存储芯片产业再度迎来利好消息
9月20日，在2026世界制造业大会上，长鑫科技对外宣布第五代技术平台实现正式量产。
根据相关介绍，长鑫科技第五代工艺平台的存储密度获得大幅度提升，同等条件之下，单张晶圆的产出水平，对比上一代平台提升50%以上。依托该平台研发制造的24GBLPDDR5X产品已经开启正式量产，批量搭载至国内主流旗舰手机。
HBM是AI芯片关键内存组件 在AI芯片中扮演核心配套内存组件角色
HBM是AI芯片关键内存组件，具备高带宽、高能效比、低延时特性。HBM是基于2.5/3D先进封装技术实现的大容量、高带宽DDR组合阵列，由C-die核心芯片与B-die基础芯片两部分构成。其内部结构与传统内存不同，并非将内存芯片并排布置，而是利用TSV硅通孔和微凸块将多层DRAM裸片垂直堆叠键合，再与BaseDie连接，最后通过凸块与硅中阶层互联。凭借这一架构，HBM具备超高带宽、高能效比和低延时三大核心优势：HBM3E单堆栈带宽已达1.2TB/s，HBM4预计跃升至2.0TB/s；TSV技术使能耗较GDDR5降低约30-50%；3D堆叠设计使PCB占用面积仅为传统方案的1/3，超短互连距离则显著降低了信号传输延时。
HBM在AI芯片中扮演核心配套内存组件角色，其带宽与容量直接影响大模型的推理与训练效率。推理场景中若带宽不足，GPU将长时间处于等待状态。训练场景中，前向与反向传播所需数据均通过HBM流转，HBM的带宽与容量直接决定大规模模型的训练效率与可扩展性。以英伟达为例，从H200到最新的RubinGPU，单卡HBM配置在容量与型号上持续升级，RubinGPU已配备288GBHBM4；国产GPU厂商华为、阿里、寒武纪等当前单卡HBM配置以HBM3等为主，容量约为144GB至196GB。
国内CSP+主权AI投资景气度走高，对应较大HBM需求量，国内CSP算力采购扩张明显。2026Q2，腾讯资本开支达527.84亿元，同比增长176%，上半年累计847.20亿元，已超2025年全年792亿元规模；阿里资本支出达676.78亿元，同比增长75%，三年3800亿元AI基建计划截至6月季度末已累计投入1900亿元；字节正评估将2026年资本支出推至最高700亿美元（约4700亿元人民币），较2025年翻倍有余，此前2026年AI资本开支亦上修至逾2000亿元，新增投资集中投向数据中心扩容与AI基础设施。
国内主权AI投资景气度正处于投资规模量级跃升、国产化导向明确的阶段。政策端，工信部印发《信息通信行业发展“十五五”规划》，明确到2030年智能算力规模达9800EFLOPS，信息基础设施累计投资3.8万亿元。基于此，我们预测2027年寒武纪、海光信息、华为及其他出货量分别为55、45、290、260万颗，对应2027年等效24GBHBM3/3E需求量为330、270、1740、1560万颗，合计需求量达3900万颗。
2027年HBM供给紧张态势延续
2027年HBM供给紧张态势延续，国产HBM有望予以支撑。HBM核心供应商SK海力士、三星与美光已分配完60-70%的2027年HBM产能，且主要转向HBM4。扩产方面，三星计划到2026年末将HBM月产能提升至25万片晶圆（以12英寸计），较2025年末约17万片增长约47%，扩产主要为HBM4订单做准备；SK海力士HBM产能2025年底约为每月15万片，至2026年底增长至20万片。产品与客户结构上，三星三大客户为英伟达、AMD、博通，计划于2026年下半年对上述客户放量供货，且2026年下半年HBM4将占其HBM总收入的60%以上；SK海力士2026年HBM出货量中约三分之二分配给英伟达，计划上半年主力供应HBM3E，下半年起扩大HBM4供应量，并已与十家大客户签订长期供货协议。
HBM行业产业链解析
HBM高带宽存储器产业链分为上游设备材料、中游芯片制造与先进封装、下游算力应用三大环节。上游核心为12英寸DRAM硅片、TSV硅通孔设备、微凸点、中介层、塑封料与抛光耗材，TSV刻蚀、热压键合等高端设备与材料多由海外厂商把控，国内企业在CMP抛光、封装材料、封测设备等领域推进国产替代。中游是产业链核心，由三星、SK海力士、美光主导HBMDRAM晶圆制造与多层堆叠，台积电凭借CoWoS硅中介层实现HBM与GPU异构集成，长电科技等国内封测厂商布局HBM后段测试与封装。下游主要面向AIGPU厂商、云服务商与高性能计算场景，英伟达、AMD为核心芯片采购方，AI大模型训练、数据中心算力需求拉动HBM需求持续增长。整条产业链技术壁垒极高，DRAM晶圆制造与TSV堆叠工艺门槛最突出，国内机会集中在上游配套与先进封测环节。
HBM行业未来发展趋势
HBM高带宽存储器产业链分为上游设备材料、中游芯片制造与先进封装、下游算力应用三大环节。上游核心为12英寸DRAM硅片、TSV硅通孔设备、微凸点、中介层、塑封料与抛光耗材，TSV刻蚀、热压键合等高端设备与材料多由海外厂商把控，国内企业在CMP抛光、封装材料、封测设备等领域推进国产替代。中游是产业链核心，由三星、SK海力士、美光主导HBMDRAM晶圆制造与多层堆叠，台积电凭借CoWoS硅中介层实现HBM与GPU异构集成，长电科技等国内封测厂商布局HBM后段测试与封装。下游主要面向AIGPU厂商、云服务商与高性能计算场景，英伟达、AMD为核心芯片采购方，AI大模型训练、数据中心算力需求拉动HBM需求持续增长。整条产业链技术壁垒极高，DRAM晶圆制造与TSV堆叠工艺门槛最突出，国内机会集中在上游配套与先进封测环节。
AI算力建设持续拉动HBM需求上行
银河证券认为，AI算力建设持续拉动HBM需求上行，英伟达新一代RubinUltra平台单GPU搭载HBM容量提升至384GB，叠加AIASIC芯片出货放量，HBM需求将迎来新一轮跃升；预计HBM投片量占DRAM总投片比重由2025年18%提升至2027年30%，位元供给占比同步抬升，3D堆叠DRAM是破解内存墙的核心技术路线。
财通证券认为，HBM高景气周期延续，测算2025至2028年全球HBM容量需求复合增速约55.7%，到2028年HBM供给仍维持结构性偏紧格局；AI服务器是HBM核心需求来源，单台AI服务器HBM搭载量持续增长，算力资本开支扩容带动洁净室、晶圆制造、HBM封测、测试设备整条产业链需求增长。
相关公司介绍
海光信息(688041)
公司的主营业务是研发、设计和销售应用于服务器、工作站等计算、存储设备中的高端处理器。公司的产品包括海光通用处理器(CPU)和海光协处理器(DCU)。根据我国信息产业发展的实际需要，公司研发出了多款性能达到国际同类型主流高端处理器水平的产品。公司专注于高端处理器的研发、设计与技术创新，掌握了高端处理器核心微结构设计、高端处理器SoC架构设计、处理器安全、处理器验证、高主频与低功耗处理器实现、高端芯片IP设计、先进工艺物理设计、先进封装设计、基础软件等关键技术。
寒武纪(688256)
公司自成立以来一直专注于人工智能芯片产品的研发与技术创新，致力于打造人工智能领域的核心处理器芯片，让机器更好地理解和服务人类。公司核心人员在处理器芯片和人工智能领域深耕十余年，带领公司研发了智能处理器指令集与微架构等一系列自主创新关键技术。
688***
公司是业界领先的集成电路设计公司，为全球仅有的3家内存接口芯片供应商之一。主要经营模式为Fabless模式，在该模式下企业仅需专注于从事产业链中的集成电路设计和营销环节，其余委托代工完成；由公司取得测试芯片成品销售给客户。公司的主营业务是为云计算和人工智能领域提提供以芯片为基础的解决方案，目前主要产品包括内存接口，津逮服务器CPU以及混合安全内存模组。
000***
公司是中国领先的云计算、大数据服务商，业务涵盖云数据中心、云服务大数据、智慧城市、智慧企业等产业群组，为全球多个国家和地区提供IT产品和服务，全方位满足政府与企业信息化需求。公司凭借高端服务器、海量存储、云操作系统、信息安全技术为客户打造领先的云计算基础架构平台，基于浪潮政务、企业、行业信息化软件、终端产品和解决方案，全面支撑智慧政府、企业云、垂直行业云建设。
300***
公司是在消费电子制造领域长期研究经验积累的基础上，通过聚焦消费电子产品智能化及音视频信息编解码技术应用的背景下逐步发展起来的，主要从事消费电子领域物联网智能终端和数据存储设备等产品的研发、生产和销售，并不断紧跟技术变革与市场的发展趋势，推出新产品。
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作者：于晓明 执业证书编号：A0680622030012
存储芯片产业再度迎来利好消息
9月20日，在2026世界制造业大会上，长鑫科技对外宣布第五代技术平台实现正式量产。
根据相关介绍，长鑫科技第五代工艺平台的存储密度获得大幅度提升，同等条件之下，单张晶圆的产出水平，对比上一代平台提升50%以上。依托该平台研发制造的24GBLPDDR5X产品已经开启正式量产，批量搭载至国内主流旗舰手机。
HBM是AI芯片关键内存组件 在AI芯片中扮演核心配套内存组件角色
HBM是AI芯片关键内存组件，具备高带宽、高能效比、低延时特性。HBM是基于2.5/3D先进封装技术实现的大容量、高带宽DDR组合阵列，由C-die核心芯片与B-die基础芯片两部分构成。其内部结构与传统内存不同，并非将内存芯片并排布置，而是利用TSV硅通孔和微凸块将多层DRAM裸片垂直堆叠键合，再与BaseDie连接，最后通过凸块与硅中阶层互联。凭借这一架构，HBM具备超高带宽、高能效比和低延时三大核心优势：HBM3E单堆栈带宽已达1.2TB/s，HBM4预计跃升至2.0TB/s；TSV技术使能耗较GDDR5降低约30-50%；3D堆叠设计使PCB占用面积仅为传统方案的1/3，超短互连距离则显著降低了信号传输延时。
HBM在AI芯片中扮演核心配套内存组件角色，其带宽与容量直接影响大模型的推理与训练效率。推理场景中若带宽不足，GPU将长时间处于等待状态。训练场景中，前向与反向传播所需数据均通过HBM流转，HBM的带宽与容量直接决定大规模模型的训练效率与可扩展性。以英伟达为例，从H200到最新的RubinGPU，单卡HBM配置在容量与型号上持续升级，RubinGPU已配备288GBHBM4；国产GPU厂商华为、阿里、寒武纪等当前单卡HBM配置以HBM3等为主，容量约为144GB至196GB。
国内CSP+主权AI投资景气度走高，对应较大HBM需求量，国内CSP算力采购扩张明显。2026Q2，腾讯资本开支达527.84亿元，同比增长176%，上半年累计847.20亿元，已超2025年全年792亿元规模；阿里资本支出达676.78亿元，同比增长75%，三年3800亿元AI基建计划截至6月季度末已累计投入1900亿元；字节正评估将2026年资本支出推至最高700亿美元（约4700亿元人民币），较2025年翻倍有余，此前2026年AI资本开支亦上修至逾2000亿元，新增投资集中投向数据中心扩容与AI基础设施。
国内主权AI投资景气度正处于投资规模量级跃升、国产化导向明确的阶段。政策端，工信部印发《信息通信行业发展“十五五”规划》，明确到2030年智能算力规模达9800EFLOPS，信息基础设施累计投资3.8万亿元。基于此，我们预测2027年寒武纪、海光信息、华为及其他出货量分别为55、45、290、260万颗，对应2027年等效24GBHBM3/3E需求量为330、270、1740、1560万颗，合计需求量达3900万颗。
2027年HBM供给紧张态势延续
2027年HBM供给紧张态势延续，国产HBM有望予以支撑。HBM核心供应商SK海力士、三星与美光已分配完60-70%的2027年HBM产能，且主要转向HBM4。扩产方面，三星计划到2026年末将HBM月产能提升至25万片晶圆（以12英寸计），较2025年末约17万片增长约47%，扩产主要为HBM4订单做准备；SK海力士HBM产能2025年底约为每月15万片，至2026年底增长至20万片。产品与客户结构上，三星三大客户为英伟达、AMD、博通，计划于2026年下半年对上述客户放量供货，且2026年下半年HBM4将占其HBM总收入的60%以上；SK海力士2026年HBM出货量中约三分之二分配给英伟达，计划上半年主力供应HBM3E，下半年起扩大HBM4供应量，并已与十家大客户签订长期供货协议。
HBM行业产业链解析
HBM高带宽存储器产业链分为上游设备材料、中游芯片制造与先进封装、下游算力应用三大环节。上游核心为12英寸DRAM硅片、TSV硅通孔设备、微凸点、中介层、塑封料与抛光耗材，TSV刻蚀、热压键合等高端设备与材料多由海外厂商把控，国内企业在CMP抛光、封装材料、封测设备等领域推进国产替代。中游是产业链核心，由三星、SK海力士、美光主导HBMDRAM晶圆制造与多层堆叠，台积电凭借CoWoS硅中介层实现HBM与GPU异构集成，长电科技等国内封测厂商布局HBM后段测试与封装。下游主要面向AIGPU厂商、云服务商与高性能计算场景，英伟达、AMD为核心芯片采购方，AI大模型训练、数据中心算力需求拉动HBM需求持续增长。整条产业链技术壁垒极高，DRAM晶圆制造与TSV堆叠工艺门槛最突出，国内机会集中在上游配套与先进封测环节。
HBM行业未来发展趋势
HBM高带宽存储器产业链分为上游设备材料、中游芯片制造与先进封装、下游算力应用三大环节。上游核心为12英寸DRAM硅片、TSV硅通孔设备、微凸点、中介层、塑封料与抛光耗材，TSV刻蚀、热压键合等高端设备与材料多由海外厂商把控，国内企业在CMP抛光、封装材料、封测设备等领域推进国产替代。中游是产业链核心，由三星、SK海力士、美光主导HBMDRAM晶圆制造与多层堆叠，台积电凭借CoWoS硅中介层实现HBM与GPU异构集成，长电科技等国内封测厂商布局HBM后段测试与封装。下游主要面向AIGPU厂商、云服务商与高性能计算场景，英伟达、AMD为核心芯片采购方，AI大模型训练、数据中心算力需求拉动HBM需求持续增长。整条产业链技术壁垒极高，DRAM晶圆制造与TSV堆叠工艺门槛最突出，国内机会集中在上游配套与先进封测环节。
AI算力建设持续拉动HBM需求上行
银河证券认为，AI算力建设持续拉动HBM需求上行，英伟达新一代RubinUltra平台单GPU搭载HBM容量提升至384GB，叠加AIASIC芯片出货放量，HBM需求将迎来新一轮跃升；预计HBM投片量占DRAM总投片比重由2025年18%提升至2027年30%，位元供给占比同步抬升，3D堆叠DRAM是破解内存墙的核心技术路线。
财通证券认为，HBM高景气周期延续，测算2025至2028年全球HBM容量需求复合增速约55.7%，到2028年HBM供给仍维持结构性偏紧格局；AI服务器是HBM核心需求来源，单台AI服务器HBM搭载量持续增长，算力资本开支扩容带动洁净室、晶圆制造、HBM封测、测试设备整条产业链需求增长。
相关公司介绍
海光信息(688041)
公司的主营业务是研发、设计和销售应用于服务器、工作站等计算、存储设备中的高端处理器。公司的产品包括海光通用处理器(CPU)和海光协处理器(DCU)。根据我国信息产业发展的实际需要，公司研发出了多款性能达到国际同类型主流高端处理器水平的产品。公司专注于高端处理器的研发、设计与技术创新，掌握了高端处理器核心微结构设计、高端处理器SoC架构设计、处理器安全、处理器验证、高主频与低功耗处理器实现、高端芯片IP设计、先进工艺物理设计、先进封装设计、基础软件等关键技术。
寒武纪(688256)
公司自成立以来一直专注于人工智能芯片产品的研发与技术创新，致力于打造人工智能领域的核心处理器芯片，让机器更好地理解和服务人类。公司核心人员在处理器芯片和人工智能领域深耕十余年，带领公司研发了智能处理器指令集与微架构等一系列自主创新关键技术。
688***
公司是业界领先的集成电路设计公司，为全球仅有的3家内存接口芯片供应商之一。主要经营模式为Fabless模式，在该模式下企业仅需专注于从事产业链中的集成电路设计和营销环节，其余委托代工完成；由公司取得测试芯片成品销售给客户。公司的主营业务是为云计算和人工智能领域提提供以芯片为基础的解决方案，目前主要产品包括内存接口，津逮服务器CPU以及混合安全内存模组。
000***
公司是中国领先的云计算、大数据服务商，业务涵盖云数据中心、云服务大数据、智慧城市、智慧企业等产业群组，为全球多个国家和地区提供IT产品和服务，全方位满足政府与企业信息化需求。公司凭借高端服务器、海量存储、云操作系统、信息安全技术为客户打造领先的云计算基础架构平台，基于浪潮政务、企业、行业信息化软件、终端产品和解决方案，全面支撑智慧政府、企业云、垂直行业云建设。
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公司是在消费电子制造领域长期研究经验积累的基础上，通过聚焦消费电子产品智能化及音视频信息编解码技术应用的背景下逐步发展起来的，主要从事消费电子领域物联网智能终端和数据存储设备等产品的研发、生产和销售，并不断紧跟技术变革与市场的发展趋势，推出新产品。
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作者：于晓明 执业证书编号：A0680622030012
