3月26日消息，随着存储芯片市场的持续回暖，继此前存储芯片厂商Sandisk、长江存储致态相继被曝将对存储产品涨价之后，近日另一家存储芯片大厂美光也宣布将涨价。

在网络上曝光的一份发给渠道商的涨价函中，美光指出，最近的市场动态表明，整个DRAM和NAND Flash市场已经开始复苏，并预计2025年和2026年都将实现增长。同时，美光认为，该公司在各个业务领域的需求都在增加。为了应对这些变化，美光正在提高定价。

“对于AI相关用例和相关技术的需求正在不断增长，除其他因素外，还反映了人们对我们产品组合的兴趣日益浓厚，因为我们的产品为每个用例提供了基本功能。作为一种持续的做法，我们的定价考虑了我们的产品为这些和其他用例提供的价值，以及我们为开发和维护行业领先的产品组合而进行的大量投资所需的投资回报率（ROl），以及满足市场需求的必要制造能力。为了帮助确保供应的可用性和连续性，我们鼓励客户和渠道合作伙伴提供长期预测可见性，并将积压需求纳入该预测中。”美光在涨价函中解释道。

不过，美光并未在该文件中公布具体的涨价幅度，仅表示，其已经在3月25日当天发布的一份备忘录中，概述了其在整个渠道网络中采取的具体定价行动。

值得注意的是，在3月初，Sandisk（闪迪）就被曝将于4月1日起对所有面向渠道和消费者客户的产品涨价超过10%。Sandisk认为，存储芯片行业很快将过渡到供不应求状态，再加上近期的关税变化，将影响供应的可用性并增加Sandisk的业务成本。因此决定从4月1日起开始实施价格上涨，涨幅将超过10%，并适用于所有面向渠道和消费者客户的产品。

随后在3月中旬，又有传闻显示，长江存储也将于4月起对渠道上调旗下零售品牌致钛的提货价格，涨价幅度或将超过10%。

根据市场研究机构TrendForce的预测报告显示，今年第一季NAND Flash市场虽然持续面临供过于求的挑战，导致价格下滑13-18%。但随着三星、SK海力士等原厂减产、智能手机库存去化、AI 及DeepSeek效应带来的需求增长，NAND Flash供需结构将有望显著改善，二季度NAND Flash价格或将继续下跌5%或持平，三季度有望环比上涨10-15%，四季度有望继续增长8-13%。

在DRAM市场，由于2025年第一季度下游品牌厂大都提前出货以应对国际形势变化（特朗普关税政策），比如各主要PC OEM要求ODM提高整机组装量，将加速去化OEM手中的DRAM库存，此举有助供应链中DRAM的库存去化。为确保2025年下半年产线供料稳定，库存水位较低的OEM可能于第二季提高对DRAM原厂采购量。因此，预计第二季Conventional DRAM（一般型DRAM）价格跌幅将收敛至季减0%至5%，若纳入HBM计算，受益于HBM3e 12hi逐渐放量，预计均价为环比增长3%至8%。

鉴于相关终端厂商可能会在NAND Flash和DRAM价格触底反弹之前进行提前备货，因此可能会加速推动NAND Flash和DRAM供需状态提前在二季度出现供不应求，推动上游原厂提前涨价。

编辑：芯智讯-浪客剑

3月26日消息，随着存储芯片市场的持续回暖，继此前存储芯片厂商Sandisk、长江存储致态相继被曝将对存储产品涨价之后，近日另一家存储芯片大厂美光也宣布将涨价。

在网络上曝光的一份发给渠道商的涨价函中，美光指出，最近的市场动态表明，整个DRAM和NAND Flash市场已经开始复苏，并预计2025年和2026年都将实现增长。同时，美光认为，该公司在各个业务领域的需求都在增加。为了应对这些变化，美光正在提高定价。

“对于AI相关用例和相关技术的需求正在不断增长，除其他因素外，还反映了人们对我们产品组合的兴趣日益浓厚，因为我们的产品为每个用例提供了基本功能。作为一种持续的做法，我们的定价考虑了我们的产品为这些和其他用例提供的价值，以及我们为开发和维护行业领先的产品组合而进行的大量投资所需的投资回报率（ROl），以及满足市场需求的必要制造能力。为了帮助确保供应的可用性和连续性，我们鼓励客户和渠道合作伙伴提供长期预测可见性，并将积压需求纳入该预测中。”美光在涨价函中解释道。

不过，美光并未在该文件中公布具体的涨价幅度，仅表示，其已经在3月25日当天发布的一份备忘录中，概述了其在整个渠道网络中采取的具体定价行动。

值得注意的是，在3月初，Sandisk（闪迪）就被曝将于4月1日起对所有面向渠道和消费者客户的产品涨价超过10%。Sandisk认为，存储芯片行业很快将过渡到供不应求状态，再加上近期的关税变化，将影响供应的可用性并增加Sandisk的业务成本。因此决定从4月1日起开始实施价格上涨，涨幅将超过10%，并适用于所有面向渠道和消费者客户的产品。

随后在3月中旬，又有传闻显示，长江存储也将于4月起对渠道上调旗下零售品牌致钛的提货价格，涨价幅度或将超过10%。

根据市场研究机构TrendForce的预测报告显示，今年第一季NAND Flash市场虽然持续面临供过于求的挑战，导致价格下滑13-18%。但随着三星、SK海力士等原厂减产、智能手机库存去化、AI 及DeepSeek效应带来的需求增长，NAND Flash供需结构将有望显著改善，二季度NAND Flash价格或将继续下跌5%或持平，三季度有望环比上涨10-15%，四季度有望继续增长8-13%。

在DRAM市场，由于2025年第一季度下游品牌厂大都提前出货以应对国际形势变化（特朗普关税政策），比如各主要PC OEM要求ODM提高整机组装量，将加速去化OEM手中的DRAM库存，此举有助供应链中DRAM的库存去化。为确保2025年下半年产线供料稳定，库存水位较低的OEM可能于第二季提高对DRAM原厂采购量。因此，预计第二季Conventional DRAM（一般型DRAM）价格跌幅将收敛至季减0%至5%，若纳入HBM计算，受益于HBM3e 12hi逐渐放量，预计均价为环比增长3%至8%。

鉴于相关终端厂商可能会在NAND Flash和DRAM价格触底反弹之前进行提前备货，因此可能会加速推动NAND Flash和DRAM供需状态提前在二季度出现供不应求，推动上游原厂提前涨价。

编辑：芯智讯-浪客剑