硅光子行业发展背景与市场空间
AI网络带宽持续升级，传统交换机前板可插拔光模块方案，在传输速率、集成密度与可靠性方面已逼近物理极限。为突破现有技术瓶颈，光电共封装（CPO）成为超算高密度互连的确定性发展趋势，通过将光引擎与交换芯片共基板封装，实现极致能效与低时延传输优势。本次梳理围绕全球硅光子产业链发展拐点，结合最新出货数据、技术指标，系统整理代工、封测、系统器件等环节的产业进展与企业布局方向。
全球硅光子产业迎来规模化落地契机，过往行业以常规工艺实现光电器件集成，长期处于小批量定制化研发阶段，缺乏大规模商用场景。随着2026年6月以太网硅光技术正式量产，行业预计2027年迎来硅光CPO技术全行业规模化部署。根据2026年4月行业机构预测，1.6T高速硅光产品市场预期大幅上调，2027年全球市场规模有望突破50亿美元，2030年进一步增长至150亿美元。
从出货节奏来看，行业即将迎来需求集中爆发。2023至2026年为技术导入期，1.6T产品基本无规模化出货；2027年行业正式进入放量阶段，出货预期持续上调。其中2029年1.6T产品出货量从此前约200万个上调至900万个，2031年出货量从约500万个上调至1300万个，下游高增长需求将全面带动硅光子从底层材料到系统模块的全产业链景气上行。
硅光子四层完整产业链架构
硅光子产业链层级清晰，整体分为材料、器件、封测、系统四大核心层级，覆盖从上游原材料到下游终端模组的完整链条。底层为材料层，主要包含热界面材料、底部填充材料、积层膜、玻璃芯基板、紫外胶等核心配套材料。第二层为有源、无源器件层，涵盖散热部件、波导、光纤、超构透镜等光学部件，以及激光源、光纤阵列等核心器件。第三层为代工制造与封测层，包含光学封装平台、电芯片测试、光芯片测试、光学耦合等核心工艺环节。最上层为系统模块层，主要由光引擎、交换机芯片模组构成，是产业价值落地的核心载体。
英伟达第二代共封装交换机系统于2026年6月完成量产，计划2026年下半年正式上市，依托中国台湾地区半导体及系统企业协同实现产业化交付。其中台积电提供先进光学制造技术，完成芯片工艺设计与量产转化；日月光负责芯片级封装、组装与测试，以微米级精度整合光电组件；天孚通信承担激光芯片模组封装，保障产品可靠性；富士康负责整机系统组装，集成形成完整机架式网络平台。
CPO技术彻底重构传统光模块价值分布。传统可插拔光模块价值集中在数字信号处理器、光芯片、封装测试环节；CPO时代下，由光子集成电路、电子集成电路集成设计而成的光引擎，成为产业链价值占比最高的环节。目前外置光源仍是主流商业化方案，价值占比相对稳定，而无源器件的制造效率与一致性，已成为制约行业大规模商用的核心瓶颈。
从系统架构来看，硅光是光子集成电路的核心基础，依托CMOS工艺实现波导、调制器、探测器的高密度集成。光子集成电路核心器件包含单频微腔激光器、可调激光器、电光调制器、移相器、高速光电探测器及监测探测器，负责光信号的发射、调制、接收与监控。配套电子集成电路由驱动器、跨阻放大器、数模转换器、模数转换器、时钟及数字处理单元组成，主要完成电光信号转换与电信号处理，实现光电系统协同工作。
先进异质集成封装技术迭代
光引擎封装集成技术持续迭代，整体从传统2D封装、2.5D中介层倒装键合，逐步向3D异质集成、单片集成高阶形态演进。2D引线键合方案寄生参数大、电串扰明显，仅适配低速场景；2D微凸点倒装工艺可满足中高速需求，但布线密度存在上限。2.5D封装依托中介层高密度布线，可支撑50GHz以上高速信号传输，3D倒装与引线键合混合封装则是迈向完全3D集成的过渡方案。
为适配1.6T、3.2T超高速传输场景，行业推出3D垂直封装前沿方案，通过硅通孔实现芯片垂直互连，大幅缩短信号路径，将寄生参数与信号串扰降至最低，可支撑100GHz以上超高速信号传输。该方案包含三类细分技术路径，分别为电子集成电路倒装搭配硅通孔光子集成电路、中介层搭配硅通孔光子集成电路、光子集成电路倒装搭配带硅通孔中介层。其中无需微凸点的金属介质混合键合技术，可实现晶圆级高密度直接键合，是当前高性能硅光子领域的核心先进技术。
台积电紧凑型通用光子引擎平台在异质集成领域处于行业领先水平，通过先进芯片堆叠技术，将7nm及以上先进制程的电子集成电路，堆叠于65nm绝缘体上硅硅光工艺的光子集成电路顶部，依靠铜对铜混合键合实现互连，将信号路径从毫米级压缩至微米级，是仅次于单片集成的最短走线方案，有效优化传输时延与信号损耗。
该三维异质集成架构分层明确，上层为硅层、中层为电集成电路、底层为二氧化硅基底光子集成电路。底层光子集成电路依托硅、氮化硅、锗等材料，集成光电探测、光调制、光传输、光耦合等全功能器件，全方位优化调制效率、传输损耗与探测灵敏度。其中锗光电探测器采用PIN结构，核心作用是将外部光信号转换为电信号，完成光电信号采集。
有源与无源器件协同保障光引擎稳定高效运行。微环调制器搭载片上加热器与环形波导结构，可通过热调谐改变谐振波长，实现低功耗、小体积的高速光信号调制，是核心有源器件。硅基光波导依托硅与二氧化硅的高折射率差，实现光信号约束与传输，是无源光互联的基础。氮化硅波导具备低损耗、宽带宽、弱温漂的优势，可与硅波导互补，进一步优化光路传输性能。
光信号收发主要依靠光栅耦合器与边缘耦合器两大核心器件。光栅耦合器表面具备周期性结构，可实现光纤光信号与芯片波导的垂直耦合，适配大规模光纤阵列高密度集成；锥形波导结构的边缘耦合器，可在芯片端面与外部光纤之间实现低损耗宽带耦合，两类器件协同配合，保障光信号高效稳定传输。
台积电制程管控与核心器件实测性能
成熟的工艺设计套件与严苛的制程管控，是硅光子技术量产落地的核心关键。台积电在COUPE平台制造中应用光学邻近校正技术，通过优化掩膜图形补偿光刻、刻蚀产生的图形畸变，将晶圆内外关键线宽偏差严格控制在2纳米（3σ）以内。同时采用离子注入、锗选择性外延生长工艺制备有源器件，搭配6层金属后段互连与钨接触工艺，保障器件电气连接的稳定性。
硅光器件对制程精度敏感度极高，线宽、刻蚀深度、薄膜厚度出现1纳米偏差，便会导致谐振波长、耦合峰值波长产生0.5至2纳米偏移。为此台积电搭建晶圆全流程闭环监控体系，在光电芯片制造过程中实时管控薄膜厚度、自动光学检测，在SoIC键合环节执行严格的光电晶圆验收测试，覆盖电阻、暗电流、阻容特性、传输损耗、调制特性等全维度参数，保障器件性能一致性。优化后，光栅耦合器、微环谐振器片内波长1σ波动仅为1.44nm、1.32nm，量产精度行业领先。
台积电配套推出覆盖全波长的硅与氮化硅工艺设计套件器件库，支持版图规则检查、端口纠错与Verilog-A电路设计。器件库建模覆盖电压、频率相关阻容特性，同时纳入高光功率下的自由载流子吸收、双光子吸收自热效应、光电流干扰等工况，适配高精度仿真设计需求。器件库功能完备，包含波导、分光器、耦合器、调制器、探测器、滤波器、相位调控、温度补偿等全品类模块，可实现光路传输、信号调制、偏振控制、波长筛选等全流程功能。
核心器件实测性能表现优异，纯硅表面光栅耦合器在1290-1330nm波段峰值损耗低于1.3dB，1dB带宽达20nm；复合光栅、偏振分光光栅耦合器峰值损耗约2dB，1dB带宽25nm，偏振耦合一致性良好。氮化硅单模波导1310nm波长传输损耗0.21dB/cm，多模波导损耗低至0.14dB/cm；氮化硅边缘耦合器目标波段插入损耗1.2dB，偏振相关损耗0.18dB。
调制与探测器件指标突出，5微米半径微环调制器调谐性能优异，调制效率低至0.35Vπ-cm，6dB、4dB插入损耗对应的实测高速带宽分别达63GHz、76GHz。锗光电探测器响应度1.0A/W，暗电流低于20nA，可承载200微安光电流，-3dB高速带宽约110GHz。16通道双微环谐振滤波器晶圆内波长偏差小于0.5nm，通道间隔精准、串扰优于20dB，滤波损耗深度超30dB，适配高速密集波分复用场景。
硅光产业标准化代工与头部产品迭代
台积电COUPE平台制定三步走技术迭代路线，持续提升光电集成度与传输规格。2025年完成第一阶段落地，推出八通道可插拔光模块，通过倒装键合集成双电路架构，实现1.6Tbps光引擎量产。2026年进入第二阶段，依托CoWoS中介层技术实现CPO集成，推出6.4Tbps光引擎并直接集成于交换机基板，相较传统方案功耗降低2倍、时延降低10倍。未来第三阶段，将把12.8Tbps光引擎直接集成于AI计算芯片中介层，实现芯片级光互连。目前COUPE平台已于2026年4月完成制程转化，6月实现规模化量产，英伟达、博通为首批核心客户。
英伟达CPO产品持续迭代落地，2025年下半年推出Quantum X CPO交换机，整机总带宽115.2Tb/s，搭载144个800G端口，由4颗28.8Tb/s计算封装体组成，单封装体配置6组光学组件，集成18个1.6Tb/s硅光引擎，适配324路光纤传输，搭配液冷散热，单端口功耗控制在9W。
英伟达2026年6月量产的Spectrum X新一代以太网硅光系统，基于台积电3nm工艺与COUPE共封装架构，单模块集成32个硅光引擎，单引擎吞吐量提升至3.2Tb/s。代表型号SN6800、SN6810总带宽102.4Tb/s，可提供128个800G端口或512个200G PAM4端口，采用光电芯片3D键合、无独立DSP设计，单端口功耗维持9W，整机功耗较传统方案下降50%以上。
博通高端CPO产品同样依托台积电COUPE平台迭代升级，2024年第二代CPO交换机总带宽51.2Tb/s，搭载8个6.4Tb/s光引擎，适配512个100G端口；2025年10月迭代至第三代产品，总带宽提升至102.4Tb/s，集成16个6.4Tb/s光引擎，全面采用台积电3nm制程与COUPE共封装技术，配套可更换外置激光器模块，商业化能力持续增强。
整体来看，全球硅光子产业正从碎片化定制研发，转向标准化代工量产阶段，台积电、英伟达、博通主导的CPO生态持续成熟。格芯、Tower Semi、意法半导体等海外代工平台持续加码技术研发，国内在硅光材料、有源无源器件、工艺设计套件、集成测试等领域具备技术积累的优质企业，有望持续切入国际龙头供应链，分享百亿级高密度光互连市场的爆发红利。
硅光子产业链公司
光模块、CPO/NPO
中际旭创：全球高速光模块龙头，800G/1.6T产品批量出货，深度绑定北美云厂商，CPO产品研发与送测进度行业领先。
新易盛：高速光模块出货量稳居行业前列，海外客户结构优质，1.6T硅光模块与NPO集成方案持续迭代落地。
天孚通信：高速光器件封装龙头，为英伟达、台积电CPO生态提供激光芯片封装、精密光学器件，是CPO无源器件核心供应商。
000***：具备光芯片、光模块、封装测试全产业链能力，高速硅光模块与CPO耦合器件已实现批量配套。
002***：国内老牌光器件龙头，自研无源、有源光器件，深度布局硅光集成与CPO核心器件，国产化替代优势显著。
光芯片
源杰科技：高速激光芯片国产龙头，主打高速率DFB、EML芯片，广泛配套高速光模块与硅光集成场景。
仕佳光子：无源光芯片与硅光波导龙头，聚焦光分路、耦合、滤波芯片，适配硅光集成与CPO无源光路环节。
002***：布局光芯片封装与高速光电集成业务，依托精密制造能力适配CPO、高速硅光模组封装需求。
688***：高端激光芯片量产能力突出，覆盖通信、泵浦激光芯片，为高速光模块与硅光设备提供核心光源。
OCS光交换
腾景科技：聚焦高速光电器件与光交换产品，具备OCS光开关、高速耦合器件量产能力，适配高密度硅光互连场景。
矩光科技：专注智能光交换与硅光集成器件，OCS光开关模组适配高速算力网络与CPO系统光路调度。
002***：全球光学晶体龙头，激光晶体、非线性光学晶体性能领先，为光交换、硅光设备提供核心光学基材。
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作者：于晓明 执业证书编号：A0680622030012
硅光子行业发展背景与市场空间
AI网络带宽持续升级，传统交换机前板可插拔光模块方案，在传输速率、集成密度与可靠性方面已逼近物理极限。为突破现有技术瓶颈，光电共封装（CPO）成为超算高密度互连的确定性发展趋势，通过将光引擎与交换芯片共基板封装，实现极致能效与低时延传输优势。本次梳理围绕全球硅光子产业链发展拐点，结合最新出货数据、技术指标，系统整理代工、封测、系统器件等环节的产业进展与企业布局方向。
全球硅光子产业迎来规模化落地契机，过往行业以常规工艺实现光电器件集成，长期处于小批量定制化研发阶段，缺乏大规模商用场景。随着2026年6月以太网硅光技术正式量产，行业预计2027年迎来硅光CPO技术全行业规模化部署。根据2026年4月行业机构预测，1.6T高速硅光产品市场预期大幅上调，2027年全球市场规模有望突破50亿美元，2030年进一步增长至150亿美元。
从出货节奏来看，行业即将迎来需求集中爆发。2023至2026年为技术导入期，1.6T产品基本无规模化出货；2027年行业正式进入放量阶段，出货预期持续上调。其中2029年1.6T产品出货量从此前约200万个上调至900万个，2031年出货量从约500万个上调至1300万个，下游高增长需求将全面带动硅光子从底层材料到系统模块的全产业链景气上行。
硅光子四层完整产业链架构
硅光子产业链层级清晰，整体分为材料、器件、封测、系统四大核心层级，覆盖从上游原材料到下游终端模组的完整链条。底层为材料层，主要包含热界面材料、底部填充材料、积层膜、玻璃芯基板、紫外胶等核心配套材料。第二层为有源、无源器件层，涵盖散热部件、波导、光纤、超构透镜等光学部件，以及激光源、光纤阵列等核心器件。第三层为代工制造与封测层，包含光学封装平台、电芯片测试、光芯片测试、光学耦合等核心工艺环节。最上层为系统模块层，主要由光引擎、交换机芯片模组构成，是产业价值落地的核心载体。
英伟达第二代共封装交换机系统于2026年6月完成量产，计划2026年下半年正式上市，依托中国台湾地区半导体及系统企业协同实现产业化交付。其中台积电提供先进光学制造技术，完成芯片工艺设计与量产转化；日月光负责芯片级封装、组装与测试，以微米级精度整合光电组件；天孚通信承担激光芯片模组封装，保障产品可靠性；富士康负责整机系统组装，集成形成完整机架式网络平台。
CPO技术彻底重构传统光模块价值分布。传统可插拔光模块价值集中在数字信号处理器、光芯片、封装测试环节；CPO时代下，由光子集成电路、电子集成电路集成设计而成的光引擎，成为产业链价值占比最高的环节。目前外置光源仍是主流商业化方案，价值占比相对稳定，而无源器件的制造效率与一致性，已成为制约行业大规模商用的核心瓶颈。
从系统架构来看，硅光是光子集成电路的核心基础，依托CMOS工艺实现波导、调制器、探测器的高密度集成。光子集成电路核心器件包含单频微腔激光器、可调激光器、电光调制器、移相器、高速光电探测器及监测探测器，负责光信号的发射、调制、接收与监控。配套电子集成电路由驱动器、跨阻放大器、数模转换器、模数转换器、时钟及数字处理单元组成，主要完成电光信号转换与电信号处理，实现光电系统协同工作。
先进异质集成封装技术迭代
光引擎封装集成技术持续迭代，整体从传统2D封装、2.5D中介层倒装键合，逐步向3D异质集成、单片集成高阶形态演进。2D引线键合方案寄生参数大、电串扰明显，仅适配低速场景；2D微凸点倒装工艺可满足中高速需求，但布线密度存在上限。2.5D封装依托中介层高密度布线，可支撑50GHz以上高速信号传输，3D倒装与引线键合混合封装则是迈向完全3D集成的过渡方案。
为适配1.6T、3.2T超高速传输场景，行业推出3D垂直封装前沿方案，通过硅通孔实现芯片垂直互连，大幅缩短信号路径，将寄生参数与信号串扰降至最低，可支撑100GHz以上超高速信号传输。该方案包含三类细分技术路径，分别为电子集成电路倒装搭配硅通孔光子集成电路、中介层搭配硅通孔光子集成电路、光子集成电路倒装搭配带硅通孔中介层。其中无需微凸点的金属介质混合键合技术，可实现晶圆级高密度直接键合，是当前高性能硅光子领域的核心先进技术。
台积电紧凑型通用光子引擎平台在异质集成领域处于行业领先水平，通过先进芯片堆叠技术，将7nm及以上先进制程的电子集成电路，堆叠于65nm绝缘体上硅硅光工艺的光子集成电路顶部，依靠铜对铜混合键合实现互连，将信号路径从毫米级压缩至微米级，是仅次于单片集成的最短走线方案，有效优化传输时延与信号损耗。
该三维异质集成架构分层明确，上层为硅层、中层为电集成电路、底层为二氧化硅基底光子集成电路。底层光子集成电路依托硅、氮化硅、锗等材料，集成光电探测、光调制、光传输、光耦合等全功能器件，全方位优化调制效率、传输损耗与探测灵敏度。其中锗光电探测器采用PIN结构，核心作用是将外部光信号转换为电信号，完成光电信号采集。
有源与无源器件协同保障光引擎稳定高效运行。微环调制器搭载片上加热器与环形波导结构，可通过热调谐改变谐振波长，实现低功耗、小体积的高速光信号调制，是核心有源器件。硅基光波导依托硅与二氧化硅的高折射率差，实现光信号约束与传输，是无源光互联的基础。氮化硅波导具备低损耗、宽带宽、弱温漂的优势，可与硅波导互补，进一步优化光路传输性能。
光信号收发主要依靠光栅耦合器与边缘耦合器两大核心器件。光栅耦合器表面具备周期性结构，可实现光纤光信号与芯片波导的垂直耦合，适配大规模光纤阵列高密度集成；锥形波导结构的边缘耦合器，可在芯片端面与外部光纤之间实现低损耗宽带耦合，两类器件协同配合，保障光信号高效稳定传输。
台积电制程管控与核心器件实测性能
成熟的工艺设计套件与严苛的制程管控，是硅光子技术量产落地的核心关键。台积电在COUPE平台制造中应用光学邻近校正技术，通过优化掩膜图形补偿光刻、刻蚀产生的图形畸变，将晶圆内外关键线宽偏差严格控制在2纳米（3σ）以内。同时采用离子注入、锗选择性外延生长工艺制备有源器件，搭配6层金属后段互连与钨接触工艺，保障器件电气连接的稳定性。
硅光器件对制程精度敏感度极高，线宽、刻蚀深度、薄膜厚度出现1纳米偏差，便会导致谐振波长、耦合峰值波长产生0.5至2纳米偏移。为此台积电搭建晶圆全流程闭环监控体系，在光电芯片制造过程中实时管控薄膜厚度、自动光学检测，在SoIC键合环节执行严格的光电晶圆验收测试，覆盖电阻、暗电流、阻容特性、传输损耗、调制特性等全维度参数，保障器件性能一致性。优化后，光栅耦合器、微环谐振器片内波长1σ波动仅为1.44nm、1.32nm，量产精度行业领先。
台积电配套推出覆盖全波长的硅与氮化硅工艺设计套件器件库，支持版图规则检查、端口纠错与Verilog-A电路设计。器件库建模覆盖电压、频率相关阻容特性，同时纳入高光功率下的自由载流子吸收、双光子吸收自热效应、光电流干扰等工况，适配高精度仿真设计需求。器件库功能完备，包含波导、分光器、耦合器、调制器、探测器、滤波器、相位调控、温度补偿等全品类模块，可实现光路传输、信号调制、偏振控制、波长筛选等全流程功能。
核心器件实测性能表现优异，纯硅表面光栅耦合器在1290-1330nm波段峰值损耗低于1.3dB，1dB带宽达20nm；复合光栅、偏振分光光栅耦合器峰值损耗约2dB，1dB带宽25nm，偏振耦合一致性良好。氮化硅单模波导1310nm波长传输损耗0.21dB/cm，多模波导损耗低至0.14dB/cm；氮化硅边缘耦合器目标波段插入损耗1.2dB，偏振相关损耗0.18dB。
调制与探测器件指标突出，5微米半径微环调制器调谐性能优异，调制效率低至0.35Vπ-cm，6dB、4dB插入损耗对应的实测高速带宽分别达63GHz、76GHz。锗光电探测器响应度1.0A/W，暗电流低于20nA，可承载200微安光电流，-3dB高速带宽约110GHz。16通道双微环谐振滤波器晶圆内波长偏差小于0.5nm，通道间隔精准、串扰优于20dB，滤波损耗深度超30dB，适配高速密集波分复用场景。
硅光产业标准化代工与头部产品迭代
台积电COUPE平台制定三步走技术迭代路线，持续提升光电集成度与传输规格。2025年完成第一阶段落地，推出八通道可插拔光模块，通过倒装键合集成双电路架构，实现1.6Tbps光引擎量产。2026年进入第二阶段，依托CoWoS中介层技术实现CPO集成，推出6.4Tbps光引擎并直接集成于交换机基板，相较传统方案功耗降低2倍、时延降低10倍。未来第三阶段，将把12.8Tbps光引擎直接集成于AI计算芯片中介层，实现芯片级光互连。目前COUPE平台已于2026年4月完成制程转化，6月实现规模化量产，英伟达、博通为首批核心客户。
英伟达CPO产品持续迭代落地，2025年下半年推出Quantum X CPO交换机，整机总带宽115.2Tb/s，搭载144个800G端口，由4颗28.8Tb/s计算封装体组成，单封装体配置6组光学组件，集成18个1.6Tb/s硅光引擎，适配324路光纤传输，搭配液冷散热，单端口功耗控制在9W。
英伟达2026年6月量产的Spectrum X新一代以太网硅光系统，基于台积电3nm工艺与COUPE共封装架构，单模块集成32个硅光引擎，单引擎吞吐量提升至3.2Tb/s。代表型号SN6800、SN6810总带宽102.4Tb/s，可提供128个800G端口或512个200G PAM4端口，采用光电芯片3D键合、无独立DSP设计，单端口功耗维持9W，整机功耗较传统方案下降50%以上。
博通高端CPO产品同样依托台积电COUPE平台迭代升级，2024年第二代CPO交换机总带宽51.2Tb/s，搭载8个6.4Tb/s光引擎，适配512个100G端口；2025年10月迭代至第三代产品，总带宽提升至102.4Tb/s，集成16个6.4Tb/s光引擎，全面采用台积电3nm制程与COUPE共封装技术，配套可更换外置激光器模块，商业化能力持续增强。
整体来看，全球硅光子产业正从碎片化定制研发，转向标准化代工量产阶段，台积电、英伟达、博通主导的CPO生态持续成熟。格芯、Tower Semi、意法半导体等海外代工平台持续加码技术研发，国内在硅光材料、有源无源器件、工艺设计套件、集成测试等领域具备技术积累的优质企业，有望持续切入国际龙头供应链，分享百亿级高密度光互连市场的爆发红利。
硅光子产业链公司
光模块、CPO/NPO
中际旭创：全球高速光模块龙头，800G/1.6T产品批量出货，深度绑定北美云厂商，CPO产品研发与送测进度行业领先。
新易盛：高速光模块出货量稳居行业前列，海外客户结构优质，1.6T硅光模块与NPO集成方案持续迭代落地。
天孚通信：高速光器件封装龙头，为英伟达、台积电CPO生态提供激光芯片封装、精密光学器件，是CPO无源器件核心供应商。
000***：具备光芯片、光模块、封装测试全产业链能力，高速硅光模块与CPO耦合器件已实现批量配套。
002***：国内老牌光器件龙头，自研无源、有源光器件，深度布局硅光集成与CPO核心器件，国产化替代优势显著。
光芯片
源杰科技：高速激光芯片国产龙头，主打高速率DFB、EML芯片，广泛配套高速光模块与硅光集成场景。
仕佳光子：无源光芯片与硅光波导龙头，聚焦光分路、耦合、滤波芯片，适配硅光集成与CPO无源光路环节。
002***：布局光芯片封装与高速光电集成业务，依托精密制造能力适配CPO、高速硅光模组封装需求。
688***：高端激光芯片量产能力突出，覆盖通信、泵浦激光芯片，为高速光模块与硅光设备提供核心光源。
OCS光交换
腾景科技：聚焦高速光电器件与光交换产品，具备OCS光开关、高速耦合器件量产能力，适配高密度硅光互连场景。
矩光科技：专注智能光交换与硅光集成器件，OCS光开关模组适配高速算力网络与CPO系统光路调度。
002***：全球光学晶体龙头，激光晶体、非线性光学晶体性能领先，为光交换、硅光设备提供核心光学基材。
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作者：于晓明 执业证书编号：A0680622030012
