文｜徐涛 王子源
美国商务部于2024年12月2日更新了半导体出口管制政策和实体清单，主要针对中国大陆半导体企业。本次制裁仍然是主要围绕先进制程的“小院高墙”式策略，意在卡住中国先进半导体发展进程，相关内容与此前媒体报道内容差别不大，市场已有所预期，由于相关企业已有提前准备，我们认为短期实际影响有限，长期而言则需放弃幻想，自立自强，有望进一步加速全产业链国产化进程。
▍美国更新出口管制规则并新增实体清单，瞄准中国大陆半导体领域。
2024年12月2日北京时间晚间，美国工业和安全局(BIS)发布了《出口管理条例(EAR)》的修订说明，修订半导体相关的出口管制规则，同时将 140个中国实体列入“实体清单”。核心内容包括但不限于：1）实体清单新增140家公司，并修改对部分企业（标注“脚注5” 的企业）供应含美技术外国产品的限制要求，以及从验证最终用户 (VEU) “白名单”计划中删除3家中国企业；2）针对高带宽内存（HBM）增加新的管制措施（增加新的3A090.c编码）；3）扩展了部分半导体制造设备和相关物品的管制品类，适用于外国直接产品规则。
▍针对实体清单企业和白名单的更新主要包含三部分。
1）新增140家实体清单公司，主要为国产半导体制造、设备厂商，也涉及EDA、投资公司。本次新增实体清单的公司包括半导体设备厂商北方华创、拓荆科技、盛美上海、至纯科技、中科飞测、新凯来、凯世通、华峰测控、烁科中科信、华海清科、芯源微、北京屹唐、东方晶源、上海睿励等半导体设备厂商及部分子公司；半导体制造商青岛芯恩、昇维旭、鹏新旭、武汉新芯等；EDA厂商华大九天及其子公司；半导体材料厂商南大光电及其子公司、上海新昇（沪硅产业旗下）、珠海基石、至纯精密气体等；半导体海外并购相关的建广资产、智路资本、闻泰科技等。实体清单内企业在购买美国技术含量25%以上产品时受到限制。
2）对14家实体清单中的晶圆厂及研发中心增加了“脚注5”限制，更严格限制含美技术产品的采购。BIS针对14家已经被列入实体清单或新列入的晶圆厂和研发中心增加了“脚注5”，包括福建晋华、中芯北京、中芯国际、中芯北方、鹏芯微、ICRD、中芯南方、武汉新芯、青岛芯恩、中科院微电子所、上海集成电路装备材料产业创新中心、张江实验室、北方集成电路技术创新中心、中芯国际集成电路新技术研发公司等，BIS限制采用美国技术的公司（包括美系和非美系）向这些中国公司出口任何含有美国技术的产品。此外BIS对中芯国际的许可批准政策也做了修订。
3）3家半导体公司被移除VEU清单。BIS将三家中国半导体公司从VEU（授权验证最终用户）“白名单”清单移除，分别为中微公司、华虹半导体和华润微，VEU公司无需从 BIS 获得出口、再出口或转让（国内）许可证，现在被移除后，购买受管制的商品、软件和/或技术均需要通过BIS审查。
▍HBM和先进DRAM的限制加码，新增限制HBM的技术参数，主流HBM产品受管制。
1）新增HBM管制物项编码：针对HBM增加了3A090.c管制物项编码，存储带宽密度超过每平方毫米2GB/s即受到管制，BIS表示当前所有量产中的HBM均受限；3A090.c主要针对独立HBM，而对于HBM与逻辑合封的产品，则主要聚焦算力芯片部分，看TPP和性能密度是否受限（根据3A090.a/3A090.b）；此外，对于美国或盟友企业在中国工厂封装等情形，设置了许可例外条件，当满足HBM内存带宽密度小于3.3GB/s/mm²等一系列条件时，可申请许可证例外授权，对产品去向仍有严格管控。
2）修改先进DRAM定义：在限制半导体设备时，将先进DRAM的技术标准从“18 纳米半间距或更小”修正为当 DRAM集成电路的存储单元面积小于0.0019μm²或存储密度大于 0.288Gbit/mm²时，该集成电路即符合 "先进节点集成电路 (Advanced-Node IC) "，从而限制3D DRAM等技术，达到这一水平的国内DRAM存储厂采购含美技术设备需要许可证。
▍修订“商业管制清单CCL”，新增8类高端设备管制。
BIS在管制清单中新增8种品类（ECCN 3B001），后续此类设备的采购均需要许可要求或推定拒绝，主要包括：用于封装含硅通孔（TSV）芯片（如 HBM 芯片）的刻蚀设备；用于在先进集成电路的金属线之间沉积低介电材料的设备；用于先进存储器集成电路中低电阻率金属（钼和钌）的沉积设备；用于先进 DRAM中绝缘体沉积的设备；部分用先进节点钨沉积的物理沉积设备；能够用于先进节点集成电路生产的纳米压印光刻设备（套刻精度小于 1.5nm）；用于先进制程的高端单片清洗设备（如超临界清洗）；控制用于改善EUV光刻整体图形的沉积或刻蚀设备等。同时，7种商品从原 ECCN 3B001 移入新的 ECCN 3B993，不再需要许可要求或推定拒绝，原因是这些商品与制程节点无关，并已在非先进节点制造应用中得到广泛使用。
▍风险因素：
全球宏观经济低迷风险，下游需求不及预期，国际产业环境变化和贸易摩擦加剧风险，国产化推进不及预期，汇率大幅波动，美国制裁加剧，日荷等美国盟友收紧半导体政策等。
▍投资策略：
本次制裁内容与此前媒体报道内容差别不大，市场已有所预期，由于相关企业已有准备，已经提前进行了长期囤货和去美供应链切换，我们认为短期实际影响有限，对企业业务连续性不构成显著影响，长期而言则需放弃幻想，自立自强，有望进一步加速全产业链国产化进程。
1）半导体零部件企业国产替代进一步加速。制裁走向上游，建议关注零部件国产替代机会。
2）设备企业国产化趋势明确，当前最应关注具备先进制程、平台化、细分国产化率低的公司。
3）先进封装在AI芯片领域发挥作用增强，在2.5D/3D/HBM相关方向有持续技术迭代空间。建议关注国内布局先进封装的厂商。
4）晶圆厂作为半导体先进国产替代核心战略资产地位强化。
文｜徐涛 王子源
美国商务部于2024年12月2日更新了半导体出口管制政策和实体清单，主要针对中国大陆半导体企业。本次制裁仍然是主要围绕先进制程的“小院高墙”式策略，意在卡住中国先进半导体发展进程，相关内容与此前媒体报道内容差别不大，市场已有所预期，由于相关企业已有提前准备，我们认为短期实际影响有限，长期而言则需放弃幻想，自立自强，有望进一步加速全产业链国产化进程。
▍美国更新出口管制规则并新增实体清单，瞄准中国大陆半导体领域。
2024年12月2日北京时间晚间，美国工业和安全局(BIS)发布了《出口管理条例(EAR)》的修订说明，修订半导体相关的出口管制规则，同时将 140个中国实体列入“实体清单”。核心内容包括但不限于：1）实体清单新增140家公司，并修改对部分企业（标注“脚注5” 的企业）供应含美技术外国产品的限制要求，以及从验证最终用户 (VEU) “白名单”计划中删除3家中国企业；2）针对高带宽内存（HBM）增加新的管制措施（增加新的3A090.c编码）；3）扩展了部分半导体制造设备和相关物品的管制品类，适用于外国直接产品规则。
▍针对实体清单企业和白名单的更新主要包含三部分。
1）新增140家实体清单公司，主要为国产半导体制造、设备厂商，也涉及EDA、投资公司。本次新增实体清单的公司包括半导体设备厂商北方华创、拓荆科技、盛美上海、至纯科技、中科飞测、新凯来、凯世通、华峰测控、烁科中科信、华海清科、芯源微、北京屹唐、东方晶源、上海睿励等半导体设备厂商及部分子公司；半导体制造商青岛芯恩、昇维旭、鹏新旭、武汉新芯等；EDA厂商华大九天及其子公司；半导体材料厂商南大光电及其子公司、上海新昇（沪硅产业旗下）、珠海基石、至纯精密气体等；半导体海外并购相关的建广资产、智路资本、闻泰科技等。实体清单内企业在购买美国技术含量25%以上产品时受到限制。
2）对14家实体清单中的晶圆厂及研发中心增加了“脚注5”限制，更严格限制含美技术产品的采购。BIS针对14家已经被列入实体清单或新列入的晶圆厂和研发中心增加了“脚注5”，包括福建晋华、中芯北京、中芯国际、中芯北方、鹏芯微、ICRD、中芯南方、武汉新芯、青岛芯恩、中科院微电子所、上海集成电路装备材料产业创新中心、张江实验室、北方集成电路技术创新中心、中芯国际集成电路新技术研发公司等，BIS限制采用美国技术的公司（包括美系和非美系）向这些中国公司出口任何含有美国技术的产品。此外BIS对中芯国际的许可批准政策也做了修订。
3）3家半导体公司被移除VEU清单。BIS将三家中国半导体公司从VEU（授权验证最终用户）“白名单”清单移除，分别为中微公司、华虹半导体和华润微，VEU公司无需从 BIS 获得出口、再出口或转让（国内）许可证，现在被移除后，购买受管制的商品、软件和/或技术均需要通过BIS审查。
▍HBM和先进DRAM的限制加码，新增限制HBM的技术参数，主流HBM产品受管制。
1）新增HBM管制物项编码：针对HBM增加了3A090.c管制物项编码，存储带宽密度超过每平方毫米2GB/s即受到管制，BIS表示当前所有量产中的HBM均受限；3A090.c主要针对独立HBM，而对于HBM与逻辑合封的产品，则主要聚焦算力芯片部分，看TPP和性能密度是否受限（根据3A090.a/3A090.b）；此外，对于美国或盟友企业在中国工厂封装等情形，设置了许可例外条件，当满足HBM内存带宽密度小于3.3GB/s/mm²等一系列条件时，可申请许可证例外授权，对产品去向仍有严格管控。
2）修改先进DRAM定义：在限制半导体设备时，将先进DRAM的技术标准从“18 纳米半间距或更小”修正为当 DRAM集成电路的存储单元面积小于0.0019μm²或存储密度大于 0.288Gbit/mm²时，该集成电路即符合 "先进节点集成电路 (Advanced-Node IC) "，从而限制3D DRAM等技术，达到这一水平的国内DRAM存储厂采购含美技术设备需要许可证。
▍修订“商业管制清单CCL”，新增8类高端设备管制。
BIS在管制清单中新增8种品类（ECCN 3B001），后续此类设备的采购均需要许可要求或推定拒绝，主要包括：用于封装含硅通孔（TSV）芯片（如 HBM 芯片）的刻蚀设备；用于在先进集成电路的金属线之间沉积低介电材料的设备；用于先进存储器集成电路中低电阻率金属（钼和钌）的沉积设备；用于先进 DRAM中绝缘体沉积的设备；部分用先进节点钨沉积的物理沉积设备；能够用于先进节点集成电路生产的纳米压印光刻设备（套刻精度小于 1.5nm）；用于先进制程的高端单片清洗设备（如超临界清洗）；控制用于改善EUV光刻整体图形的沉积或刻蚀设备等。同时，7种商品从原 ECCN 3B001 移入新的 ECCN 3B993，不再需要许可要求或推定拒绝，原因是这些商品与制程节点无关，并已在非先进节点制造应用中得到广泛使用。
▍风险因素：
全球宏观经济低迷风险，下游需求不及预期，国际产业环境变化和贸易摩擦加剧风险，国产化推进不及预期，汇率大幅波动，美国制裁加剧，日荷等美国盟友收紧半导体政策等。
▍投资策略：
本次制裁内容与此前媒体报道内容差别不大，市场已有所预期，由于相关企业已有准备，已经提前进行了长期囤货和去美供应链切换，我们认为短期实际影响有限，对企业业务连续性不构成显著影响，长期而言则需放弃幻想，自立自强，有望进一步加速全产业链国产化进程。
1）半导体零部件企业国产替代进一步加速。制裁走向上游，建议关注零部件国产替代机会。
2）设备企业国产化趋势明确，当前最应关注具备先进制程、平台化、细分国产化率低的公司。
3）先进封装在AI芯片领域发挥作用增强，在2.5D/3D/HBM相关方向有持续技术迭代空间。建议关注国内布局先进封装的厂商。
4）晶圆厂作为半导体先进国产替代核心战略资产地位强化。
