当地时间12月23日，美国拜登政府通过白宫官网宣布，已要求美国贸易代表办公室发起301条款调查，以审查中国将基础半导体（也称为传统或成熟制程芯片）作为主导地位的目标以及对美国经济的影响。

美国贸易代表办公室（USTR）也发布公告称，有证据表明，中国寻求在半导体行业主导国内和全球市场，并采取广泛的反竞争和非市场手段，包括设定和追求市场份额目标，以实现本土化和自给自足。中国的行为、政策和做法似乎对美国和其他经济体产生有害影响并有可能造成不利影响，破坏美国工业和工人的竞争力、关键的美国供应链和美国的经济安全。

该“301调查”最初将侧重于中国的基础半导体（也称为传统或成熟节点半导体）的制造，包括它们作为组件纳入国防、汽车、医疗设备、航空航天、电信、发电和电网等关键行业的下游产品。该调查还将初步评估中国的行为、政策和做法对碳化硅（SiC）衬底（或用作半导体制造投入的其他晶圆）生产的影响是否会导致对美国商业的任何不合理或歧视或负担或限制。

资料显示，所谓“301调查”是指，‌美国依据《1988年综合贸易与竞争法》第301条款进行的调查。该条款最早见于《1974年贸易法》第301条，后经多次修订和扩展，形成了包括“一般301条款”、“特别301条款”、“超级301条款”和“306条款监督制度”在内的301条款制度。301调查的主要目的是保护美国在国际贸易中的权利，对其他国家被认为存在“不合理”、“不公平”贸易做法的行为进行调查，并可能采取提高关税、限制进口、停止有关协定等报复措施‌。

美国贸易代表办公室接下来将征求公众意见，并将就此调查举行公开听证会。有关调查的评论案卷将于 2025 年 1 月 6 日开放。

据外媒引用拜登政府官员的说法表示，针对中国成熟制程半导体的“301条款调查”，将会在下一任总统特朗普于1月20日就职前启动，而结果则是将于2025年1月底移交给特朗普政府。基于该调查结果，特朗普政府可能将进一步开始对中国进口半导体产品征收他所威胁的60%的高额关税。

需要指出的是，拜登政府此前已经对中国生产的多晶硅等产品征收了50%的关税，而且该关税也将于2025年的1月1日开始生效。

成熟制程市场格局：美国也在大力发展

根据TrendForce的今年11月公布的数据显示，2023年中国台湾地区的先进制程产能占比高达71%，但是随着美国、日本等地区纷纷推出巨额“芯片补贴”以吸引先进制程半导体厂商（比如台积电）在其本土进行投资建厂，美国的占比将会从2023年的9%，大幅增长至2027年21%；日本也将由2023年0，增长至2027年的4%。届时，中国台湾地区的先进制程占比将在2027年萎缩至54%。

相比之下，而中国大陆至于中国大陆由于受到美日荷对于先进半导体设备的出口管制，使得先进制程产能的增长受到了限制，预计2027年在全球先进制程当中的产能占比将由2023年的8%降低至6%。

在成熟制程产能占比方面，2023年中国台湾地区的占比也是高达45%，而中国大陆地区占比31%，韩国占比8%，美国占比5%，日本占比2%。虽然表面上来看，中国大陆地区目前的成熟制程占比并不低，但是这也正是因为受到了美国对于中国大陆先进制程发展的持续打压，使得中国发展先进制程受限，采不得不发展成熟制程，以应对本土市场对于成熟制程芯片的庞大需求。

虽然目前人工智能（AI）芯片、智能手机处理器、PC处理器、汽车自动驾驶芯片这类高性能计算芯片都依赖于先进制程制造工艺，但是AI服务器、智能手机、PC当中成熟制程芯片仍占据着绝对数量，更为广泛的家电、网络等IT产品当中也都遍布着成熟制程芯片。TrendForce的数据显示，2023~2027年全球晶圆代工成熟制程（28nm以上）产能比将维持在70%。

从具体的厂商成熟制程产能占比来看，根据Knometa Research的数据（成熟制程：20nm-0.11μm逻辑制程，>20nm DRAM；大线宽制程：≥0.13μm）显示，2022年，台积电则以20%的份额位居全球成熟制程产能第一，排名第二的三星份额为9%，联电份额也为9%，中芯国际凭借持续扩产，份额也达到了8%。排名第五的则是图像传感器大厂索尼，份额为7%。在更大线宽制程产能当中，美国模拟芯片大厂德州仪器以11%的份额位居第一，排名第二的台积电份额为10%，联电份额为7%，意法半导体份额为5%，中芯国际份额为5%。

如果以成熟制程芯片当中最具代表性的MCU市场来看，根据IC Insights的数据显示，2021年全球前十大MCU厂商当中，恩智浦以18.8%份额位居第一，紧随其后的分别是Microchip（17.8%）、瑞萨电子（17%）、意法半导体（16.7%）和英飞凌（11.8%）。

Yole Group的报告也显示，近年来，英飞凌、瑞萨电子、恩智浦、意法半导体、Microchip等领先的芯片公司继续主导着MCU市场，它们之间只有很小的差异。同样，在汽车和工业MCU市场也是如此。这些厂商都是IDM厂商，同时一些也有将部分产品外包给外部代工厂生产。虽然中国的MCU厂商近年来发展也很快，但是在全球市场当中的份额仍较小。

显然，从上面的数据来看，虽然近年来中国大陆目前成熟制程芯片的总体产能占比得到了快速提升，但是中国台湾地区仍占据了最大的产能。如果从头部的成熟制程芯片品牌厂商来看，欧洲厂商则占据了主导地位，其次是美国和日本。

美国很早就意识到了成熟制程芯片的重要性，特别是在疫情期间，成熟制程芯片供应链中断，严重影响了汽车市场。当时美国及欧盟还特别要求台积电增加成熟制程产能供给汽车芯片。随后，美国出台的配套有超过520亿美元补贴资金的《芯片与科学法案》，在大力发展先进制程的同时，也为众多的成熟制程芯片制造项目提供了补贴。

根据美国半导体行业协会（SIA）的数据显示，在美国《芯片与科学法案》的刺激下，截至2024年8月，半导体生态系统中的公司已经在美国宣布了 90 多个新的制造项目，宣布在28个州的投资总额接近4500亿美元。而这其中除了台积电、英特尔和三星在美国的芯片制造项目属于先进逻辑制程外，而其他项目很多都是面向成熟制程的。

美国此前在出台《芯片与科学法案》之时就有指出，用于半导体制造补贴的390亿美元当中，至少20亿美元将用于支持成熟制程芯片的生产。比如，近期美国宣布向博世提供2.25亿美元补贴，以支持其加州碳化硅工厂扩建；向德州仪器提供16.1亿美元补贴，以支持其两个位于德克萨斯州和一个位于犹他州的晶圆厂建设；向成熟制程晶圆代工厂格芯 （GlobalFoundries）提供15亿美元补贴，以支持其扩产。

值得注意的是，成熟制程的芯片大厂Microchip在与美国商务部达成初步的补贴协议之后，近期计划放弃申请1.62亿美元补贴。此举主要是由于客户需求减少、产能过剩，Microchip的俄勒冈州厂已两度停工，并计划关闭在亚利桑那州的工厂，约500名员工将面临被裁员。

除了美国之外，目前日本、欧盟、印度等地也都在积极的提供补贴来提升本土的芯片制造产能，其扩大成熟制程也是重要一环。

显然，美国及其盟友本身在先进制程领域占据优势的同时，还依然在通过巨额补贴来发展成熟制程产能，却对于发展先进制程受到美国及其盟友打压而被迫转向发展成熟制程产能的中国大陆横加指责，实属“耍流氓”。

碳化硅衬底也成了调查重点

碳化硅是一种由硅和碳组成的化合物半导体材料，具有宽带隙、高电子迁移率、高热导率和强电场击穿强度等特点，是主要的第三代半导体材料。这些独特的物理性质使得碳化硅器件在高温度、高频率、高电压以及高功率应用中表现出比传统硅器件更优异的性能。

具体来说，碳化硅器件可以在高达600°C的温度下稳定工作，其电阻率几乎保持不变(约0.03Ω·cm)，所以它不仅耐高温，且散热性能也非常好。而传统硅器件的工作温度上限通常在150°C左右；碳化硅宽能隙特性使其具有更低的导通和开关损耗，从而提高了能源转换效率；碳化硅的高电子迁移率使得器件能在高频应用中表现出低损耗和高速度的特点；碳化硅器件还能够承受比硅器件更高的电压，可靠性更高，并且有助于减小器件尺寸和系统成本。

得益于碳化硅器件所带来的优势，以及近年来中国新能源汽车产业的快速发展，也推动了碳化硅器件在国产新能源汽车上的快速采用，进而带动了国产碳化硅衬底及器件产业的发展，但是与国际巨头相比仍有较大差距。

比如，从SiC功率器件市场格局来看，目前主要是被国产厂商所垄断。根据TrendForce数据显示，在2023年全球碳化硅功率器件市场，意法半导体（ST）以32.6%市占率位居第一，安森美（onsemi）则由2022年的第四名跃居第二名，市场份额为23.6%。紧随其后的则是英飞凌（Infineon，16.5%）、Wolfspeed（11.1%）、罗姆半导体（ROHM，8%）。这前五大国外SiC功率器件供应商约占整个市场营收的91.9%。

从这些头部的SiC功率器件厂商的产能规划来看，目前他们都在持续扩大碳化硅衬底/器件的产能。比如Wolfspeed计划投入65亿美元来扩大碳化硅衬底产能；罗姆计划投资37亿美元扩产；安森美计划投资20亿美元扩产；英飞凌的目前规划的总投资也是达到了50亿欧元；意法半导体与中国三安集团合作，计划投资约200亿元人民币扩产；博世计划投资15亿美元扩产。显然，国外这些碳化硅器件巨头扩产的投资规模都很大。

相比国际巨头的巨资扩产，中国国内碳化硅衬底厂商的投入也在持续扩大，比如天科合达、露笑科技、三安光电等。根据现有数据统计，目前国产的碳化硅衬底的产能规划投资总计约1000亿元人民币。不过，目前中国碳化硅衬底产能投资过于分散，头部企业也不够强。

从具体的国产SiC衬底规划产能来看，根据预测，到2026年，国内整个SiC衬底的产能规划大概是468万片/年（折合6英寸晶圆）。需要指出的是，以上只是规划产能，并不代表最终都能投产。特别是在目前碳化硅衬底市场竞争激烈，价格持续下滑的背景之下。

总体来看，目前国内整个碳化硅产业链是比较分散的，虽然可能在碳化硅衬底或者外延部分现在已经形成了一些规模，但如果没有强大的碳化硅器件厂商来支持，将会陷入低价内卷。而在SiC功率器件方面，特别是车规级SiC功率器件这一块，目前国产SiC MOSFET出货销售额基本是在几千万的水平，对比国外的巨头，出货量及销售额差距仍是非常巨大。

中国商务部回应：将采取一切必要措施

北京时间12月23日晚间，中国商务部新闻发言人就美对中国芯片产业相关政策发起301调查发表谈话，表示对美方做法强烈不满，坚决反对。

商务部还指出，中国产芯片仅占美市场份额的1.3%。中国芯片对美出口，远低于自美进口。同时，敦促美方尊重事实和多边规则，立即停止错误做法。中方将密切关注调查进展，并将采取一切必要措施，坚决捍卫自身权益。”

编辑：芯智讯-浪客剑

当地时间12月23日，美国拜登政府通过白宫官网宣布，已要求美国贸易代表办公室发起301条款调查，以审查中国将基础半导体（也称为传统或成熟制程芯片）作为主导地位的目标以及对美国经济的影响。

美国贸易代表办公室（USTR）也发布公告称，有证据表明，中国寻求在半导体行业主导国内和全球市场，并采取广泛的反竞争和非市场手段，包括设定和追求市场份额目标，以实现本土化和自给自足。中国的行为、政策和做法似乎对美国和其他经济体产生有害影响并有可能造成不利影响，破坏美国工业和工人的竞争力、关键的美国供应链和美国的经济安全。

该“301调查”最初将侧重于中国的基础半导体（也称为传统或成熟节点半导体）的制造，包括它们作为组件纳入国防、汽车、医疗设备、航空航天、电信、发电和电网等关键行业的下游产品。该调查还将初步评估中国的行为、政策和做法对碳化硅（SiC）衬底（或用作半导体制造投入的其他晶圆）生产的影响是否会导致对美国商业的任何不合理或歧视或负担或限制。

资料显示，所谓“301调查”是指，‌美国依据《1988年综合贸易与竞争法》第301条款进行的调查。该条款最早见于《1974年贸易法》第301条，后经多次修订和扩展，形成了包括“一般301条款”、“特别301条款”、“超级301条款”和“306条款监督制度”在内的301条款制度。301调查的主要目的是保护美国在国际贸易中的权利，对其他国家被认为存在“不合理”、“不公平”贸易做法的行为进行调查，并可能采取提高关税、限制进口、停止有关协定等报复措施‌。

美国贸易代表办公室接下来将征求公众意见，并将就此调查举行公开听证会。有关调查的评论案卷将于 2025 年 1 月 6 日开放。

据外媒引用拜登政府官员的说法表示，针对中国成熟制程半导体的“301条款调查”，将会在下一任总统特朗普于1月20日就职前启动，而结果则是将于2025年1月底移交给特朗普政府。基于该调查结果，特朗普政府可能将进一步开始对中国进口半导体产品征收他所威胁的60%的高额关税。

需要指出的是，拜登政府此前已经对中国生产的多晶硅等产品征收了50%的关税，而且该关税也将于2025年的1月1日开始生效。

成熟制程市场格局：美国也在大力发展

根据TrendForce的今年11月公布的数据显示，2023年中国台湾地区的先进制程产能占比高达71%，但是随着美国、日本等地区纷纷推出巨额“芯片补贴”以吸引先进制程半导体厂商（比如台积电）在其本土进行投资建厂，美国的占比将会从2023年的9%，大幅增长至2027年21%；日本也将由2023年0，增长至2027年的4%。届时，中国台湾地区的先进制程占比将在2027年萎缩至54%。

相比之下，而中国大陆至于中国大陆由于受到美日荷对于先进半导体设备的出口管制，使得先进制程产能的增长受到了限制，预计2027年在全球先进制程当中的产能占比将由2023年的8%降低至6%。

在成熟制程产能占比方面，2023年中国台湾地区的占比也是高达45%，而中国大陆地区占比31%，韩国占比8%，美国占比5%，日本占比2%。虽然表面上来看，中国大陆地区目前的成熟制程占比并不低，但是这也正是因为受到了美国对于中国大陆先进制程发展的持续打压，使得中国发展先进制程受限，采不得不发展成熟制程，以应对本土市场对于成熟制程芯片的庞大需求。

虽然目前人工智能（AI）芯片、智能手机处理器、PC处理器、汽车自动驾驶芯片这类高性能计算芯片都依赖于先进制程制造工艺，但是AI服务器、智能手机、PC当中成熟制程芯片仍占据着绝对数量，更为广泛的家电、网络等IT产品当中也都遍布着成熟制程芯片。TrendForce的数据显示，2023~2027年全球晶圆代工成熟制程（28nm以上）产能比将维持在70%。

从具体的厂商成熟制程产能占比来看，根据Knometa Research的数据（成熟制程：20nm-0.11μm逻辑制程，>20nm DRAM；大线宽制程：≥0.13μm）显示，2022年，台积电则以20%的份额位居全球成熟制程产能第一，排名第二的三星份额为9%，联电份额也为9%，中芯国际凭借持续扩产，份额也达到了8%。排名第五的则是图像传感器大厂索尼，份额为7%。在更大线宽制程产能当中，美国模拟芯片大厂德州仪器以11%的份额位居第一，排名第二的台积电份额为10%，联电份额为7%，意法半导体份额为5%，中芯国际份额为5%。

如果以成熟制程芯片当中最具代表性的MCU市场来看，根据IC Insights的数据显示，2021年全球前十大MCU厂商当中，恩智浦以18.8%份额位居第一，紧随其后的分别是Microchip（17.8%）、瑞萨电子（17%）、意法半导体（16.7%）和英飞凌（11.8%）。

Yole Group的报告也显示，近年来，英飞凌、瑞萨电子、恩智浦、意法半导体、Microchip等领先的芯片公司继续主导着MCU市场，它们之间只有很小的差异。同样，在汽车和工业MCU市场也是如此。这些厂商都是IDM厂商，同时一些也有将部分产品外包给外部代工厂生产。虽然中国的MCU厂商近年来发展也很快，但是在全球市场当中的份额仍较小。

显然，从上面的数据来看，虽然近年来中国大陆目前成熟制程芯片的总体产能占比得到了快速提升，但是中国台湾地区仍占据了最大的产能。如果从头部的成熟制程芯片品牌厂商来看，欧洲厂商则占据了主导地位，其次是美国和日本。

美国很早就意识到了成熟制程芯片的重要性，特别是在疫情期间，成熟制程芯片供应链中断，严重影响了汽车市场。当时美国及欧盟还特别要求台积电增加成熟制程产能供给汽车芯片。随后，美国出台的配套有超过520亿美元补贴资金的《芯片与科学法案》，在大力发展先进制程的同时，也为众多的成熟制程芯片制造项目提供了补贴。

根据美国半导体行业协会（SIA）的数据显示，在美国《芯片与科学法案》的刺激下，截至2024年8月，半导体生态系统中的公司已经在美国宣布了 90 多个新的制造项目，宣布在28个州的投资总额接近4500亿美元。而这其中除了台积电、英特尔和三星在美国的芯片制造项目属于先进逻辑制程外，而其他项目很多都是面向成熟制程的。

美国此前在出台《芯片与科学法案》之时就有指出，用于半导体制造补贴的390亿美元当中，至少20亿美元将用于支持成熟制程芯片的生产。比如，近期美国宣布向博世提供2.25亿美元补贴，以支持其加州碳化硅工厂扩建；向德州仪器提供16.1亿美元补贴，以支持其两个位于德克萨斯州和一个位于犹他州的晶圆厂建设；向成熟制程晶圆代工厂格芯 （GlobalFoundries）提供15亿美元补贴，以支持其扩产。

值得注意的是，成熟制程的芯片大厂Microchip在与美国商务部达成初步的补贴协议之后，近期计划放弃申请1.62亿美元补贴。此举主要是由于客户需求减少、产能过剩，Microchip的俄勒冈州厂已两度停工，并计划关闭在亚利桑那州的工厂，约500名员工将面临被裁员。

除了美国之外，目前日本、欧盟、印度等地也都在积极的提供补贴来提升本土的芯片制造产能，其扩大成熟制程也是重要一环。

显然，美国及其盟友本身在先进制程领域占据优势的同时，还依然在通过巨额补贴来发展成熟制程产能，却对于发展先进制程受到美国及其盟友打压而被迫转向发展成熟制程产能的中国大陆横加指责，实属“耍流氓”。

碳化硅衬底也成了调查重点

碳化硅是一种由硅和碳组成的化合物半导体材料，具有宽带隙、高电子迁移率、高热导率和强电场击穿强度等特点，是主要的第三代半导体材料。这些独特的物理性质使得碳化硅器件在高温度、高频率、高电压以及高功率应用中表现出比传统硅器件更优异的性能。

具体来说，碳化硅器件可以在高达600°C的温度下稳定工作，其电阻率几乎保持不变(约0.03Ω·cm)，所以它不仅耐高温，且散热性能也非常好。而传统硅器件的工作温度上限通常在150°C左右；碳化硅宽能隙特性使其具有更低的导通和开关损耗，从而提高了能源转换效率；碳化硅的高电子迁移率使得器件能在高频应用中表现出低损耗和高速度的特点；碳化硅器件还能够承受比硅器件更高的电压，可靠性更高，并且有助于减小器件尺寸和系统成本。

得益于碳化硅器件所带来的优势，以及近年来中国新能源汽车产业的快速发展，也推动了碳化硅器件在国产新能源汽车上的快速采用，进而带动了国产碳化硅衬底及器件产业的发展，但是与国际巨头相比仍有较大差距。

比如，从SiC功率器件市场格局来看，目前主要是被国产厂商所垄断。根据TrendForce数据显示，在2023年全球碳化硅功率器件市场，意法半导体（ST）以32.6%市占率位居第一，安森美（onsemi）则由2022年的第四名跃居第二名，市场份额为23.6%。紧随其后的则是英飞凌（Infineon，16.5%）、Wolfspeed（11.1%）、罗姆半导体（ROHM，8%）。这前五大国外SiC功率器件供应商约占整个市场营收的91.9%。

从这些头部的SiC功率器件厂商的产能规划来看，目前他们都在持续扩大碳化硅衬底/器件的产能。比如Wolfspeed计划投入65亿美元来扩大碳化硅衬底产能；罗姆计划投资37亿美元扩产；安森美计划投资20亿美元扩产；英飞凌的目前规划的总投资也是达到了50亿欧元；意法半导体与中国三安集团合作，计划投资约200亿元人民币扩产；博世计划投资15亿美元扩产。显然，国外这些碳化硅器件巨头扩产的投资规模都很大。

相比国际巨头的巨资扩产，中国国内碳化硅衬底厂商的投入也在持续扩大，比如天科合达、露笑科技、三安光电等。根据现有数据统计，目前国产的碳化硅衬底的产能规划投资总计约1000亿元人民币。不过，目前中国碳化硅衬底产能投资过于分散，头部企业也不够强。

从具体的国产SiC衬底规划产能来看，根据预测，到2026年，国内整个SiC衬底的产能规划大概是468万片/年（折合6英寸晶圆）。需要指出的是，以上只是规划产能，并不代表最终都能投产。特别是在目前碳化硅衬底市场竞争激烈，价格持续下滑的背景之下。

总体来看，目前国内整个碳化硅产业链是比较分散的，虽然可能在碳化硅衬底或者外延部分现在已经形成了一些规模，但如果没有强大的碳化硅器件厂商来支持，将会陷入低价内卷。而在SiC功率器件方面，特别是车规级SiC功率器件这一块，目前国产SiC MOSFET出货销售额基本是在几千万的水平，对比国外的巨头，出货量及销售额差距仍是非常巨大。

中国商务部回应：将采取一切必要措施

北京时间12月23日晚间，中国商务部新闻发言人就美对中国芯片产业相关政策发起301调查发表谈话，表示对美方做法强烈不满，坚决反对。

商务部还指出，中国产芯片仅占美市场份额的1.3%。中国芯片对美出口，远低于自美进口。同时，敦促美方尊重事实和多边规则，立即停止错误做法。中方将密切关注调查进展，并将采取一切必要措施，坚决捍卫自身权益。”

编辑：芯智讯-浪客剑