双方合作将Qorvo的高性能BLDC/PMSM电机控制器/驱动器与CGD易于使用的ICeGaN IC结合于新的评估套件（EVK）中。

英商剑桥氮化镓器件有限公司（Cambridge GaN Devices，简称 CGD）是一家专注于研发高效能氮化镓（GaN）功率组件的半导体公司，致力于打造更环保的电子组件。近日，该公司与全球领先的连接和电源解决方案提供商 Qorvo®（Nasdaq: QRVO）合作推出PAC5556A + ICeGaN®评估套件（EVK），融合了行业领先的电机控制和能效技术。这次合作将Qorvo的高效能BLDC/PMSM电机控制器/驱动器与CGD易于使用的ICeGaN IC结合在一块电路板，显著提升了电机控制应用的表现。
ANDREA BRICCONI | CGD首席营销长
“透过在这个EVK 中结合我们两家技术雄厚公司的行业领先技术解决方案，我们正在开发具有高功率密度的紧凑型节能系统。与其他GaN实现不同，ICeGaN技术可轻松与Qorvo的PAC5556A电机控制IC相连接，在BLDC和PMSM应用中实现无缝高性能。”
JEff Strang | Qorvo电源管理事业部总经理
“氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等宽禁带半导体因其更高的功率密度和效率优势而被整合到电机控制应用中。CGD的ICeGaN技术提供了易用性和可靠性，这些关键因素对电机控制和驱动设计师至关重要。当客户体验到CGD的ICeGaN与我们高度集成的PAC5556A 600V BLDC电机控制解决方案相结合的强大功率时，他们反应相当热烈。”
透过采用CGD最新一代的P2 IC，具有240 mΩ ICeGaN的PAC5556AEVK2评估套件无需散热器即可实现高达400W的峰值性能，而具有55 mΩ ICeGaN的PAC5556AEVK3在最小气流冷却的情况下可达到 800W的峰值性能。ICeGaN的效率提升可减少功率损耗、提高电源可用性，并最大限度地减少散热，从而实现更小、更可靠的系统。由于ICeGaN整合了必要的电流侦测和米勒钳位组件，因此简化了栅极驱动器设计并降低了BOM成本。这使得该解决方案易于实施，具有价格竞争力以及高性能。
PAC5556A + CGD GaN EVK可在低速下提供更高的扭矩和精确的控制，使其成为白色家电、吊扇、冰箱、压缩机和泵浦的理想选择。目标市场包括工业和家庭自动化，特别是需要紧凑型高效电机控制系统的市场。 PAC5556AEVK2和PAC5556AEVK3 现可在Qorvo网站上订购。CGD将在Electronica慕尼黑电子展中展出以上产品，摊位号为C3-539。
www.camgandevices.com
关于英商剑桥氮化镓器件有限公司（Cambridge GaN Devices）
英商剑桥氮化镓器件有限公司（Cambridge GaN Devices，简称 CGD）专注于 GaN 晶体管和IC的设计、开发以及商业化，致力于推动能源效率和提高功率密度层面的根本变革。我们的使命是提供各种简便节能的GaN 解决方案，以便将创新成果导入日常生活。
CGD 的 ICeGaN™ 技术经证实适用于大量生产，公司正迅速扩展现有的制造和客户合作规模。CGD 源自剑桥大学，是一家无晶圆厂企业。执行长 Giorgia Longobardi 博士及技术长 Florin Udrea 教授等公司创办人仍与剑桥大学享誉国际的高电压微电子及传感器小组 (HVMS) 维持密切合作。
在 CGD 专注推动创新的努力下，ICeGaN 技术取得了一系列强大且持续扩展的IP组合，享有坚实可靠的智慧财产保护。CGD 团队拥有的技术和商业专业知识，以及在电力电子市场受到广泛肯定的良好记录，是公司独家技术极具市场接受度的根本原因。

双方合作将Qorvo的高性能BLDC/PMSM电机控制器/驱动器与CGD易于使用的ICeGaN IC结合于新的评估套件（EVK）中。

英商剑桥氮化镓器件有限公司（Cambridge GaN Devices，简称 CGD）是一家专注于研发高效能氮化镓（GaN）功率组件的半导体公司，致力于打造更环保的电子组件。近日，该公司与全球领先的连接和电源解决方案提供商 Qorvo®（Nasdaq: QRVO）合作推出PAC5556A + ICeGaN®评估套件（EVK），融合了行业领先的电机控制和能效技术。这次合作将Qorvo的高效能BLDC/PMSM电机控制器/驱动器与CGD易于使用的ICeGaN IC结合在一块电路板，显著提升了电机控制应用的表现。
ANDREA BRICCONI | CGD首席营销长
“透过在这个EVK 中结合我们两家技术雄厚公司的行业领先技术解决方案，我们正在开发具有高功率密度的紧凑型节能系统。与其他GaN实现不同，ICeGaN技术可轻松与Qorvo的PAC5556A电机控制IC相连接，在BLDC和PMSM应用中实现无缝高性能。”
JEff Strang | Qorvo电源管理事业部总经理
“氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等宽禁带半导体因其更高的功率密度和效率优势而被整合到电机控制应用中。CGD的ICeGaN技术提供了易用性和可靠性，这些关键因素对电机控制和驱动设计师至关重要。当客户体验到CGD的ICeGaN与我们高度集成的PAC5556A 600V BLDC电机控制解决方案相结合的强大功率时，他们反应相当热烈。”
透过采用CGD最新一代的P2 IC，具有240 mΩ ICeGaN的PAC5556AEVK2评估套件无需散热器即可实现高达400W的峰值性能，而具有55 mΩ ICeGaN的PAC5556AEVK3在最小气流冷却的情况下可达到 800W的峰值性能。ICeGaN的效率提升可减少功率损耗、提高电源可用性，并最大限度地减少散热，从而实现更小、更可靠的系统。由于ICeGaN整合了必要的电流侦测和米勒钳位组件，因此简化了栅极驱动器设计并降低了BOM成本。这使得该解决方案易于实施，具有价格竞争力以及高性能。
PAC5556A + CGD GaN EVK可在低速下提供更高的扭矩和精确的控制，使其成为白色家电、吊扇、冰箱、压缩机和泵浦的理想选择。目标市场包括工业和家庭自动化，特别是需要紧凑型高效电机控制系统的市场。 PAC5556AEVK2和PAC5556AEVK3 现可在Qorvo网站上订购。CGD将在Electronica慕尼黑电子展中展出以上产品，摊位号为C3-539。
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关于英商剑桥氮化镓器件有限公司（Cambridge GaN Devices）
英商剑桥氮化镓器件有限公司（Cambridge GaN Devices，简称 CGD）专注于 GaN 晶体管和IC的设计、开发以及商业化，致力于推动能源效率和提高功率密度层面的根本变革。我们的使命是提供各种简便节能的GaN 解决方案，以便将创新成果导入日常生活。
CGD 的 ICeGaN™ 技术经证实适用于大量生产，公司正迅速扩展现有的制造和客户合作规模。CGD 源自剑桥大学，是一家无晶圆厂企业。执行长 Giorgia Longobardi 博士及技术长 Florin Udrea 教授等公司创办人仍与剑桥大学享誉国际的高电压微电子及传感器小组 (HVMS) 维持密切合作。
在 CGD 专注推动创新的努力下，ICeGaN 技术取得了一系列强大且持续扩展的IP组合，享有坚实可靠的智慧财产保护。CGD 团队拥有的技术和商业专业知识，以及在电力电子市场受到广泛肯定的良好记录，是公司独家技术极具市场接受度的根本原因。