Product Analysis of Amphenol NovaSensor’s Pressure Sensor Die P883
NovaSensor位于美国加州硅谷的中心地带，从事MEMS压力传感器芯片的研发和生产，产品广泛应用于医疗、汽车、工业及消费电子等领域。从1985年成立至今，NovaSensor在硅微机械加工技术方面始终保持世界领先的地位。NovaSensor成立于1985年，最初名为Lucas NovaSensor，由MEMS大神Kurt E. Petersen联合创立。1999年，天合汽车（TRW Automotive）收购NovaSensor；2002年，通用电气（GE）从TRW手中收购NovaSensor；2013年，Amphenol收购GE的先进传感器业务部门（包括NovaSensor）。
NovaSensor拥有最先进的设计工具和尖端实验室，是MEMS压力传感器芯片设计、建模和制造方面的领导者。NovaSensor压力传感器产品线包括先进、高性能和高性价比的传感器解决方案，以其精度、可靠性和尺寸而闻名世界。NovaSensor压力传感解决方案包括表面贴装、混合和介质隔离产品系列，提供从未校准到完全校准、放大模拟和数字输出版本的所有类别。
据麦姆斯咨询介绍，NovaSensor的MEMS压力传感器芯片P883尺寸为2.1mm x 2.1mm，面向中高压传感应用（例如液位感应、汽车系统、过程控制、液压系统等），其工作原理为压阻效应，在惠斯通电桥中采用了4个值相匹配的压敏电阻。当由恒定电压或恒定电流激励时，P883芯片会产生与施加压力成正比的差分毫伏输出信号。P883的芯片设计使得其在很大的温度范围内可以抑制温度迟滞效应，并且生产出的每片晶圆都抽样检验芯片的电阻、灵敏度、线性度、偏移、温度系数、温度迟滞。
NovaSensor的MEMS压力传感器芯片P883
本报告针对全球领先的MEMS压力传感器厂商安费诺（Amphenol）旗下的NovaSensor压力传感器芯片P883进行物理分析，包括芯片剖析、材料分析和桥阻分析等，并依此推测出这款MEMS芯片的制造工艺，此外还绘制了光刻版图以供参考。最后，我们还检索并分析了产品的专利情况。具体内容如下：
1. 首先，对这款压力传感器芯片P883整体进行拍照与分析，该MEMS芯片的传感单元为集成惠斯通电桥的单层硅结构悬膜，惠斯通电桥位于芯片上表面，芯片底面为湿法腐蚀的硅槽（背腔）。然后，重点对MEMS结构部分进行物理分析，包括表面和剖面膜层结构与材料分析，以及电学掺杂和惠斯通电桥结构分析等。惠斯通电桥由四边对称排布的压阻条通过重掺离子形成内部电路，外部电路通过通孔和金属TiW/Pt/Au相连，形成开环电桥结构。此外，还对MEMS芯片附有的温度传感器进行分析，该温度传感器类型为重掺硅热阻型，室温热阻为5401Ω。
NovaSensor的MEMS压力传感器芯片P883表面形貌
NovaSensor的MEMS压力传感器芯片P883剖面图
2. 绘制MEMS芯片结构示意图，并对MEMS芯片制造工艺进行分析与推测，其离子注入分为重掺和轻掺两次，硅槽采用硅各向异性湿法腐蚀制作而成。
NovaSensor的MEMS压力传感器芯片P883部分制造工艺示例
3. 根据物理拆解去层数据和制造工艺的推测，对MEMS芯片光刻版图进行绘制，得到7张光刻版图：（1）正面6道光刻工艺，分别用于切割道、压阻、重掺杂、电磁屏蔽层、通孔和金属的图形化；（2）背面1道光刻工艺，用于硅槽的图形化。
4. 针对上述压力传感器芯片P883产品拆解与分析内容进行相关专利检索与分析，并提供从专利到产品的映射关系，有助于其他厂商理解技术要点及专利保护范围，并进行侵权关联性分析，从而可以有效避免侵权纠纷的发生。
Amphenol（包括NovaSensor）压力传感器专利申请趋势
报告目录：
1. 报告综述
- 报告摘要
- 分析流程及方法
2. 公司介绍
- NovaSensor介绍
- 分析产品介绍
- 同类公司介绍
- 同类产品介绍
3. 物理分析
- 物理分析概述
- 物理分析方法
- 芯片工作原理
- 表面分析
* 芯片整体视图
* 表面形貌分析
* 表面成分分析
* 芯片去层
* 芯片染结
* 硅槽（背腔）结构
- 剖面分析
* 芯片大剖面视图
* 感压悬膜结构和成分
* 绝缘层
* 电磁屏蔽层
* 焊盘
* 剖面染结
* 温度传感器
- 电学及掺杂分析
* 桥阻IV曲线
* DSIMS分析：压阻、重掺区、温度传感器
* DSIMS分析：电磁屏蔽区
* 惠斯通电桥分析
4. 制造工艺
- MEMS芯片结构示意图
- MEMS芯片制造工艺流程
5. 版图
- 版图概述
- 分版说明
6. 专利到产品的映射分析
- 分析流程及方法
- 公司专利概况
- 专利到产品的映射
附录. 专利数据库、版图tdb/GDS文件
若需要购买《安费诺NovaSensor压力传感器芯片P883产品分析》报告，请联系麦姆斯咨询王懿，邮箱：wangyi#memsconsulting.com（#换成@）；电话：17898818163。
《First Sensor工业级STARe压力传感器芯片产品分析》
《Merit Sensor压力传感器及MEMS芯片产品分析》
Product Analysis of Amphenol NovaSensor’s Pressure Sensor Die P883
NovaSensor位于美国加州硅谷的中心地带，从事MEMS压力传感器芯片的研发和生产，产品广泛应用于医疗、汽车、工业及消费电子等领域。从1985年成立至今，NovaSensor在硅微机械加工技术方面始终保持世界领先的地位。NovaSensor成立于1985年，最初名为Lucas NovaSensor，由MEMS大神Kurt E. Petersen联合创立。1999年，天合汽车（TRW Automotive）收购NovaSensor；2002年，通用电气（GE）从TRW手中收购NovaSensor；2013年，Amphenol收购GE的先进传感器业务部门（包括NovaSensor）。
NovaSensor拥有最先进的设计工具和尖端实验室，是MEMS压力传感器芯片设计、建模和制造方面的领导者。NovaSensor压力传感器产品线包括先进、高性能和高性价比的传感器解决方案，以其精度、可靠性和尺寸而闻名世界。NovaSensor压力传感解决方案包括表面贴装、混合和介质隔离产品系列，提供从未校准到完全校准、放大模拟和数字输出版本的所有类别。
据麦姆斯咨询介绍，NovaSensor的MEMS压力传感器芯片P883尺寸为2.1mm x 2.1mm，面向中高压传感应用（例如液位感应、汽车系统、过程控制、液压系统等），其工作原理为压阻效应，在惠斯通电桥中采用了4个值相匹配的压敏电阻。当由恒定电压或恒定电流激励时，P883芯片会产生与施加压力成正比的差分毫伏输出信号。P883的芯片设计使得其在很大的温度范围内可以抑制温度迟滞效应，并且生产出的每片晶圆都抽样检验芯片的电阻、灵敏度、线性度、偏移、温度系数、温度迟滞。
NovaSensor的MEMS压力传感器芯片P883
本报告针对全球领先的MEMS压力传感器厂商安费诺（Amphenol）旗下的NovaSensor压力传感器芯片P883进行物理分析，包括芯片剖析、材料分析和桥阻分析等，并依此推测出这款MEMS芯片的制造工艺，此外还绘制了光刻版图以供参考。最后，我们还检索并分析了产品的专利情况。具体内容如下：
1. 首先，对这款压力传感器芯片P883整体进行拍照与分析，该MEMS芯片的传感单元为集成惠斯通电桥的单层硅结构悬膜，惠斯通电桥位于芯片上表面，芯片底面为湿法腐蚀的硅槽（背腔）。然后，重点对MEMS结构部分进行物理分析，包括表面和剖面膜层结构与材料分析，以及电学掺杂和惠斯通电桥结构分析等。惠斯通电桥由四边对称排布的压阻条通过重掺离子形成内部电路，外部电路通过通孔和金属TiW/Pt/Au相连，形成开环电桥结构。此外，还对MEMS芯片附有的温度传感器进行分析，该温度传感器类型为重掺硅热阻型，室温热阻为5401Ω。
NovaSensor的MEMS压力传感器芯片P883表面形貌
NovaSensor的MEMS压力传感器芯片P883剖面图
2. 绘制MEMS芯片结构示意图，并对MEMS芯片制造工艺进行分析与推测，其离子注入分为重掺和轻掺两次，硅槽采用硅各向异性湿法腐蚀制作而成。
NovaSensor的MEMS压力传感器芯片P883部分制造工艺示例
3. 根据物理拆解去层数据和制造工艺的推测，对MEMS芯片光刻版图进行绘制，得到7张光刻版图：（1）正面6道光刻工艺，分别用于切割道、压阻、重掺杂、电磁屏蔽层、通孔和金属的图形化；（2）背面1道光刻工艺，用于硅槽的图形化。
4. 针对上述压力传感器芯片P883产品拆解与分析内容进行相关专利检索与分析，并提供从专利到产品的映射关系，有助于其他厂商理解技术要点及专利保护范围，并进行侵权关联性分析，从而可以有效避免侵权纠纷的发生。
Amphenol（包括NovaSensor）压力传感器专利申请趋势
报告目录：
1. 报告综述
- 报告摘要
- 分析流程及方法
2. 公司介绍
- NovaSensor介绍
- 分析产品介绍
- 同类公司介绍
- 同类产品介绍
3. 物理分析
- 物理分析概述
- 物理分析方法
- 芯片工作原理
- 表面分析
* 芯片整体视图
* 表面形貌分析
* 表面成分分析
* 芯片去层
* 芯片染结
* 硅槽（背腔）结构
- 剖面分析
* 芯片大剖面视图
* 感压悬膜结构和成分
* 绝缘层
* 电磁屏蔽层
* 焊盘
* 剖面染结
* 温度传感器
- 电学及掺杂分析
* 桥阻IV曲线
* DSIMS分析：压阻、重掺区、温度传感器
* DSIMS分析：电磁屏蔽区
* 惠斯通电桥分析
4. 制造工艺
- MEMS芯片结构示意图
- MEMS芯片制造工艺流程
5. 版图
- 版图概述
- 分版说明
6. 专利到产品的映射分析
- 分析流程及方法
- 公司专利概况
- 专利到产品的映射
附录. 专利数据库、版图tdb/GDS文件
若需要购买《安费诺NovaSensor压力传感器芯片P883产品分析》报告，请联系麦姆斯咨询王懿，邮箱：wangyi#memsconsulting.com（#换成@）；电话：17898818163。
《First Sensor工业级STARe压力传感器芯片产品分析》
《Merit Sensor压力传感器及MEMS芯片产品分析》
参与讨论
