国产电源技术突围:中电华星高可靠电源产品助力半导体设备自主可控

深圳市中电华星电子技术有限公司

1天前

公司自主开发的第四代智能电源平台,集成故障预测、能效优化等AI功能,正在为国产半导体设备向5nm以下先进制程突破提供核心动力支撑。

在全球半导体产业链重构的浪潮中,美国对华技术封锁持续升级,已累计将200余家中国科技企业列入实体清单。在晶圆制造核心设备国产化率不足15%的严峻形势下,半导体设备关键零部件的自主可控已成为关乎产业安全的战略要务。

作为半导体设备的"动力中枢",工业电源系统的国产化进程直接影响着刻蚀机、薄膜沉积设备等关键装备的自主替代速度。中电华星依托25年高端电源研发经验,构建起覆盖半导体设备全场景的电源解决方案矩阵,助力国产设备厂商突破"卡脖子"技术瓶颈。

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一、半导体设备电源系统关键技术突破

(1) SEMI F47认证体系深度适配

通过自主研发的电压暂降补偿技术,中电华星PWS系列电源模块成功实现200ms内电压跌落恢复能力,在半导体设备特有的电压瞬变测试中,电源保持率可达99.98%,完全满足SEMI F47-0708认证要求。

(2) μV级纹波控制技术

采用专利的磁耦合滤波架构,将输出纹波控制在50μV以下。在28nm制程的离子注入设备中,实测电源噪声低于设备控制板耐受阈值30%,显著提升工艺稳定性。

(3) 毫秒级动态响应机制

基于数字环路控制(DLC)技术开发的HDC系列电源模块,动态响应时间缩短至5ms。在ALD原子层沉积设备的脉冲式负载场景下,输出电压波动幅度≤0.05%,优于进口产品0.12%的行业平均水平。

(4) 高可靠性设计

通过导入航天级元器件筛选标准,中电华星工业电源模块MTBF突破15万小时。独创的三重冗余散热结构,使电源在-40℃~+85℃宽温域内保持全功率输出能力,EMC性能达到EN55032 CLASS A标准。

二、半导体设备电源解决方案创新实践

薄膜沉积设备电源系统

在CVD化学气相沉积设备中,中电华星创新采用"双总线+模块化"供电架构:

• 主控系统:搭载自主研发的数字电源模块,支持CAN总线通信实现0.1%级电压精度闭环控制

• 加热系统:配置HDP1000系列大功率电源组,具备150%瞬时过载能力,满足腔体快速升温需求

• 安全保障:集成符合IEC 60079防爆标准的隔离型电源单元,通过三级浪涌防护设计确保系统安全

该方案已在国内某12英寸晶圆厂实现规模化应用,设备综合能效提升18%,电源故障率同比下降72%。

结语

在半导体设备国产化进程加速的当下,中电华星通过持续的技术迭代和场景创新,已形成覆盖光刻、刻蚀、薄膜沉积等全工艺环节的电源解决方案能力。公司自主开发的第四代智能电源平台,集成故障预测、能效优化等AI功能,正在为国产半导体设备向5nm以下先进制程突破提供核心动力支撑。选择中电华星,不仅是选择可靠的技术合作伙伴,更是共同构建中国半导体产业链安全屏障的战略抉择。

公司自主开发的第四代智能电源平台,集成故障预测、能效优化等AI功能,正在为国产半导体设备向5nm以下先进制程突破提供核心动力支撑。

在全球半导体产业链重构的浪潮中,美国对华技术封锁持续升级,已累计将200余家中国科技企业列入实体清单。在晶圆制造核心设备国产化率不足15%的严峻形势下,半导体设备关键零部件的自主可控已成为关乎产业安全的战略要务。

作为半导体设备的"动力中枢",工业电源系统的国产化进程直接影响着刻蚀机、薄膜沉积设备等关键装备的自主替代速度。中电华星依托25年高端电源研发经验,构建起覆盖半导体设备全场景的电源解决方案矩阵,助力国产设备厂商突破"卡脖子"技术瓶颈。

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一、半导体设备电源系统关键技术突破

(1) SEMI F47认证体系深度适配

通过自主研发的电压暂降补偿技术,中电华星PWS系列电源模块成功实现200ms内电压跌落恢复能力,在半导体设备特有的电压瞬变测试中,电源保持率可达99.98%,完全满足SEMI F47-0708认证要求。

(2) μV级纹波控制技术

采用专利的磁耦合滤波架构,将输出纹波控制在50μV以下。在28nm制程的离子注入设备中,实测电源噪声低于设备控制板耐受阈值30%,显著提升工艺稳定性。

(3) 毫秒级动态响应机制

基于数字环路控制(DLC)技术开发的HDC系列电源模块,动态响应时间缩短至5ms。在ALD原子层沉积设备的脉冲式负载场景下,输出电压波动幅度≤0.05%,优于进口产品0.12%的行业平均水平。

(4) 高可靠性设计

通过导入航天级元器件筛选标准,中电华星工业电源模块MTBF突破15万小时。独创的三重冗余散热结构,使电源在-40℃~+85℃宽温域内保持全功率输出能力,EMC性能达到EN55032 CLASS A标准。

二、半导体设备电源解决方案创新实践

薄膜沉积设备电源系统

在CVD化学气相沉积设备中,中电华星创新采用"双总线+模块化"供电架构:

• 主控系统:搭载自主研发的数字电源模块,支持CAN总线通信实现0.1%级电压精度闭环控制

• 加热系统:配置HDP1000系列大功率电源组,具备150%瞬时过载能力,满足腔体快速升温需求

• 安全保障:集成符合IEC 60079防爆标准的隔离型电源单元,通过三级浪涌防护设计确保系统安全

该方案已在国内某12英寸晶圆厂实现规模化应用,设备综合能效提升18%,电源故障率同比下降72%。

结语

在半导体设备国产化进程加速的当下,中电华星通过持续的技术迭代和场景创新,已形成覆盖光刻、刻蚀、薄膜沉积等全工艺环节的电源解决方案能力。公司自主开发的第四代智能电源平台,集成故障预测、能效优化等AI功能,正在为国产半导体设备向5nm以下先进制程突破提供核心动力支撑。选择中电华星,不仅是选择可靠的技术合作伙伴,更是共同构建中国半导体产业链安全屏障的战略抉择。

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