩产，未来可能面临价格竞争。
客户验证周期长： 尤其是车规级产品，认证周期长，一旦进入则壁垒也高。
估值较高： 多数SiC概念股处于发展早期，市场给予较高估值，需注意波动风险。
总结：投资SiC赛道，衬底环节的天岳先进、设备环节的晶盛机电、以及已在器件应用端取得领先的斯达半导和时代电气是市场关注的核心。建议密切关注各家公司的技术进展、产能落地情况以及客户认证和订单获取情况。
请注意：以上信息基于公开资料整理，不构成任何投资建议。股市有风险，投资需谨慎。
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股市有风险，投资需谨慎，笔者分析也仅仅是一个参考，不作为你买卖的依据，文中个股不作为买卖依据，仅仅是研究所用，据此操作，风险自负。
