中国 ［深圳］ 2025年8月5日 ——瑞波光电今日正式发布新一代638nm半导体激光芯片，包含0．5W、0．7W及 2．1W三款型号。
经严格测试验证，该系列产品在核心性能指标上 赶上世界一流厂商水平。
瑞波新一代638nm芯片实现了两大技术创新：
? 材料和工艺的优化：通过改善AlGaInP／GaInP材料能带结构的固有缺陷，结合优化的芯片工艺和封装工艺，大幅提升光电转换效率。其中商业化638nm 0．5W TO－56（条宽20μm）在T＝25℃工作功率 ＠0．7A达到0．71W，光电转换效率达到44．6％，刷新行业纪录。
? 量子阱混杂技术突破：开发出工艺可靠的量子阱混杂技术，实现高可靠性无吸收腔面的低成本制作，从根本上解决红光LD芯片可靠性差的行业难题。该技术使芯片在高温环境下仍保持出色稳定性， 寿命超过2万小时 ，满足工业级应用需求。
瑞波光电承担了科技部2016－2018年重点研发计划里与红光显示光源相关的全部6个课题，并担任2017年国家“高光束质量、低阈值、长寿命、低成本红光LD材料与器件关键技术与工程化研究”重点研发计划的总牵头单位。本次发布的产品均源于上述科技部重点专项研究成果的进一步发展。
638nm高功率激光芯片和器件，长期以来一直被日本公司垄断，其产品具备高功率、高效率和高温特性好的优势，国内多家单位一直致力于国产化突破。通过不懈的努力，瑞波新一代638nm激光器件在在关键性能参数上提升显著：
? 高功率和高光电转换效率：638nm 0．5W TO－56（条宽20μm）在25℃下工作功率＠0．7A达到0．71W，光电转换效率高达44．6％，超越日本友商1，刷新行业纪录；638nm 0．7W TO－56（条宽40μm）在25℃下工作功率＠0．9A达到0．86W，光电转换效率高达42．0％，赶上市占率最高的日本友商2和3；638nm 2．1W芯片（条宽75μm＊2）COS在T＝25℃下工作功率＠2．7A可达2．4W，光电转换效率达到42．0％，接近世界一流水平［1］（图3）。
? 高温特性大幅提升：638nm 0．5W TO－56在40°C下光电转换效率＠0．7A仍能达到37．9％，相比日本友商1提升10％ （图1）；638nm 0．7W TO－56在40°C下光电转换效率＠0．7A可达34．7％，赶超日本友商2和3（图2）；采用638nm 2．1W芯片封装的COS在高温45℃、连续电流2．7A下，功率达到1．6W，光电转换效率达到28．5％，接近世界一流水平，此款芯片仍在快速迭代改善中。
图1： 638nm 0．5W TO－56与进口友商1在T＝40℃、CW下PIV对比数据
图2：638nm 0．7W TO－56与进口友商2和3在T＝40℃、CW下PIV对比数据
图3 瑞波638nm 2．1W COS在不同温度下的P－I和WPE－I曲线
瑞波新一代638nm芯片在特性参数上的突破，并以一以贯之的高可靠性保证，可为多个行业提供性能优秀、性价比高的国产芯片和器件：
? 激光显示领域：作为RGB三基色光源的核心组件，该系列芯片将大幅降低激光投影整机的成本。
? 医疗美容领域：与瑞波已量产的10W 755nm、5．5W 1470nm、4W 1725nm及2．5W 2010nm器件形成完整解决方案，满足从皮肤治疗到手术等全系列医疗应用需求。
? 工业与传感领域：高功率红光芯片结合瑞波TO封装平台，可为激光加工、3D传感和测距设备提供核心光源。
瑞波光电开发了多个型号的高功率红光芯片和封装器件，覆盖638nm、650nm、665nm、690nm等波长，单管芯片功率从0．5W至3．5W，封装形式包括COS、TO－56、TO－9和多芯片模组MCP等。
中国 ［深圳］ 2025年8月5日 ——瑞波光电今日正式发布新一代638nm半导体激光芯片，包含0．5W、0．7W及 2．1W三款型号。
经严格测试验证，该系列产品在核心性能指标上 赶上世界一流厂商水平。
瑞波新一代638nm芯片实现了两大技术创新：
? 材料和工艺的优化：通过改善AlGaInP／GaInP材料能带结构的固有缺陷，结合优化的芯片工艺和封装工艺，大幅提升光电转换效率。其中商业化638nm 0．5W TO－56（条宽20μm）在T＝25℃工作功率 ＠0．7A达到0．71W，光电转换效率达到44．6％，刷新行业纪录。
? 量子阱混杂技术突破：开发出工艺可靠的量子阱混杂技术，实现高可靠性无吸收腔面的低成本制作，从根本上解决红光LD芯片可靠性差的行业难题。该技术使芯片在高温环境下仍保持出色稳定性， 寿命超过2万小时 ，满足工业级应用需求。
瑞波光电承担了科技部2016－2018年重点研发计划里与红光显示光源相关的全部6个课题，并担任2017年国家“高光束质量、低阈值、长寿命、低成本红光LD材料与器件关键技术与工程化研究”重点研发计划的总牵头单位。本次发布的产品均源于上述科技部重点专项研究成果的进一步发展。
638nm高功率激光芯片和器件，长期以来一直被日本公司垄断，其产品具备高功率、高效率和高温特性好的优势，国内多家单位一直致力于国产化突破。通过不懈的努力，瑞波新一代638nm激光器件在在关键性能参数上提升显著：
? 高功率和高光电转换效率：638nm 0．5W TO－56（条宽20μm）在25℃下工作功率＠0．7A达到0．71W，光电转换效率高达44．6％，超越日本友商1，刷新行业纪录；638nm 0．7W TO－56（条宽40μm）在25℃下工作功率＠0．9A达到0．86W，光电转换效率高达42．0％，赶上市占率最高的日本友商2和3；638nm 2．1W芯片（条宽75μm＊2）COS在T＝25℃下工作功率＠2．7A可达2．4W，光电转换效率达到42．0％，接近世界一流水平［1］（图3）。
? 高温特性大幅提升：638nm 0．5W TO－56在40°C下光电转换效率＠0．7A仍能达到37．9％，相比日本友商1提升10％ （图1）；638nm 0．7W TO－56在40°C下光电转换效率＠0．7A可达34．7％，赶超日本友商2和3（图2）；采用638nm 2．1W芯片封装的COS在高温45℃、连续电流2．7A下，功率达到1．6W，光电转换效率达到28．5％，接近世界一流水平，此款芯片仍在快速迭代改善中。
图1： 638nm 0．5W TO－56与进口友商1在T＝40℃、CW下PIV对比数据
图2：638nm 0．7W TO－56与进口友商2和3在T＝40℃、CW下PIV对比数据
图3 瑞波638nm 2．1W COS在不同温度下的P－I和WPE－I曲线
瑞波新一代638nm芯片在特性参数上的突破，并以一以贯之的高可靠性保证，可为多个行业提供性能优秀、性价比高的国产芯片和器件：
? 激光显示领域：作为RGB三基色光源的核心组件，该系列芯片将大幅降低激光投影整机的成本。
? 医疗美容领域：与瑞波已量产的10W 755nm、5．5W 1470nm、4W 1725nm及2．5W 2010nm器件形成完整解决方案，满足从皮肤治疗到手术等全系列医疗应用需求。
? 工业与传感领域：高功率红光芯片结合瑞波TO封装平台，可为激光加工、3D传感和测距设备提供核心光源。
瑞波光电开发了多个型号的高功率红光芯片和封装器件，覆盖638nm、650nm、665nm、690nm等波长，单管芯片功率从0．5W至3．5W，封装形式包括COS、TO－56、TO－9和多芯片模组MCP等。
