长鑫IPO，国产DRAM进入实质性扩产周期
长鑫科技7月16日开启新股申购。2026年5月27日，长鑫科技科创板IPO顺利通过上市委审议，本次上市拟募集资金295亿元，资金主要用于存量存储器晶圆产线智能化改造、DRAM核心工艺技术迭代升级及中长期前沿技术研发落地。本次大规模募资落地，并非单纯的企业融资动作，而是标志着国内DRAM产业正式从规划阶段，迈入产能落地、技术迭代同步推进的实质性扩产阶段。
从经营基本面来看，长鑫科技现有产能已充分释放，产能瓶颈凸显。2025年公司产能利用率高达95.73%，存量产线基本处于满负荷运转状态，依靠现有产能挖潜、提升设备利用率的增产空间已基本见底。后续企业产能释放、订单承接及市场份额提升，只能依靠产线改造、新型设备导入、先进工艺升级等方式实现，这也是本次大额募资落地的核心产业背景。
从产业链传导维度来看，长鑫本轮扩产将形成清晰的阶段性红利链条，各环节受益节奏存在显著差异。资金到位后，最先落地的是半导体设备招标采购；设备量产交付阶段，将带动腔体、阀件、真空系统、射频电源等核心零部件需求扩容；待新产线完成安装调试、进入规模化投片阶段，电子特气、湿电子化学品、CMP耗材、硅片等制程材料将迎来持续性复购需求。整体来看，设备、零部件、材料三大赛道依次受益，业绩兑现节奏分层明确，不存在同步兑现的情况。
全球DRAM产能结构重构，国产替代迎来窗口期
当前全球存储产业格局正迎来深度重构，海外三大存储原厂（三星、SK海力士、美光）持续加码资本开支，但投资重心全面向HBM、先进制程DRAM、高端封装等高附加值领域倾斜，不再盲目扩张通用型DRAM产能。这一战略调整，直接改变了全球传统存储产能的供给结构。
HBM产品对晶圆产能的消耗远高于常规存储产品，同等容量下HBM占用的晶圆产能是DDR5的2.5-3倍。随着AI服务器、数据中心算力建设持续爆发，全球HBM需求快速攀升，海外原厂持续提升HBM晶圆产能占比。据TrendForce统计及预测，三大原厂HBM晶圆投入占比将从2025年的18%，逐年提升至2026年22%、2027年30%。即便海外厂商未主动缩减通用DRAM产能，产能结构性倾斜也将持续挤压普通服务器、消费级DRAM的市场供给，为国内存储厂商腾出替代空间。
与此同时，存储行业需求结构彻底迭代，摆脱传统手机、电脑消费电子的单一依赖。AI服务器高带宽内存、大容量数据中心存储、企业级固态存储三大新兴需求，成为行业增长核心驱动力。这类高端存储产品制程更复杂、晶圆资源消耗更大，持续推高行业整体产能需求。机构预测，2026年全球DRAM与NAND Flash合计营收将达8893亿美元，2027年进一步攀升至1.28万亿美元，同比大增44%。行业营收增长包含量、价、产品结构多重因素，但海外厂商集体加码资本开支，足以印证当前产能无法匹配AI驱动的新增需求。
海外原厂资本开支大幅提速，但产能释放存在明显滞后性。美光2025财年资本开支138亿美元，2026财年预计突破250亿美元，同比增幅超80%；三星、SK海力士也持续上调半导体板块投资金额，重点布局HBM3E、HBM4及先进封装技术。由于晶圆厂建设、设备交付、工艺验证、良率爬坡周期较长，海外新增产能预计2027年后才能集中释放，短期全球存储供给偏紧格局难以逆转，为长鑫科技扩产、抢占市场份额提供了绝佳时间窗口。
募资投向与经营基本面：产能、技术双升级，扩产确定性充足
本次长鑫295亿元募资精准聚焦产能优化与技术迭代，资金分配清晰且针对性极强：75亿元用于存量晶圆量产线技术改造，盘活现有产线效能；130亿元用于DRAM核心产品与制造工艺升级，优化产品结构、切入中高端市场；90亿元用于前沿技术研发，夯实长期技术壁垒。整套募资规划兼顾短期产能释放、中期产品升级、长期技术储备，并非简单的产能扩张。
持续优化的经营业绩，为公司本轮扩产提供了坚实支撑。2023-2025年，长鑫科技营收复合增速高达160.78%，2025年实现营收617.99亿元，同比增长155%；业绩实现扭亏为盈，归母净利润达18.75亿元，毛利率从2023年的-2.19%大幅修复至41.02%，盈利质量显著改善。2026年一季度业绩持续爆发，单季营收508亿元、归母净利润247.62亿元，公司预计2026年上半年营收可达1100-1200亿元，归母净利润500-570亿元。
需要注意的是，存储行业具备强周期、高波动属性，价格、产能利用率、产品结构均会大幅影响盈利水平，短期高增速不可直接线性外推。但核心积极信号在于，公司产能利用率已触顶、经营现金流持续改善，具备规模化扩产的经营基础与市场需求支撑。
从历史资本开支来看，2023-2025年长鑫累计投入超1600亿元，持续的资本投入推动产能利用率从87.06%提升至95.73%，产能天花板清晰显现。本次IPO募资精准衔接下一阶段扩产与技术升级需求，是公司突破产能瓶颈、缩小与海外大厂差距的关键抓手。
产能差距与落地节奏：设备招标启动，产业链红利正式释放
目前长鑫与海外三大存储原厂仍存在显著产能差距。2025年三星、SK海力士、美光12英寸晶圆年产能合计1716万片，而长鑫年产能仅273万片，分别为美光的76%、三星的36%。随着本轮扩产落地，产能差距将快速收窄，机构预测2026年长鑫月产能将提升至35万片，年化产能约420万片，基本追平美光同期产能水平。远期来看，伴随合肥厂区满产、上海厂区二期项目落地，2028年长鑫月产能有望突破50万片，全球DRAM市占率有望从2025年的11%提升至17%，同时实现月产10万片HBM产能，抢占全球高端存储市场份额。
远期产能规划依赖建设、设备、良率、验证等多重环节落地，现阶段最具确定性的利好来自实质性扩产动作落地。2026年二季度，长鑫已正式启动设备招投标工作，全年计划新增晶圆产能5-6万片，对应设备采购规模约50-60亿美元。按照行业规律，设备投入占晶圆产线总投资的70%-80%，是扩产落地的核心先行环节。
从兑现节奏来看，半导体设备是本轮扩产最早受益的赛道。刻蚀、薄膜沉积、光刻、清洗、
CMP等核心设备是新产线搭建的基础，无设备交付则无法完成产线调试与投片。设备企业的订单与业绩兑现，核心取决于产品客户验证进度、批量采购规模、交付验收节奏，募资金额仅为参考指标，落地订单才是核心依据。
核心设备赛道解析：刻蚀、薄膜沉积优先受益，国产化进程提速
本轮DRAM扩产不仅是产能规模的扩张，更是制程精度、工艺复杂度的全面升级，单条产线对高端设备的配置比例持续提升。制程微缩、结构复杂化，对刻蚀、薄膜沉积两大核心设备的精度、均匀性、稳定性提出更高要求。
刻蚀设备主要负责晶圆电路图形转移，先进DRAM制程需要加工更深、更窄的沟槽与微孔，对刻蚀深度、角度、均匀性管控精度大幅提升，直接决定晶圆良率与产品性能。薄膜沉积设备用于构建晶圆表层介质、金属及阻挡层，工艺步骤增加、膜层叠加复杂，对薄膜均匀性、结构覆盖度、缺陷控制能力要求严苛。本轮扩产兼具增量装机与存量升级双重需求，因此刻蚀、薄膜沉积设备将率先迎来订单释放。
国内头部设备厂商已形成成熟产品矩阵，深度适配本轮扩产需求。
除核心设备外，CMP、清洗设备同步受益于工艺步骤增加。DRAM制程迭代带动晶圆平坦化、洁净处理频次提升，新增产线直接拉动设备装机需求。华海清科聚焦CMP抛光设备，盛美上海、至纯科技布局半导体清洗设备，均已进入存储产线供应链。相对而言，涂胶显影、高端量测、离子注入设备国产化率偏低，多数产品仍处于客户验证阶段，短期订单确定性较弱，但长期替代空间广阔。
中游零部件：跟随设备扩产传导，备货+替换双需求释放
半导体设备订单落地后，将快速向上游零部件环节传导。半导体设备长期处于真空、高温、等离子体等严苛工况，腔体、阀件、真空系统、射频电源、温控模组、晶圆传输部件等核心配件，对加工精度、材料纯度、密封性、批次一致性要求极高，需经过长期客户验证方可批量导入。
零部件行业呈现两大核心增长逻辑：一是新增设备装机需求，整机厂为保障交付效率，会提前备货核心零部件，行业采购增速或阶段性高于整机出货增速；二是存量设备运维替换需求，腔体衬里、密封件、气体分配盘等易损部件需要定期更换，已投产产线将持续贡献复购订单。
目前国内优质零部件企业已深度绑定头部设备厂商，进入核心供应链体系。富创精密、先锋精科主打精密腔体与结构模组；新莱应材布局高纯流体管路与真空阀件；英杰电气、恒运昌配套射频电源及匹配器；中科仪、汉钟精机聚焦真空泵设备。零部件企业业绩兑现的核心，在于是否通过终端验证、进入批量供货体系，仅技术布局尚未落地验证的企业，短期难以兑现订单增量。
上游材料耗材：后置受益，长期具备持续复购属性
半导体材料是扩产链条的最后受益环节，业绩兑现节奏显著滞后于设备、零部件。晶圆厂完成设备安装调试、工艺验证后，进入规模化投片阶段，电子特气、湿电子化学品、CMP耗材、高纯靶材、硅片等材料才会形成持续性消耗。不同于设备的一次性固定资产投入，制程材料具备高频复购、持续消耗的属性，长期成长确定性更强。
从国产化现状来看，国内半导体材料替代空间巨大，但验证壁垒极高。2025年国内湿电子化学品国产化率约50%，而电子特气市场仍由海外四大巨头垄断，合计市占率达86%；高端光刻胶、先进制程特气等核心材料依旧高度依赖进口。存储制程对材料批次稳定性、纯度精度要求严苛，材料替换可能影响整条产线良率，因此客户验证周期长、导入门槛高。
国内头部材料企业已实现阶段性突破，部分产品完成产业化落地。
沪硅产业300mm硅片产能持续释放，覆盖存储、逻辑芯片领域；
彤程新材光刻胶产品可适配8-12英寸产线需求；
300***氧化铈CMP抛光液通过头部存储厂商全流程验证，实现批量供货；
002***可同步覆盖刻蚀、薄膜沉积、热处理等多环节设备，形成一体化配套能力。
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作者：于晓明 执业证书编号：A0680622030012
长鑫IPO，国产DRAM进入实质性扩产周期
长鑫科技7月16日开启新股申购。2026年5月27日，长鑫科技科创板IPO顺利通过上市委审议，本次上市拟募集资金295亿元，资金主要用于存量存储器晶圆产线智能化改造、DRAM核心工艺技术迭代升级及中长期前沿技术研发落地。本次大规模募资落地，并非单纯的企业融资动作，而是标志着国内DRAM产业正式从规划阶段，迈入产能落地、技术迭代同步推进的实质性扩产阶段。
从经营基本面来看，长鑫科技现有产能已充分释放，产能瓶颈凸显。2025年公司产能利用率高达95.73%，存量产线基本处于满负荷运转状态，依靠现有产能挖潜、提升设备利用率的增产空间已基本见底。后续企业产能释放、订单承接及市场份额提升，只能依靠产线改造、新型设备导入、先进工艺升级等方式实现，这也是本次大额募资落地的核心产业背景。
从产业链传导维度来看，长鑫本轮扩产将形成清晰的阶段性红利链条，各环节受益节奏存在显著差异。资金到位后，最先落地的是半导体设备招标采购；设备量产交付阶段，将带动腔体、阀件、真空系统、射频电源等核心零部件需求扩容；待新产线完成安装调试、进入规模化投片阶段，电子特气、湿电子化学品、CMP耗材、硅片等制程材料将迎来持续性复购需求。整体来看，设备、零部件、材料三大赛道依次受益，业绩兑现节奏分层明确，不存在同步兑现的情况。
全球DRAM产能结构重构，国产替代迎来窗口期
当前全球存储产业格局正迎来深度重构，海外三大存储原厂（三星、SK海力士、美光）持续加码资本开支，但投资重心全面向HBM、先进制程DRAM、高端封装等高附加值领域倾斜，不再盲目扩张通用型DRAM产能。这一战略调整，直接改变了全球传统存储产能的供给结构。
HBM产品对晶圆产能的消耗远高于常规存储产品，同等容量下HBM占用的晶圆产能是DDR5的2.5-3倍。随着AI服务器、数据中心算力建设持续爆发，全球HBM需求快速攀升，海外原厂持续提升HBM晶圆产能占比。据TrendForce统计及预测，三大原厂HBM晶圆投入占比将从2025年的18%，逐年提升至2026年22%、2027年30%。即便海外厂商未主动缩减通用DRAM产能，产能结构性倾斜也将持续挤压普通服务器、消费级DRAM的市场供给，为国内存储厂商腾出替代空间。
与此同时，存储行业需求结构彻底迭代，摆脱传统手机、电脑消费电子的单一依赖。AI服务器高带宽内存、大容量数据中心存储、企业级固态存储三大新兴需求，成为行业增长核心驱动力。这类高端存储产品制程更复杂、晶圆资源消耗更大，持续推高行业整体产能需求。机构预测，2026年全球DRAM与NAND Flash合计营收将达8893亿美元，2027年进一步攀升至1.28万亿美元，同比大增44%。行业营收增长包含量、价、产品结构多重因素，但海外厂商集体加码资本开支，足以印证当前产能无法匹配AI驱动的新增需求。
海外原厂资本开支大幅提速，但产能释放存在明显滞后性。美光2025财年资本开支138亿美元，2026财年预计突破250亿美元，同比增幅超80%；三星、SK海力士也持续上调半导体板块投资金额，重点布局HBM3E、HBM4及先进封装技术。由于晶圆厂建设、设备交付、工艺验证、良率爬坡周期较长，海外新增产能预计2027年后才能集中释放，短期全球存储供给偏紧格局难以逆转，为长鑫科技扩产、抢占市场份额提供了绝佳时间窗口。
募资投向与经营基本面：产能、技术双升级，扩产确定性充足
本次长鑫295亿元募资精准聚焦产能优化与技术迭代，资金分配清晰且针对性极强：75亿元用于存量晶圆量产线技术改造，盘活现有产线效能；130亿元用于DRAM核心产品与制造工艺升级，优化产品结构、切入中高端市场；90亿元用于前沿技术研发，夯实长期技术壁垒。整套募资规划兼顾短期产能释放、中期产品升级、长期技术储备，并非简单的产能扩张。
持续优化的经营业绩，为公司本轮扩产提供了坚实支撑。2023-2025年，长鑫科技营收复合增速高达160.78%，2025年实现营收617.99亿元，同比增长155%；业绩实现扭亏为盈，归母净利润达18.75亿元，毛利率从2023年的-2.19%大幅修复至41.02%，盈利质量显著改善。2026年一季度业绩持续爆发，单季营收508亿元、归母净利润247.62亿元，公司预计2026年上半年营收可达1100-1200亿元，归母净利润500-570亿元。
需要注意的是，存储行业具备强周期、高波动属性，价格、产能利用率、产品结构均会大幅影响盈利水平，短期高增速不可直接线性外推。但核心积极信号在于，公司产能利用率已触顶、经营现金流持续改善，具备规模化扩产的经营基础与市场需求支撑。
从历史资本开支来看，2023-2025年长鑫累计投入超1600亿元，持续的资本投入推动产能利用率从87.06%提升至95.73%，产能天花板清晰显现。本次IPO募资精准衔接下一阶段扩产与技术升级需求，是公司突破产能瓶颈、缩小与海外大厂差距的关键抓手。
产能差距与落地节奏：设备招标启动，产业链红利正式释放
目前长鑫与海外三大存储原厂仍存在显著产能差距。2025年三星、SK海力士、美光12英寸晶圆年产能合计1716万片，而长鑫年产能仅273万片，分别为美光的76%、三星的36%。随着本轮扩产落地，产能差距将快速收窄，机构预测2026年长鑫月产能将提升至35万片，年化产能约420万片，基本追平美光同期产能水平。远期来看，伴随合肥厂区满产、上海厂区二期项目落地，2028年长鑫月产能有望突破50万片，全球DRAM市占率有望从2025年的11%提升至17%，同时实现月产10万片HBM产能，抢占全球高端存储市场份额。
远期产能规划依赖建设、设备、良率、验证等多重环节落地，现阶段最具确定性的利好来自实质性扩产动作落地。2026年二季度，长鑫已正式启动设备招投标工作，全年计划新增晶圆产能5-6万片，对应设备采购规模约50-60亿美元。按照行业规律，设备投入占晶圆产线总投资的70%-80%，是扩产落地的核心先行环节。
从兑现节奏来看，半导体设备是本轮扩产最早受益的赛道。刻蚀、薄膜沉积、光刻、清洗、
CMP等核心设备是新产线搭建的基础，无设备交付则无法完成产线调试与投片。设备企业的订单与业绩兑现，核心取决于产品客户验证进度、批量采购规模、交付验收节奏，募资金额仅为参考指标，落地订单才是核心依据。
核心设备赛道解析：刻蚀、薄膜沉积优先受益，国产化进程提速
本轮DRAM扩产不仅是产能规模的扩张，更是制程精度、工艺复杂度的全面升级，单条产线对高端设备的配置比例持续提升。制程微缩、结构复杂化，对刻蚀、薄膜沉积两大核心设备的精度、均匀性、稳定性提出更高要求。
刻蚀设备主要负责晶圆电路图形转移，先进DRAM制程需要加工更深、更窄的沟槽与微孔，对刻蚀深度、角度、均匀性管控精度大幅提升，直接决定晶圆良率与产品性能。薄膜沉积设备用于构建晶圆表层介质、金属及阻挡层，工艺步骤增加、膜层叠加复杂，对薄膜均匀性、结构覆盖度、缺陷控制能力要求严苛。本轮扩产兼具增量装机与存量升级双重需求，因此刻蚀、薄膜沉积设备将率先迎来订单释放。
国内头部设备厂商已形成成熟产品矩阵，深度适配本轮扩产需求。
除核心设备外，CMP、清洗设备同步受益于工艺步骤增加。DRAM制程迭代带动晶圆平坦化、洁净处理频次提升，新增产线直接拉动设备装机需求。华海清科聚焦CMP抛光设备，盛美上海、至纯科技布局半导体清洗设备，均已进入存储产线供应链。相对而言，涂胶显影、高端量测、离子注入设备国产化率偏低，多数产品仍处于客户验证阶段，短期订单确定性较弱，但长期替代空间广阔。
中游零部件：跟随设备扩产传导，备货+替换双需求释放
半导体设备订单落地后，将快速向上游零部件环节传导。半导体设备长期处于真空、高温、等离子体等严苛工况，腔体、阀件、真空系统、射频电源、温控模组、晶圆传输部件等核心配件，对加工精度、材料纯度、密封性、批次一致性要求极高，需经过长期客户验证方可批量导入。
零部件行业呈现两大核心增长逻辑：一是新增设备装机需求，整机厂为保障交付效率，会提前备货核心零部件，行业采购增速或阶段性高于整机出货增速；二是存量设备运维替换需求，腔体衬里、密封件、气体分配盘等易损部件需要定期更换，已投产产线将持续贡献复购订单。
目前国内优质零部件企业已深度绑定头部设备厂商，进入核心供应链体系。富创精密、先锋精科主打精密腔体与结构模组；新莱应材布局高纯流体管路与真空阀件；英杰电气、恒运昌配套射频电源及匹配器；中科仪、汉钟精机聚焦真空泵设备。零部件企业业绩兑现的核心，在于是否通过终端验证、进入批量供货体系，仅技术布局尚未落地验证的企业，短期难以兑现订单增量。
上游材料耗材：后置受益，长期具备持续复购属性
半导体材料是扩产链条的最后受益环节，业绩兑现节奏显著滞后于设备、零部件。晶圆厂完成设备安装调试、工艺验证后，进入规模化投片阶段，电子特气、湿电子化学品、CMP耗材、高纯靶材、硅片等材料才会形成持续性消耗。不同于设备的一次性固定资产投入，制程材料具备高频复购、持续消耗的属性，长期成长确定性更强。
从国产化现状来看，国内半导体材料替代空间巨大，但验证壁垒极高。2025年国内湿电子化学品国产化率约50%，而电子特气市场仍由海外四大巨头垄断，合计市占率达86%；高端光刻胶、先进制程特气等核心材料依旧高度依赖进口。存储制程对材料批次稳定性、纯度精度要求严苛，材料替换可能影响整条产线良率，因此客户验证周期长、导入门槛高。
国内头部材料企业已实现阶段性突破，部分产品完成产业化落地。
沪硅产业300mm硅片产能持续释放，覆盖存储、逻辑芯片领域；
彤程新材光刻胶产品可适配8-12英寸产线需求；
300***氧化铈CMP抛光液通过头部存储厂商全流程验证，实现批量供货；
002***可同步覆盖刻蚀、薄膜沉积、热处理等多环节设备，形成一体化配套能力。
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作者：于晓明 执业证书编号：A0680622030012
