来源：小财米
6月12日，证监会发布公告，正式批复同意长鑫科技集团股份有限公司（以下简称长鑫科技）首次公开发行股票注册。公司用十年时间打破了全球DRAM市场“三巨头”的垄断局面，现在终于站在了A股市场的门前。长鑫科技从2025年12月30日获上交所受理，到2026年5月27日过会，再到6月12日注册批文落地，历时不足半年，进一步说明符合国家政策的企业IPO发行节奏显著加快。
此次IPO，长鑫科技295亿元的拟募资规模，不仅是今年以来A股最大规模的IPO，也创下了科创板IPO拟募资额的历史之最——仅次于中芯国际。但比募资数字更值得关注的，是这家公司从巨额亏损到季度净利超247亿元的戏剧性反转，以及它所站立的DRAM赛道正在经历的百年未有之变局。
从“从0到1”到全球第四，十年跑完别人三十年的路
长鑫科技做的事，用一句话可以概括：设计、制造、销售DRAM芯片——也就是电脑、手机、服务器里那个决定“快不快”的核心部件。
2016年成立时，全球DRAM市场已经被三星、SK海力士、美光三家巨头垄断了超过20年，合计份额超过90%。中国大陆在这个领域的自给率几乎是零。长鑫科技采取“跳代研发”的策略，不做低端、不做落后制程，直接瞄准主流产品。2019年，公司推出自主设计生产的8Gb DDR4产品，实现了中国大陆DRAM产业“从0到1”的突破。此后，技术迭代不断加速——DDR5、LPDDR5/5X等核心产品陆续量产。目前，公司在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂。
根据Omdia的数据，按产能、出货量和销售额统计，长鑫科技已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。按2025年第四季度DRAM销售额统计，其全球市场份额已增至7.67%。到2026年一季度，市场份额进一步攀升至8%至10%左右。从零到接近10%的市场份额，长鑫科技用了不到十年。
业绩“过山车”：从亏71亿到季赚247亿
2022年至2024年，长鑫科技营收从82.87亿元增长至241.78亿元，复合增长率高达72.04%，但净利润始终未能摆脱亏损。2024年，归母净利润为-71.45亿元。转折点发生在2025年，公司全年实现营业收入617.99亿元，同比增长155.62%，归母净利润18.75亿元，成功实现扭亏为盈。主营业务毛利率提升至41.02%。
进入2026年，业绩彻底爆发。长鑫科技一季度实现营业收入508亿元，同比增长719.13%；归母净利润247.62亿元，同比增长1688.30%。单季净利润超过2025年全年的13倍。经营性现金流净额425.66亿元。公司预计2026年上半年营业收入1100亿元至1200亿元，归母净利润500亿元至570亿元。
这些数字放在一起，勾勒出一条近乎垂直的增长曲线。但这条曲线背后的驱动力，与其说是公司自身经营能力的跨越式提升，不如说是它踩中了DRAM行业有史以来最大的一轮超级周期。
DRAM行业的“范式革命”：AI如何重构存储逻辑
要理解长鑫科技，必须站在整个DRAM行业的宏观图景中来审视。2025年，全球DRAM市场收入达到1657亿美元，同比增长73%，显著超过同期NAND闪存的697亿美元。TrendForce预测，存储器市场规模将从2025年的约2200亿美元跃升至2026年的约8900亿美元。根据摩根士丹利的报告，这约6700亿美元的增量，已超过智能手机、个人电脑或服务器任一单一市场的整体规模。
驱动这轮暴涨的力量，不是消费电子的周期复苏，而是AI算力的结构性需求爆发。HBM（高带宽内存）成为AI服务器的核心元件，每个可用位元消耗的晶圆产能是传统DRAM的三到四倍。SK海力士明确释放信号：HBM产能2026年已售罄，全行业受制于洁净室物理空间，供应增长被锁死。
供给端的约束同样严峻。三大DRAM制造商掌控约90%的DRAM供应及几乎全部HBM产能，并将先进制程晶圆优先导向高利润的AI及服务器DRAM。受EUV光刻设备及晶圆产能限制，位元供应量每年仅增长约30%，而营收却增长了约四倍。2026年虽然海外三大原厂资本开支同比大幅增长，但实际新增有效产能有限，大部分要到2027下半年才开始逐步释放。据宇瞻数据，2026年DRAM供需缺口约8%，行业紧缺状态预计将延续至2027年。瑞银最新研报认为，DRAM行业供不应求至少要持续到2028年第二季度。
高盛将2026年、2027年、2028年的HBM总可及市场预测分别上调至560亿美元、1160亿美元和1680亿美元。三星电子的传统DRAM平均售价在2026年和2027年预计将分别同比增长326%和27%。
这种“结构性短缺+价格暴涨”的范式，正在从根本上改写DRAM行业的竞争规则。而对于刚刚跻身全球第四的长鑫科技来说，这轮超级周期既是前所未有的机遇，也埋下了不容忽视的风险。
技术前沿：DRAM的下一个十年往哪走
在产能和价格之外，DRAM行业的技术竞赛同样在加速推进。行业正处在从“2D微缩”向“3D堆叠”转型的关键路口。
在2026年VLSI研讨会上，三星将展示其16层垂直堆叠DRAM方案，采用GAA晶体管和水平放置的存储电容器。SK海力士则选择了4F²架构路线。英特尔联合力积电等推进Z-Angle Memory（ZAM）技术，采用“一体化硅通孔”结构，在9层定制DRAM晶圆堆叠中，将数据移动能耗降至0.7pJ/bit以下。每层内存采用约3μm超薄硅基底。该架构的目标是将数据传输带宽提升至约0.25 Tb/s/mm²，同时将数据传输功耗控制在0.35 W/mm²以下。
在更基础的层面，湖南大学半导体学院团队在氧化物2T0C DRAM领域取得新进展，实现了105秒的数据保持时间、5纳秒的写入速度、10¹²次循环的耐久性以及3比特的多级存储能力。这些成果为高性能、低功耗、高密度嵌入式存储器的开发提供了新的技术路径。
对于长鑫科技而言，技术迭代的加速意味着双重含义：一方面，追赶窗口仍然打开——3D DRAM等新架构的兴起，某种程度上拉平了与传统巨头在2D制程上的积累差距；另一方面，技术路线的选择容错空间极小——一旦押错方向，代价可能是数百亿级的沉没成本。
机遇与挑战：站在超级周期上的长鑫科技
长鑫科技面临的发展机遇主要有以下几点：
第一，超级周期的业绩弹性。在DRAM供需缺口持续、价格高位运行的背景下，长鑫科技作为全球第四大DRAM厂商，是这轮涨价最直接的受益方。2026年一季度净利润247.62亿元的数据已经证明了这种弹性。
第二，国产替代的不可逆趋势。中国虽然是全球最大的DRAM消费市场之一，但本土品牌DRAM产品的自给率仍然很低。在地缘政治持续博弈的背景下，下游客户对国产DRAM的采购意愿正在从“可选项”变成“必选项”。长鑫科技是国内唯一实现DRAM规模化量产的IDM企业，这种稀缺性本身就是最宽的护城河。
第三，资本加持下的产能与技术扩张。295亿元募资中，130亿元投向DRAM存储器技术升级，75亿元投向存储器晶圆制造量产线技术升级改造，90亿元投向动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发。全部用于技术升级和研发，旨在进一步缩小与全球巨头的差距。在“两存”扩产的时代背景下，长鑫科技的上市及募资落地有望大力支撑后续产能扩张。
在DRAM这个被三巨头垄断了数十年的赛道上，长鑫科技用十年时间完成了从“零”到“全球第四”的跨越。它的崛起，是中国半导体产业从“被动防守”走向“主动出击”最鲜明的注脚之一。但DRAM行业从来不相信“一劳永逸”——三星、SK海力士、美光在过去三十年里，经历的周期起伏和技术迭代，远比任何一家新进入者所能想象的更为剧烈。
长鑫科技站在了有史以来最大的存储超级周期之上。2026年一季度247亿元的净利润，是周期的馈赠，也是对公司过去十年技术积累的回报。但周期的馈赠从来不是免费的——它要求企业在顺境中为逆境储备足够的缓冲。295亿元的募资，最终能转化为多少技术壁垒和产能优势，决定着长鑫科技在下一次周期拐点到来时，是站稳脚跟还是被浪潮吞没。
原文标题 : 长鑫科技科创板获注册：295亿募资刷新纪录
来源：小财米
6月12日，证监会发布公告，正式批复同意长鑫科技集团股份有限公司（以下简称长鑫科技）首次公开发行股票注册。公司用十年时间打破了全球DRAM市场“三巨头”的垄断局面，现在终于站在了A股市场的门前。长鑫科技从2025年12月30日获上交所受理，到2026年5月27日过会，再到6月12日注册批文落地，历时不足半年，进一步说明符合国家政策的企业IPO发行节奏显著加快。
此次IPO，长鑫科技295亿元的拟募资规模，不仅是今年以来A股最大规模的IPO，也创下了科创板IPO拟募资额的历史之最——仅次于中芯国际。但比募资数字更值得关注的，是这家公司从巨额亏损到季度净利超247亿元的戏剧性反转，以及它所站立的DRAM赛道正在经历的百年未有之变局。
从“从0到1”到全球第四，十年跑完别人三十年的路
长鑫科技做的事，用一句话可以概括：设计、制造、销售DRAM芯片——也就是电脑、手机、服务器里那个决定“快不快”的核心部件。
2016年成立时，全球DRAM市场已经被三星、SK海力士、美光三家巨头垄断了超过20年，合计份额超过90%。中国大陆在这个领域的自给率几乎是零。长鑫科技采取“跳代研发”的策略，不做低端、不做落后制程，直接瞄准主流产品。2019年，公司推出自主设计生产的8Gb DDR4产品，实现了中国大陆DRAM产业“从0到1”的突破。此后，技术迭代不断加速——DDR5、LPDDR5/5X等核心产品陆续量产。目前，公司在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂。
根据Omdia的数据，按产能、出货量和销售额统计，长鑫科技已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。按2025年第四季度DRAM销售额统计，其全球市场份额已增至7.67%。到2026年一季度，市场份额进一步攀升至8%至10%左右。从零到接近10%的市场份额，长鑫科技用了不到十年。
业绩“过山车”：从亏71亿到季赚247亿
2022年至2024年，长鑫科技营收从82.87亿元增长至241.78亿元，复合增长率高达72.04%，但净利润始终未能摆脱亏损。2024年，归母净利润为-71.45亿元。转折点发生在2025年，公司全年实现营业收入617.99亿元，同比增长155.62%，归母净利润18.75亿元，成功实现扭亏为盈。主营业务毛利率提升至41.02%。
进入2026年，业绩彻底爆发。长鑫科技一季度实现营业收入508亿元，同比增长719.13%；归母净利润247.62亿元，同比增长1688.30%。单季净利润超过2025年全年的13倍。经营性现金流净额425.66亿元。公司预计2026年上半年营业收入1100亿元至1200亿元，归母净利润500亿元至570亿元。
这些数字放在一起，勾勒出一条近乎垂直的增长曲线。但这条曲线背后的驱动力，与其说是公司自身经营能力的跨越式提升，不如说是它踩中了DRAM行业有史以来最大的一轮超级周期。
DRAM行业的“范式革命”：AI如何重构存储逻辑
要理解长鑫科技，必须站在整个DRAM行业的宏观图景中来审视。2025年，全球DRAM市场收入达到1657亿美元，同比增长73%，显著超过同期NAND闪存的697亿美元。TrendForce预测，存储器市场规模将从2025年的约2200亿美元跃升至2026年的约8900亿美元。根据摩根士丹利的报告，这约6700亿美元的增量，已超过智能手机、个人电脑或服务器任一单一市场的整体规模。
驱动这轮暴涨的力量，不是消费电子的周期复苏，而是AI算力的结构性需求爆发。HBM（高带宽内存）成为AI服务器的核心元件，每个可用位元消耗的晶圆产能是传统DRAM的三到四倍。SK海力士明确释放信号：HBM产能2026年已售罄，全行业受制于洁净室物理空间，供应增长被锁死。
供给端的约束同样严峻。三大DRAM制造商掌控约90%的DRAM供应及几乎全部HBM产能，并将先进制程晶圆优先导向高利润的AI及服务器DRAM。受EUV光刻设备及晶圆产能限制，位元供应量每年仅增长约30%，而营收却增长了约四倍。2026年虽然海外三大原厂资本开支同比大幅增长，但实际新增有效产能有限，大部分要到2027下半年才开始逐步释放。据宇瞻数据，2026年DRAM供需缺口约8%，行业紧缺状态预计将延续至2027年。瑞银最新研报认为，DRAM行业供不应求至少要持续到2028年第二季度。
高盛将2026年、2027年、2028年的HBM总可及市场预测分别上调至560亿美元、1160亿美元和1680亿美元。三星电子的传统DRAM平均售价在2026年和2027年预计将分别同比增长326%和27%。
这种“结构性短缺+价格暴涨”的范式，正在从根本上改写DRAM行业的竞争规则。而对于刚刚跻身全球第四的长鑫科技来说，这轮超级周期既是前所未有的机遇，也埋下了不容忽视的风险。
技术前沿：DRAM的下一个十年往哪走
在产能和价格之外，DRAM行业的技术竞赛同样在加速推进。行业正处在从“2D微缩”向“3D堆叠”转型的关键路口。
在2026年VLSI研讨会上，三星将展示其16层垂直堆叠DRAM方案，采用GAA晶体管和水平放置的存储电容器。SK海力士则选择了4F²架构路线。英特尔联合力积电等推进Z-Angle Memory（ZAM）技术，采用“一体化硅通孔”结构，在9层定制DRAM晶圆堆叠中，将数据移动能耗降至0.7pJ/bit以下。每层内存采用约3μm超薄硅基底。该架构的目标是将数据传输带宽提升至约0.25 Tb/s/mm²，同时将数据传输功耗控制在0.35 W/mm²以下。
在更基础的层面，湖南大学半导体学院团队在氧化物2T0C DRAM领域取得新进展，实现了105秒的数据保持时间、5纳秒的写入速度、10¹²次循环的耐久性以及3比特的多级存储能力。这些成果为高性能、低功耗、高密度嵌入式存储器的开发提供了新的技术路径。
对于长鑫科技而言，技术迭代的加速意味着双重含义：一方面，追赶窗口仍然打开——3D DRAM等新架构的兴起，某种程度上拉平了与传统巨头在2D制程上的积累差距；另一方面，技术路线的选择容错空间极小——一旦押错方向，代价可能是数百亿级的沉没成本。
机遇与挑战：站在超级周期上的长鑫科技
长鑫科技面临的发展机遇主要有以下几点：
第一，超级周期的业绩弹性。在DRAM供需缺口持续、价格高位运行的背景下，长鑫科技作为全球第四大DRAM厂商，是这轮涨价最直接的受益方。2026年一季度净利润247.62亿元的数据已经证明了这种弹性。
第二，国产替代的不可逆趋势。中国虽然是全球最大的DRAM消费市场之一，但本土品牌DRAM产品的自给率仍然很低。在地缘政治持续博弈的背景下，下游客户对国产DRAM的采购意愿正在从“可选项”变成“必选项”。长鑫科技是国内唯一实现DRAM规模化量产的IDM企业，这种稀缺性本身就是最宽的护城河。
第三，资本加持下的产能与技术扩张。295亿元募资中，130亿元投向DRAM存储器技术升级，75亿元投向存储器晶圆制造量产线技术升级改造，90亿元投向动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发。全部用于技术升级和研发，旨在进一步缩小与全球巨头的差距。在“两存”扩产的时代背景下，长鑫科技的上市及募资落地有望大力支撑后续产能扩张。
在DRAM这个被三巨头垄断了数十年的赛道上，长鑫科技用十年时间完成了从“零”到“全球第四”的跨越。它的崛起，是中国半导体产业从“被动防守”走向“主动出击”最鲜明的注脚之一。但DRAM行业从来不相信“一劳永逸”——三星、SK海力士、美光在过去三十年里，经历的周期起伏和技术迭代，远比任何一家新进入者所能想象的更为剧烈。
长鑫科技站在了有史以来最大的存储超级周期之上。2026年一季度247亿元的净利润，是周期的馈赠，也是对公司过去十年技术积累的回报。但周期的馈赠从来不是免费的——它要求企业在顺境中为逆境储备足够的缓冲。295亿元的募资，最终能转化为多少技术壁垒和产能优势，决定着长鑫科技在下一次周期拐点到来时，是站稳脚跟还是被浪潮吞没。
原文标题 : 长鑫科技科创板获注册：295亿募资刷新纪录
