据中证报报道,清华大学官网介绍,日前,清华大学化学系许华平教授团队在极紫外(EUV)光刻材料上取得重要进展,开发出一种基于聚碲氧烷的新型光刻胶,为先进半导体制造中的关键材料提供了新的设计策略。这一光刻胶由单组分小分子聚合而成,在简洁设计下整合理想特性,为下一代EUV光刻胶的开发提供了可行路径。
中证报指出,光刻胶市场在半导体升级、国产化及新兴技术驱动下,将保持高速增长。中国有望通过技术突破与政策支持,从“进口依赖”转向“全球主导”。中国“十四五”规划将光刻胶列为关键材料,税收优惠及研发补贴超200亿元,推动国内相关企业实现ArF光刻胶量产。数据显示,2025年全球光刻胶市场规模约120亿美元,2030年将达280.6亿美元,中国2030年市场规模占比将提升至30%。
据中证报报道,清华大学官网介绍,日前,清华大学化学系许华平教授团队在极紫外(EUV)光刻材料上取得重要进展,开发出一种基于聚碲氧烷的新型光刻胶,为先进半导体制造中的关键材料提供了新的设计策略。这一光刻胶由单组分小分子聚合而成,在简洁设计下整合理想特性,为下一代EUV光刻胶的开发提供了可行路径。
中证报指出,光刻胶市场在半导体升级、国产化及新兴技术驱动下,将保持高速增长。中国有望通过技术突破与政策支持,从“进口依赖”转向“全球主导”。中国“十四五”规划将光刻胶列为关键材料,税收优惠及研发补贴超200亿元,推动国内相关企业实现ArF光刻胶量产。数据显示,2025年全球光刻胶市场规模约120亿美元,2030年将达280.6亿美元,中国2030年市场规模占比将提升至30%。