11月7日，2025汽车技术与装备发展论坛在江苏省苏州市举行。会上，“装”点未来——2025年度“引领汽车技术与装备发展”创新成果名单正式公布。瓴芯电子科技（无锡）有限公司（下称“瓴芯电子科技”）凭借“DspikeTM驱动技术推动智算芯片高效供电”研究成果，成功入选“智算芯片创新成果”。

据介绍，DspikeTM技术是一项原创的通用的驱动技术，可以有效地应用在大电流低电压的智算芯片供电芯片中，在同样成本的条件下，效率提高30%，并且由于该技术消除了电压震荡，大幅提高了供电的可靠性，对于电压高变比特性的智算芯片的供电，该技术由于消除了电压震荡可以做到几个纳秒的最小开通时间非常适合该应用。

目前，国际主流的驱动是分段式驱动，分段式驱动的问题是对于开关速度快（<10ns）的dc-dc转换器基本不起作用，对于驱动速度慢的驱动如马达的桥式驱动只起到减小震荡电压的作用，对效率的提高不起任何作用。<>

而DspikeTM技术巧妙地解链了开关速度，电压震荡和死驱这三个相互制衡的因素。第一次做到无死驱，高开关速度和无电压震荡。该技术获两项美国专利授权：US2024/0313631A1和US2024/0313635A1。同时，该技术撰写的论文《AHigh-EfficiencySwitchingOscillationSuppressionStrategyBasedonDampedOscillationforSynchronousDC-DCConverter》被IEEE的顶级会议APEC（应用电力电子年会）2025收录。

此外，DspikeTM技术还在大功率的马达驱动应用，尤其是采用SiC驱动的马达驱动。由于第三代半导体驱动速度快，震荡电压超过耐压是一个主要的失效模式，往往需要加无感电容及仔细挑选合适的续留二级管，该技术是在这类驱动中最好的应用，并可以节省成本。

尤其是在48V电池架构的应用中，DspikeTM技术可以使电源的设计成本更好（可以用耐压低的MOS）EMI更优（无电压震荡）系统更简化（可以用一级变换替代两级变换）效率更高（耐压低的MOS导通电阻更小，开关损耗更小）。而48V架构将会成为智能汽车的供电架构，在可控成本下把48V电压变换到智算芯片的供电电压，非常有技术挑战，是目前国际学术界和工业界的热点之一。

11月7日，2025汽车技术与装备发展论坛在江苏省苏州市举行。会上，“装”点未来——2025年度“引领汽车技术与装备发展”创新成果名单正式公布。瓴芯电子科技（无锡）有限公司（下称“瓴芯电子科技”）凭借“DspikeTM驱动技术推动智算芯片高效供电”研究成果，成功入选“智算芯片创新成果”。

据介绍，DspikeTM技术是一项原创的通用的驱动技术，可以有效地应用在大电流低电压的智算芯片供电芯片中，在同样成本的条件下，效率提高30%，并且由于该技术消除了电压震荡，大幅提高了供电的可靠性，对于电压高变比特性的智算芯片的供电，该技术由于消除了电压震荡可以做到几个纳秒的最小开通时间非常适合该应用。

目前，国际主流的驱动是分段式驱动，分段式驱动的问题是对于开关速度快（<10ns）的dc-dc转换器基本不起作用，对于驱动速度慢的驱动如马达的桥式驱动只起到减小震荡电压的作用，对效率的提高不起任何作用。<>

而DspikeTM技术巧妙地解链了开关速度，电压震荡和死驱这三个相互制衡的因素。第一次做到无死驱，高开关速度和无电压震荡。该技术获两项美国专利授权：US2024/0313631A1和US2024/0313635A1。同时，该技术撰写的论文《AHigh-EfficiencySwitchingOscillationSuppressionStrategyBasedonDampedOscillationforSynchronousDC-DCConverter》被IEEE的顶级会议APEC（应用电力电子年会）2025收录。

此外，DspikeTM技术还在大功率的马达驱动应用，尤其是采用SiC驱动的马达驱动。由于第三代半导体驱动速度快，震荡电压超过耐压是一个主要的失效模式，往往需要加无感电容及仔细挑选合适的续留二级管，该技术是在这类驱动中最好的应用，并可以节省成本。

尤其是在48V电池架构的应用中，DspikeTM技术可以使电源的设计成本更好（可以用耐压低的MOS）EMI更优（无电压震荡）系统更简化（可以用一级变换替代两级变换）效率更高（耐压低的MOS导通电阻更小，开关损耗更小）。而48V架构将会成为智能汽车的供电架构，在可控成本下把48V电压变换到智算芯片的供电电压，非常有技术挑战，是目前国际学术界和工业界的热点之一。