2025年7月25日，国内领先的半导体激光芯片供应商－瑞波光电今日宣布，成功开发并发布一款具有里程碑意义的2μm波段 InP基高功率半导体激光芯片。该芯片在室温连续波（CW）工作条件下，实现了单管输出功率高达2．5W的卓越性能，波长2010nm，光电转换效率18．32％，突破了该波长区间商业化半导体激光芯片的功率和效率瓶颈。
01 性能卓越，效率领先
图1：2μm波段激光芯片PIV曲线及光谱
（实测中心波长＝2010nm）
本次发布的2μm波段激光芯片核心性能参数令人瞩目：
· 输出功率：2．5W（室温CW），显著提升该波段可用功率水平。工作电流：约14A，在实现高功率输出的同时，展现了优异的电流驱动效率。
· 工作波长：2010＋－5nm。
· 光电转换效率（Wall－plug Efficiency， WPE）：输出功率2．5W时WPE为18．32％，这一效率指标在2μm波段处于国际领先地位，极大降低了系统能耗与热管理负担，提升了设备的可靠性和使用寿命。
关键波长，应用广阔
2μm波段（约1．9μm － 2．1μm）位于近红外光谱区域，被称为“黄金”波长，具有独特的应用优势：
· 人眼安全：该波长被大气层中的水蒸气强烈吸收，不易到达视网膜，属于人眼安全波段，在开放式应用场景中安全性更高。2μm激光是红外照明的理想光源。
· 材料加工利器：对许多非金属材料（如塑料、聚合物、特定薄膜）以及人体组织中的水分具有高效吸收特性，是精密医疗（如手术、消融）、高端美容设备（如嫩肤、祛斑）、特种材料精细加工（如焊接、切割、打标） 的理想光源。
· 气体传感核心：是多种重要气体（如二氧化碳CO2、一氧化碳CO、氨气NH3、硫化氢H2S等）的特征吸收峰所在，为高灵敏度、高精度激光气体传感与检测设备提供核心光源。
· 先进激光技术基石：是产生中红外波段（如3－5μm，8－12μm）激光的高效泵浦源，服务于红外对抗、环境监测、光谱分析等尖端领域。
02 突破意义深远
瑞波光电此次发布的2．5W 2μm波段芯片，其18．32％的转换效率远高于此前业界同波段普遍水平。这一突破性进展意味着：
· 效率提升与成本降低：更高的电光转换效率直接降低了电源和散热系统的要求，使得终端设备更紧凑、轻便且成本更具竞争力。此前业界波长2μm的半导体激光器，一般采用量子级联技术或者锑化物半导体，成本较高、价格昂贵。而本次InP基 2μm激光芯片具备相对低的制造成本和高可靠性，其成功量产将有助于快速扩大市场应用空间。
· 性能跃升：2．5W的高功率输出为终端应用（如更快速的激光加工、更远距离的传感探测、更高效的医疗美容）提供了更强的“动力引擎”，显著提升设备性能和效率。
· 国产核心光源自主可控：在高端半导体激光芯片领域实现重要突破，有力推动了我国在先进光电核心元器件方面的自主创新能力和产业链安全。
03 瑞波光电：引领红外光源创新
图2：瑞波5．5W 1470nm芯片（红）与4W 1725nm芯片（蓝）和2．5W 2010nm芯片性能对比
瑞波光电此前已经发布3．6W／5．5W／7W 1470nm芯片和3．6W／5．5W 1550nm 芯片，近期刚刚发布2．5W／4W 1725nm芯片，加上本次发布的2．5W 2010nm芯片，瑞波光电在高功率、高效率和高可靠性的红外激光芯片的布局将更加完整和全面，将有效支持下游应用的创新发展。
2025年7月25日，国内领先的半导体激光芯片供应商－瑞波光电今日宣布，成功开发并发布一款具有里程碑意义的2μm波段 InP基高功率半导体激光芯片。该芯片在室温连续波（CW）工作条件下，实现了单管输出功率高达2．5W的卓越性能，波长2010nm，光电转换效率18．32％，突破了该波长区间商业化半导体激光芯片的功率和效率瓶颈。
01 性能卓越，效率领先
图1：2μm波段激光芯片PIV曲线及光谱
（实测中心波长＝2010nm）
本次发布的2μm波段激光芯片核心性能参数令人瞩目：
· 输出功率：2．5W（室温CW），显著提升该波段可用功率水平。工作电流：约14A，在实现高功率输出的同时，展现了优异的电流驱动效率。
· 工作波长：2010＋－5nm。
· 光电转换效率（Wall－plug Efficiency， WPE）：输出功率2．5W时WPE为18．32％，这一效率指标在2μm波段处于国际领先地位，极大降低了系统能耗与热管理负担，提升了设备的可靠性和使用寿命。
关键波长，应用广阔
2μm波段（约1．9μm － 2．1μm）位于近红外光谱区域，被称为“黄金”波长，具有独特的应用优势：
· 人眼安全：该波长被大气层中的水蒸气强烈吸收，不易到达视网膜，属于人眼安全波段，在开放式应用场景中安全性更高。2μm激光是红外照明的理想光源。
· 材料加工利器：对许多非金属材料（如塑料、聚合物、特定薄膜）以及人体组织中的水分具有高效吸收特性，是精密医疗（如手术、消融）、高端美容设备（如嫩肤、祛斑）、特种材料精细加工（如焊接、切割、打标） 的理想光源。
· 气体传感核心：是多种重要气体（如二氧化碳CO2、一氧化碳CO、氨气NH3、硫化氢H2S等）的特征吸收峰所在，为高灵敏度、高精度激光气体传感与检测设备提供核心光源。
· 先进激光技术基石：是产生中红外波段（如3－5μm，8－12μm）激光的高效泵浦源，服务于红外对抗、环境监测、光谱分析等尖端领域。
02 突破意义深远
瑞波光电此次发布的2．5W 2μm波段芯片，其18．32％的转换效率远高于此前业界同波段普遍水平。这一突破性进展意味着：
· 效率提升与成本降低：更高的电光转换效率直接降低了电源和散热系统的要求，使得终端设备更紧凑、轻便且成本更具竞争力。此前业界波长2μm的半导体激光器，一般采用量子级联技术或者锑化物半导体，成本较高、价格昂贵。而本次InP基 2μm激光芯片具备相对低的制造成本和高可靠性，其成功量产将有助于快速扩大市场应用空间。
· 性能跃升：2．5W的高功率输出为终端应用（如更快速的激光加工、更远距离的传感探测、更高效的医疗美容）提供了更强的“动力引擎”，显著提升设备性能和效率。
· 国产核心光源自主可控：在高端半导体激光芯片领域实现重要突破，有力推动了我国在先进光电核心元器件方面的自主创新能力和产业链安全。
03 瑞波光电：引领红外光源创新
图2：瑞波5．5W 1470nm芯片（红）与4W 1725nm芯片（蓝）和2．5W 2010nm芯片性能对比
瑞波光电此前已经发布3．6W／5．5W／7W 1470nm芯片和3．6W／5．5W 1550nm 芯片，近期刚刚发布2．5W／4W 1725nm芯片，加上本次发布的2．5W 2010nm芯片，瑞波光电在高功率、高效率和高可靠性的红外激光芯片的布局将更加完整和全面，将有效支持下游应用的创新发展。
