Lumentum（LITE）3Q26：EML及激光器供需缺口持续走扩，产能爬坡难匹需求增速，InP衬底供给仍为限制扩产的核心瓶颈。
1）分业务：元器件业务季度收入5.33亿美元（YoY+77%），核心由EML、泵浦及窄线宽激光器驱动，持续供不应求；系统业务收入2.75亿美元（YoY+121%），云光模块放量显著，1.6T光模块将于财年Q4进入量产。新兴方向：OCS26H2订单预计达4亿美元；CPO已锁定Scale-out应用数十亿美元订单，Scale-up场景预计新增50亿美元收入。
2）InP供给：InP供需缺口预计延续至2027–2028年。公司近期整合并推进Greensboro工厂由GaAs向InP产线转换，该产能预计28年上线，短期不贡献增量。
在CPO架构下，激光器需求在数量与功率两个维度同步抬升，驱动InP需求显著放大。1）升级：相较传统800G/1.6T可插拔模块，CPO架构对InP需求更具“通胀”逻辑。①传统可插拔中，激光器集成于模块内部，单路功率要求较低（<100mW），InP需求主要随速率提升带动通道数增加（400G向800G/1.6T演进，对应InP外延及衬底面积消耗提升约3–4倍）；②而在CPO架构中，激光器由模块内分布式转为系统级外接光源（ELS），链路损耗显著提升，倒逼单路输出功率提升至约300mW，同时光源由模块级分散配置转为交换机系统级集中供给（可理解为多个光引擎×每个约8波长），InP基激光器需求从“分散+中低功率”转为“集中+高功率”，在数量与性能两个维度同步放大。
2）供需：InP将持续处于紧平衡甚至短缺状态，全球规模性扩产集中于26-28年。
①需求：据MordorIntelligence，全球InP晶圆市场规模有望由26年2.21亿美元提升至31年3.86亿美元，CAGR=11.73%；CPO架构下，800G/1.6T光模块通常采用4–8颗InP基CW激光器/EML结构，带动单位端口InP器件密度持续提升。假设全球交换机端口出货约50–60万，单端口对应4–8颗InP基CW激光器，并基于单器件外延等效面积0.3–0.6cm²测算，对应InP器件端外延等效需求约60–288万cm²。
②供给：外供市场高度集中，由住友电工、AXT（北京通美）及云南锗业主导，扩产节奏以中期1.4–2.4倍为主：住友电工18万片/年（2英寸当量），规划至26年约扩至1.4倍、28年约2.4倍；AXT约16.8万片/年，计划26年底产能翻倍、27年再翻倍；云南锗业约15万片/年（折4英寸，2–4英寸为主），规划至45万片/年并向6英寸升级，预计27年达产，但短期仍受良率爬坡限制。
InP制备核心在晶体生长与外延环节，设备专用性较强、验证周期长，短期仍由海外主导。1）晶体生长环节以高压单晶生长炉（VB/VGF/LEC）为核心，主要厂商包括PVATePla、Ferrotec以及KobeSteel等：PVATePla在VGF路线占优；Ferrotec等日系厂商覆盖LEC等路径；KobeSteel在VB高压炉积累深厚；国产设备以北方华创为代表，目前份额仍较低。
2）外延生长环节以MOCVD设备为主，核心厂商包括AIXTRON、Veeco（根据Yole，2024年AIXTRON市占率约77%，Veeco约8%）。AIXTRON在6英寸InP量产中形成标准化方案，并持续获得头部客户订单；Veeco以Lumina/Lumina+切入As/P体系，在均匀性与成本端具备竞争力，已在光通信产线实现导入。
投资建议：InP进入规模性扩产阶段，有望持续拉动晶体生长及外延设备需求。海外设备端建议关注AIXTRONSE（AIXXF.OO）、VeecoInstrumentsInc.（VECO.O）。在此基础上，景气有望向相关制造环节传导，建议沿产业链同步布局：1）PCB设备：推荐燕麦科技（688312）、芯碁微装（688630）、东威科技（688700）；2）半导体设备：推荐北方华创（002371），中微公司（688012），拓荆科技（688072）；3）建议关注光力科技（300480），凯格精机（301338）、科瑞技术（002957）。
风险提示：宏观经济波动风险、终端需求传导压力、供应链稳定与技术迭代挑战。
Lumentum（LITE）3Q26：EML及激光器供需缺口持续走扩，产能爬坡难匹需求增速，InP衬底供给仍为限制扩产的核心瓶颈。
1）分业务：元器件业务季度收入5.33亿美元（YoY+77%），核心由EML、泵浦及窄线宽激光器驱动，持续供不应求；系统业务收入2.75亿美元（YoY+121%），云光模块放量显著，1.6T光模块将于财年Q4进入量产。新兴方向：OCS26H2订单预计达4亿美元；CPO已锁定Scale-out应用数十亿美元订单，Scale-up场景预计新增50亿美元收入。
2）InP供给：InP供需缺口预计延续至2027–2028年。公司近期整合并推进Greensboro工厂由GaAs向InP产线转换，该产能预计28年上线，短期不贡献增量。
在CPO架构下，激光器需求在数量与功率两个维度同步抬升，驱动InP需求显著放大。1）升级：相较传统800G/1.6T可插拔模块，CPO架构对InP需求更具“通胀”逻辑。①传统可插拔中，激光器集成于模块内部，单路功率要求较低（<100mW），InP需求主要随速率提升带动通道数增加（400G向800G/1.6T演进，对应InP外延及衬底面积消耗提升约3–4倍）；②而在CPO架构中，激光器由模块内分布式转为系统级外接光源（ELS），链路损耗显著提升，倒逼单路输出功率提升至约300mW，同时光源由模块级分散配置转为交换机系统级集中供给（可理解为多个光引擎×每个约8波长），InP基激光器需求从“分散+中低功率”转为“集中+高功率”，在数量与性能两个维度同步放大。
2）供需：InP将持续处于紧平衡甚至短缺状态，全球规模性扩产集中于26-28年。
①需求：据MordorIntelligence，全球InP晶圆市场规模有望由26年2.21亿美元提升至31年3.86亿美元，CAGR=11.73%；CPO架构下，800G/1.6T光模块通常采用4–8颗InP基CW激光器/EML结构，带动单位端口InP器件密度持续提升。假设全球交换机端口出货约50–60万，单端口对应4–8颗InP基CW激光器，并基于单器件外延等效面积0.3–0.6cm²测算，对应InP器件端外延等效需求约60–288万cm²。
②供给：外供市场高度集中，由住友电工、AXT（北京通美）及云南锗业主导，扩产节奏以中期1.4–2.4倍为主：住友电工18万片/年（2英寸当量），规划至26年约扩至1.4倍、28年约2.4倍；AXT约16.8万片/年，计划26年底产能翻倍、27年再翻倍；云南锗业约15万片/年（折4英寸，2–4英寸为主），规划至45万片/年并向6英寸升级，预计27年达产，但短期仍受良率爬坡限制。
InP制备核心在晶体生长与外延环节，设备专用性较强、验证周期长，短期仍由海外主导。1）晶体生长环节以高压单晶生长炉（VB/VGF/LEC）为核心，主要厂商包括PVATePla、Ferrotec以及KobeSteel等：PVATePla在VGF路线占优；Ferrotec等日系厂商覆盖LEC等路径；KobeSteel在VB高压炉积累深厚；国产设备以北方华创为代表，目前份额仍较低。
2）外延生长环节以MOCVD设备为主，核心厂商包括AIXTRON、Veeco（根据Yole，2024年AIXTRON市占率约77%，Veeco约8%）。AIXTRON在6英寸InP量产中形成标准化方案，并持续获得头部客户订单；Veeco以Lumina/Lumina+切入As/P体系，在均匀性与成本端具备竞争力，已在光通信产线实现导入。
投资建议：InP进入规模性扩产阶段，有望持续拉动晶体生长及外延设备需求。海外设备端建议关注AIXTRONSE（AIXXF.OO）、VeecoInstrumentsInc.（VECO.O）。在此基础上，景气有望向相关制造环节传导，建议沿产业链同步布局：1）PCB设备：推荐燕麦科技（688312）、芯碁微装（688630）、东威科技（688700）；2）半导体设备：推荐北方华创（002371），中微公司（688012），拓荆科技（688072）；3）建议关注光力科技（300480），凯格精机（301338）、科瑞技术（002957）。
风险提示：宏观经济波动风险、终端需求传导压力、供应链稳定与技术迭代挑战。
