第六代DRAM尚未量产,三星第七代DRAM测试线已开建

芯智讯

3周前

三星今年3月在美国举行的“MemCon2024”活动中曾宣布,计划在2026年前量产第七代DRAM,至于其前身第六代(1c)DRAM,计划明年(2025年)量产。

据韩国媒体Business Korea报导,三星电子已于第四季度在平泽P2厂建立10nm级(1d)的第七代DRAM测试线。业界也将此测试线称为“单路径线”(one path),预期明年第一季度将完全建成。

报道称,测试产线是测试新半导体产品量产潜质的设施,一旦下一代芯片性能在研发阶段时确定,就会在此引进晶圆,开始提高量产良率。目前还不确定三星平泽10nm级第七代DRAM厂房的规模,但通常安装测试产线每月可处理约1万片晶圆。

三星今年3月在美国举行的“MemCon 2024”活动中曾宣布,计划在2026年前量产第七代DRAM,至于其前身第六代(1c)DRAM,计划明年(2025年)量产。因此,这条第七代测试线与第六代DRAM量产的准备工作同步进行。

三星计划明年初开始以平泽P4厂为中心引进半导体设备,生产10nm级第六代DRAM,并加快良率提升的脚步,目标是明年5月前取得内部量产认证(PRA)。此外,为了顺利第六代DRAM量产,三星还将DRAM相关人员从华城厂调派至平泽厂。

也就是说,三星在第六代DRAM还没进入量产阶段前,就已经开始为第七代DRAM建置厂房。外界认为,三星此举是为明年重夺优势而提前进行投资。

做为全球DRAM制造龙头大厂,三星这两年遭遇很大的打击,特别是在AI所需的HBM(高带宽内存)市场,SK海力士的市场份额大幅领先于三星。此外,在10nm级第六代DRAM的开发速度上,三星也落后于SK海力士。

对于三星来说,如果要夺回领导地位,必须加快产品的开发速度,这从三星的新人事变动可以窥见一斑。

三星电子副董事长全永铉(Jeon Young-hyun)从半导体业务的设备解决方案(DS)负责人改为CEO,同时兼任內存业务和三星综合技术院(Samsung Advanced Institute of Technology,SAIT)负责人。他以强大驱动力著称,预期将大胆推动三星技术开发和投资。

业界人士解释,全永铉现在可以更密切地参与三星DRAM技术,预计他会从主力产品DRAM开始强力创新。

三星电子也加速投资另一种內存NAND闪存,最近该公司在平泽一厂安装业界第一条400层NAND(V10)测试线,并在平泽四厂NAND厂房添置286层V9设备。

编辑:芯智讯-浪客剑

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三星今年3月在美国举行的“MemCon2024”活动中曾宣布,计划在2026年前量产第七代DRAM,至于其前身第六代(1c)DRAM,计划明年(2025年)量产。

据韩国媒体Business Korea报导,三星电子已于第四季度在平泽P2厂建立10nm级(1d)的第七代DRAM测试线。业界也将此测试线称为“单路径线”(one path),预期明年第一季度将完全建成。

报道称,测试产线是测试新半导体产品量产潜质的设施,一旦下一代芯片性能在研发阶段时确定,就会在此引进晶圆,开始提高量产良率。目前还不确定三星平泽10nm级第七代DRAM厂房的规模,但通常安装测试产线每月可处理约1万片晶圆。

三星今年3月在美国举行的“MemCon 2024”活动中曾宣布,计划在2026年前量产第七代DRAM,至于其前身第六代(1c)DRAM,计划明年(2025年)量产。因此,这条第七代测试线与第六代DRAM量产的准备工作同步进行。

三星计划明年初开始以平泽P4厂为中心引进半导体设备,生产10nm级第六代DRAM,并加快良率提升的脚步,目标是明年5月前取得内部量产认证(PRA)。此外,为了顺利第六代DRAM量产,三星还将DRAM相关人员从华城厂调派至平泽厂。

也就是说,三星在第六代DRAM还没进入量产阶段前,就已经开始为第七代DRAM建置厂房。外界认为,三星此举是为明年重夺优势而提前进行投资。

做为全球DRAM制造龙头大厂,三星这两年遭遇很大的打击,特别是在AI所需的HBM(高带宽内存)市场,SK海力士的市场份额大幅领先于三星。此外,在10nm级第六代DRAM的开发速度上,三星也落后于SK海力士。

对于三星来说,如果要夺回领导地位,必须加快产品的开发速度,这从三星的新人事变动可以窥见一斑。

三星电子副董事长全永铉(Jeon Young-hyun)从半导体业务的设备解决方案(DS)负责人改为CEO,同时兼任內存业务和三星综合技术院(Samsung Advanced Institute of Technology,SAIT)负责人。他以强大驱动力著称,预期将大胆推动三星技术开发和投资。

业界人士解释,全永铉现在可以更密切地参与三星DRAM技术,预计他会从主力产品DRAM开始强力创新。

三星电子也加速投资另一种內存NAND闪存,最近该公司在平泽一厂安装业界第一条400层NAND(V10)测试线,并在平泽四厂NAND厂房添置286层V9设备。

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