9月20日消息，据彭博社援引半导体专业分析机构TechInsights的报道称，在美国于2022年10月限制先进半导体设备对华出口，并于2022年底将中国3D NAND Flash制造商长江存储列入实体清单近两年之后，长江存储仍在稳步发展，并已成功采用国产半导体设备取代了部分美系半导体设备。

报道称，长江存储已转向国内的半导体设备应商，如专门从事蚀刻设备的 中微公司（AMEC）、专注于沉积和蚀刻设备的北方华创（Naura）、沉积设备供应商拓荆科技（Piotech）。

据 TechInsights 称，虽然长江存储仍继续依赖 ASML 和 泛林集团（Lam Research）等外国供应商提供关键工具，但中国国产半导体设备供应商越来越多地承担了生产流程的大部分。

近年来，长江存储推出了具有232层和高速接口的 Xtacking 3.0 和 Xtacking 4.0 架构，使得其能够与美光、三星和 SK 海力士等全球领导者进行竞争，并具有足够的竞争力，可以为世界上一些最好的 SSD 提供支持。

尽管取得了这些进展，但长江存储仍面临技术障碍。据彭博社和 TechInsights 报道，其最新的使用国产半导体设备生产的3D NAND芯片比早期版本少了 70 层，而层数的减少主要因为使用国产设备导致了制造过程中缺陷增多、良率降低。

不过，长江存储在发给彭博社的一封电子邮件中回应称，它正在不断提高其产品性能，其最新设备中层数的变化与任何特定设备的产量无关。

对此，芯智讯也联系了长江存储方面，对方也确认了对于彭博社的回应。

不管如何，可以肯定的是，随着国产设备制造的3D NAND 的缺陷数量减少和良率提升，预计长江存储将持续增加国产设备制造的3D NAND 的层数。

随着美国继续收紧对先进芯片和设备的出口管制，中国正在推动在这一关键领域的自力更生。

值得注意的是，长江存储最近甚至签署了一项协议，为美国PatriotMemory 的一款高端PCIe Gen5x4 SSD提供 3D NAND，该 SSD 承诺以低价格提供高性能。

虽然 AMEC、Naura 和 Piotech 在更复杂的晶圆制造设备方面取得了稳步进展，慢慢缩小了与应用材料（Applied Materials）和 泛林集团（Lam Research）等美国领先公司的差距，但公众很少公开看到他们的进步，这主要是因为他们和他们的客户都没有兴趣向外界展示他们的最新进展。

尽管长江存储正在采用更多的国产设备，特别是在国产设备有竞争力的刻蚀和沉积设备方面，但目前中国的半导体制造业总体上仍继续依赖外国设备，例如 ASML、应用材料（Applied Materials）、科磊（KLA）、泛林集团（Lam Research）和 Tokyo Electron 的设备。

另外需要指出的是，为了反击来自美方的持续打压，长江存储正通过专向其美国竞争对手美光科技发起一系列诉讼来维护自身利益。

今年7月，长江存储在美国加利福尼亚州北部地区再度对美光提起诉讼，指控这家美国公司侵犯了其11项专利，涉及3D NAND Flash及DRAM产品。长江存储要求法院勒令美光停止在美国销售侵权的存储器产品，同时支付专利使用费。

而在更早之前的2023年11月，长江存储还在美国加州北区地方法院对美光及其子公司美光消费类产品事业部提起诉讼，指控它们侵犯了其8项与3D NAND Flash相关的美国专利。

此外，今年6月，长江存储还在美国加利福尼亚州北区联邦地区法院提起诉讼，指控受美光资助的丹麦咨询公司Strand Consult及其副总裁罗丝琳·雷顿（Roslyn Layton）散布虚假信息，破坏长江存储的市场声誉和商业关系。

编辑：芯智讯-浪客剑

9月20日消息，据彭博社援引半导体专业分析机构TechInsights的报道称，在美国于2022年10月限制先进半导体设备对华出口，并于2022年底将中国3D NAND Flash制造商长江存储列入实体清单近两年之后，长江存储仍在稳步发展，并已成功采用国产半导体设备取代了部分美系半导体设备。

报道称，长江存储已转向国内的半导体设备应商，如专门从事蚀刻设备的 中微公司（AMEC）、专注于沉积和蚀刻设备的北方华创（Naura）、沉积设备供应商拓荆科技（Piotech）。

据 TechInsights 称，虽然长江存储仍继续依赖 ASML 和 泛林集团（Lam Research）等外国供应商提供关键工具，但中国国产半导体设备供应商越来越多地承担了生产流程的大部分。

近年来，长江存储推出了具有232层和高速接口的 Xtacking 3.0 和 Xtacking 4.0 架构，使得其能够与美光、三星和 SK 海力士等全球领导者进行竞争，并具有足够的竞争力，可以为世界上一些最好的 SSD 提供支持。

尽管取得了这些进展，但长江存储仍面临技术障碍。据彭博社和 TechInsights 报道，其最新的使用国产半导体设备生产的3D NAND芯片比早期版本少了 70 层，而层数的减少主要因为使用国产设备导致了制造过程中缺陷增多、良率降低。

不过，长江存储在发给彭博社的一封电子邮件中回应称，它正在不断提高其产品性能，其最新设备中层数的变化与任何特定设备的产量无关。

对此，芯智讯也联系了长江存储方面，对方也确认了对于彭博社的回应。

不管如何，可以肯定的是，随着国产设备制造的3D NAND 的缺陷数量减少和良率提升，预计长江存储将持续增加国产设备制造的3D NAND 的层数。

随着美国继续收紧对先进芯片和设备的出口管制，中国正在推动在这一关键领域的自力更生。

值得注意的是，长江存储最近甚至签署了一项协议，为美国PatriotMemory 的一款高端PCIe Gen5x4 SSD提供 3D NAND，该 SSD 承诺以低价格提供高性能。

虽然 AMEC、Naura 和 Piotech 在更复杂的晶圆制造设备方面取得了稳步进展，慢慢缩小了与应用材料（Applied Materials）和 泛林集团（Lam Research）等美国领先公司的差距，但公众很少公开看到他们的进步，这主要是因为他们和他们的客户都没有兴趣向外界展示他们的最新进展。

尽管长江存储正在采用更多的国产设备，特别是在国产设备有竞争力的刻蚀和沉积设备方面，但目前中国的半导体制造业总体上仍继续依赖外国设备，例如 ASML、应用材料（Applied Materials）、科磊（KLA）、泛林集团（Lam Research）和 Tokyo Electron 的设备。

另外需要指出的是，为了反击来自美方的持续打压，长江存储正通过专向其美国竞争对手美光科技发起一系列诉讼来维护自身利益。

今年7月，长江存储在美国加利福尼亚州北部地区再度对美光提起诉讼，指控这家美国公司侵犯了其11项专利，涉及3D NAND Flash及DRAM产品。长江存储要求法院勒令美光停止在美国销售侵权的存储器产品，同时支付专利使用费。

而在更早之前的2023年11月，长江存储还在美国加州北区地方法院对美光及其子公司美光消费类产品事业部提起诉讼，指控它们侵犯了其8项与3D NAND Flash相关的美国专利。

此外，今年6月，长江存储还在美国加利福尼亚州北区联邦地区法院提起诉讼，指控受美光资助的丹麦咨询公司Strand Consult及其副总裁罗丝琳·雷顿（Roslyn Layton）散布虚假信息，破坏长江存储的市场声誉和商业关系。

编辑：芯智讯-浪客剑