众所周知，在芯片制造上，目前不管是逻辑芯片、存储芯片，还是其它的模拟芯片，大规模的量产，均是光刻工艺，离不开光刻机。
随着芯片技术的不断前进，对光刻机要求也是越来越高，大家逐步从DUV换成EUV，存储芯片也是如此，像三星、SK海力士、美光们，均用上了EUV。
毕竟只要是遵循摩尔定律，不断的微缩晶体管，就迟早会用到EUV。
但EUV国内厂商是买不到的，当芯片工艺达到一定程度后，微缩晶体管就会越来越力，只能靠多重曝光一点点往下抠，成本和良率越来越吃力，所以需要换一种方式，换道超车。
比如华为就提出了韬定律，用时间微缩来替代物理微缩，绕开EUV光刻机。
而近日，长鑫科技，在DRAM内存上，也开始换道超车了。
传统的DRAM工艺，采用的是6F结构，即晶体管是平面结构，然后电容垂直在晶体管上，相当于一个存储单元，占用的面积是最小特征尺寸平方的6倍。
工艺再前进的话，就要微缩晶体管，就要用到EUV等，但我们没有，只能进行结构改进。
于是长鑫研究出了4F，将晶体管垂直摆放，这样缩小了一个存储单元占用的面积，只要最小特征尺寸平方的4倍了，相当于节约了三分之一面积。
这种方式之下，同样面积的芯片，存储密度就高了四分之一左右，对于原来的6F结构而言，4F相当于用结构换密度，也不用依赖EUV光刻机，因为其晶体管尺寸本身没变，不需要微缩，对长鑫来说是绕开EUV设备限制的现实选择。
并且，长鑫的这个4F结构，将领先三星约两年，因为三星的4F产品要到2028年才进入量产，而长鑫年底就会量产出来，这不是领先两年是什么？
可见，EUV光刻机确实很重要，但是也并不是非EUV光刻机不可，目前国内的厂商们，不断的努力，确实已经找到了许多绕开EUV的办法，韬定律，4F结构均是如此。
估计美国也是万万没有想到吧，在它的禁令之下，中国芯片企业，开始换道超车，找出了另外的办法，绕开了EUV，让它的禁令越来越无用了。
原文标题 : 没有EUV光刻机，长鑫存储学华为换道，技术反领先三星2年？
众所周知，在芯片制造上，目前不管是逻辑芯片、存储芯片，还是其它的模拟芯片，大规模的量产，均是光刻工艺，离不开光刻机。
随着芯片技术的不断前进，对光刻机要求也是越来越高，大家逐步从DUV换成EUV，存储芯片也是如此，像三星、SK海力士、美光们，均用上了EUV。
毕竟只要是遵循摩尔定律，不断的微缩晶体管，就迟早会用到EUV。
但EUV国内厂商是买不到的，当芯片工艺达到一定程度后，微缩晶体管就会越来越力，只能靠多重曝光一点点往下抠，成本和良率越来越吃力，所以需要换一种方式，换道超车。
比如华为就提出了韬定律，用时间微缩来替代物理微缩，绕开EUV光刻机。
而近日，长鑫科技，在DRAM内存上，也开始换道超车了。
传统的DRAM工艺，采用的是6F结构，即晶体管是平面结构，然后电容垂直在晶体管上，相当于一个存储单元，占用的面积是最小特征尺寸平方的6倍。
工艺再前进的话，就要微缩晶体管，就要用到EUV等，但我们没有，只能进行结构改进。
于是长鑫研究出了4F，将晶体管垂直摆放，这样缩小了一个存储单元占用的面积，只要最小特征尺寸平方的4倍了，相当于节约了三分之一面积。
这种方式之下，同样面积的芯片，存储密度就高了四分之一左右，对于原来的6F结构而言，4F相当于用结构换密度，也不用依赖EUV光刻机，因为其晶体管尺寸本身没变，不需要微缩，对长鑫来说是绕开EUV设备限制的现实选择。
并且，长鑫的这个4F结构，将领先三星约两年，因为三星的4F产品要到2028年才进入量产，而长鑫年底就会量产出来，这不是领先两年是什么？
可见，EUV光刻机确实很重要，但是也并不是非EUV光刻机不可，目前国内的厂商们，不断的努力，确实已经找到了许多绕开EUV的办法，韬定律，4F结构均是如此。
估计美国也是万万没有想到吧，在它的禁令之下，中国芯片企业，开始换道超车，找出了另外的办法，绕开了EUV，让它的禁令越来越无用了。
原文标题 : 没有EUV光刻机，长鑫存储学华为换道，技术反领先三星2年？
