技术自主可控是中科爱毕赛思的核心竞争力所在。公司深耕Ⅲ-Ⅴ族半导体光电材料领域，成功攻克分子束外延生长（MBE）与芯片制备两大关键核心技术。其中，作为现代半导体材料生长核心技术的MBE技术，被公司实现原子级精准调控——通过持续优化工艺，可完成千余层锑化物超晶格材料的生长，制备的外延片晶体质量高、均匀性好、缺陷密度低，为高性能芯片制造奠定了坚实基础。依托这一先进技术，公司研发的中波、长波制冷型红外探测器芯片，具备高量子效率、低暗电流、高均匀性等优异性能，多项指标达到国际先进水平。截至目前，公司已积累发明专利20余项、实用新型专利50余项，技术实力稳居国内领先地位。

2025年9月，中科爱毕赛思刚实现了产能层面的重大突破。公司第三台批产型MBE设备正式投产运行，这一里程碑事件不仅标志着公司生产规模实现实质性扩张，更印证了其核心生产工艺已达到高度成熟的批量化生产水平。据了解，新设备投产后，公司高性能Ⅱ类超晶格外延片与芯片的产能将显著提升，能够更好地满足航空航天、安防监控、医疗检测等领域对高端红外探测器日益增长的市场需求，同时为后续降本增效、提升市场竞争力提供有力支撑。

对于本轮融资的用途，中科爱毕赛思将主要用于扩建锑化物红外探测器生产线，有望以此次融资为契机，进一步巩固在国内高端红外探测器领域的领先地位，同时持续加大研发投入，推动Ⅱ类超晶格红外探测技术的迭代升级。

作为第三代红外光电探测技术的代表，Ⅱ类超晶格技术是国际公认的红外光电领域核心方向，中科爱毕赛思的持续突破，正推动我国在该领域从“跟跑”向“领跑”跨越。

资本市场的集体青睐，背后是对国产红外光电产业发展前景的坚定信心。业内分析指出，长期以来，高端红外探测器核心技术与产能被国外少数企业垄断，中科爱毕赛思凭借全产业链IDM模式和核心技术突破，打破了这一格局。

此次融资后，随着产能进一步释放，公司将加速技术成果转化，不仅能缓解国内高端红外探测器供需矛盾，更将通过与上下游企业的协同创新，推动我国红外光电产业实现高质量发展，为我国在全球半导体光电子技术领域赢得更多话语权。

技术自主可控是中科爱毕赛思的核心竞争力所在。公司深耕Ⅲ-Ⅴ族半导体光电材料领域，成功攻克分子束外延生长（MBE）与芯片制备两大关键核心技术。其中，作为现代半导体材料生长核心技术的MBE技术，被公司实现原子级精准调控——通过持续优化工艺，可完成千余层锑化物超晶格材料的生长，制备的外延片晶体质量高、均匀性好、缺陷密度低，为高性能芯片制造奠定了坚实基础。依托这一先进技术，公司研发的中波、长波制冷型红外探测器芯片，具备高量子效率、低暗电流、高均匀性等优异性能，多项指标达到国际先进水平。截至目前，公司已积累发明专利20余项、实用新型专利50余项，技术实力稳居国内领先地位。

2025年9月，中科爱毕赛思刚实现了产能层面的重大突破。公司第三台批产型MBE设备正式投产运行，这一里程碑事件不仅标志着公司生产规模实现实质性扩张，更印证了其核心生产工艺已达到高度成熟的批量化生产水平。据了解，新设备投产后，公司高性能Ⅱ类超晶格外延片与芯片的产能将显著提升，能够更好地满足航空航天、安防监控、医疗检测等领域对高端红外探测器日益增长的市场需求，同时为后续降本增效、提升市场竞争力提供有力支撑。

对于本轮融资的用途，中科爱毕赛思将主要用于扩建锑化物红外探测器生产线，有望以此次融资为契机，进一步巩固在国内高端红外探测器领域的领先地位，同时持续加大研发投入，推动Ⅱ类超晶格红外探测技术的迭代升级。

作为第三代红外光电探测技术的代表，Ⅱ类超晶格技术是国际公认的红外光电领域核心方向，中科爱毕赛思的持续突破，正推动我国在该领域从“跟跑”向“领跑”跨越。

资本市场的集体青睐，背后是对国产红外光电产业发展前景的坚定信心。业内分析指出，长期以来，高端红外探测器核心技术与产能被国外少数企业垄断，中科爱毕赛思凭借全产业链IDM模式和核心技术突破，打破了这一格局。

此次融资后，随着产能进一步释放，公司将加速技术成果转化，不仅能缓解国内高端红外探测器供需矛盾，更将通过与上下游企业的协同创新，推动我国红外光电产业实现高质量发展，为我国在全球半导体光电子技术领域赢得更多话语权。