台积电2nm已经风险试产约5000片

芯智讯

1周前

业界传闻显示,台积电已于竹科宝山厂已小量风险试产2nm制程约5,000片,相关进展顺利,2nm有望如期量产,后续高雄厂也将跟进量产2nm。

据台媒《经济日报》报道称,在台积电美国亚利桑那州晶圆厂即将量产4nm之际,台积电位于中国台湾的2nm量产计划也在持续推进。业界传闻显示,台积电已于竹科宝山厂已小量风险试产2nm制程约5,000片,相关进展顺利,2nm有望如期量产,后续高雄厂也将跟进量产2nm。

台积电此前曾在法说会上提到,2nm制程技术研发进展顺利,设备效能和良率皆按照计划甚或优于预期。2nm将如期在2025年进入量产,其量产曲线预计与3nm相似。

据介绍,N2制程在相同电压下可以将功耗降低 24% 至 35%,或将性能提高15%,晶体管密度比上一代 3nm 工艺高 1.15 倍。而这些指标的提升主要得益于台积电的新型全环绕栅极(GAA)纳米片晶体管,以及 N2 NanoFlex 设计技术协同优化和其他一些增强功能实现的。

台积电还将推出N2P制程技术,作为2nm家族延伸,将为智能手机和高速运算(HPC)应用提供支持,预计2026下半年量产。

台积电目前2nm生产基地已规划于竹科宝山与高雄厂区。台积电董事长魏哲家日前在法说会上说,高速运算(HPC)加速往小芯片(Chiplet)设计,但不会影响对2纳米采用状况,而且询问的客户愈来愈多,目前客户对2nm需求比3nm还高,预计产能也将会更高。

台积电持续推进2nm于2025年量产的目标。据了解,台积电2nm宝山第一厂已在2024年4月设备进机,2024年6月使用英伟达cuLitho平台结合AI加速风险试产流程,后续宝山第二厂也维持进度; 高雄厂规划2nm扩充,原先预定相关设备最快2025年第3季进机,实际已提前于今年11月陆续进机,较原先计划超前约半年以上。

编辑:芯智讯-浪客剑

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据台媒《经济日报》报道称,在台积电美国亚利桑那州晶圆厂即将量产4nm之际,台积电位于中国台湾的2nm量产计划也在持续推进。业界传闻显示,台积电已于竹科宝山厂已小量风险试产2nm制程约5,000片,相关进展顺利,2nm有望如期量产,后续高雄厂也将跟进量产2nm。

台积电此前曾在法说会上提到,2nm制程技术研发进展顺利,设备效能和良率皆按照计划甚或优于预期。2nm将如期在2025年进入量产,其量产曲线预计与3nm相似。

据介绍,N2制程在相同电压下可以将功耗降低 24% 至 35%,或将性能提高15%,晶体管密度比上一代 3nm 工艺高 1.15 倍。而这些指标的提升主要得益于台积电的新型全环绕栅极(GAA)纳米片晶体管,以及 N2 NanoFlex 设计技术协同优化和其他一些增强功能实现的。

台积电还将推出N2P制程技术,作为2nm家族延伸,将为智能手机和高速运算(HPC)应用提供支持,预计2026下半年量产。

台积电目前2nm生产基地已规划于竹科宝山与高雄厂区。台积电董事长魏哲家日前在法说会上说,高速运算(HPC)加速往小芯片(Chiplet)设计,但不会影响对2纳米采用状况,而且询问的客户愈来愈多,目前客户对2nm需求比3nm还高,预计产能也将会更高。

台积电持续推进2nm于2025年量产的目标。据了解,台积电2nm宝山第一厂已在2024年4月设备进机,2024年6月使用英伟达cuLitho平台结合AI加速风险试产流程,后续宝山第二厂也维持进度; 高雄厂规划2nm扩充,原先预定相关设备最快2025年第3季进机,实际已提前于今年11月陆续进机,较原先计划超前约半年以上。

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