Silicon Carbide (SiC) Patent Landscape Analysis 2024
碳化硅（SiC）技术：市场竞争激烈但快速发展
据麦姆斯咨询介绍，在《功率碳化硅（SiC）专利全景分析-2022版》报告中，法国知识产权研究公司KnowMade发现，针对SiC（包括材料、器件、模组、电路）的知识产权（IP）活动正在不断增长。许多历史悠久的专利申请人都希望在这一时期扩大其SiC发明专利的保护范围。电动汽车（EV）推动了功率SiC市场的兴起，促使SiC厂商在欧洲和中国等战略市场布局更多专利。与此同时，仍然年轻的SiC市场的早期领导者，也保持甚至加快了专利申请速度，以为未来几年更激烈的竞争做好准备。因为，电动汽车热潮，正推动更多新兴厂商加快SiC技术的开发。在这种情况下，领先的SiC厂商可能会利用专利来保护其市场份额，从而提高进入SiC行业的门槛。SiC市场竞争日趋激烈，这在专利领域已经十分明显。
功率SiC主要专利权人的领导力分析
中美之间的地缘政治紧张局势，也推高了专利申请增长，加速了全球（尤其是在中国）本土半导体生态系统的建设。2023年，在整个SiC供应链中，中国企业的专利申请量占70%以上，其中不乏SiC晶圆行业的新晋厂商。由于涉足SiC晶圆开发的厂商数量众多，中国已经成功遏制了SiC晶圆的短缺局面，但由于激烈的价格竞争，许多供应商的经济状况也进入了不稳定期。这一新的背景可能促进SiC晶圆供应商之间的专利诉讼。
功率SiC专利申请趋势
专利概况
在此背景下，Knowmade发布了这份最新的SiC专利全景分析报告。该报告的第一部分介绍了SiC供应链上的全球专利竞争概况，确定了SiC供应链各环节的主要专利申请人和新进入者，并对其专利组合进行了分析。本报告还对SiC专利组合进行了地域分析，以突出SiC厂商知识产权战略中的重要市场。
SiC全球专利分析概览
对于SiC功率器件，专利分析细分为二极管、MOSFET以及其它SiC器件。此外，对于SiC MOSFET，还分别提供了平面MOSFET和沟槽MOSFET的专利竞争分析。分析结果表明，SiC专利领域的大多数公司已将沟槽MOSFET纳入其技术路线图，从而加速了该细分领域的专利申请。因此，近年来沟槽MOSFET在专利领域的竞争日益激烈。
此外，本报告还特别关注了中国，因为近年来中国的SiC专利申请人数量激增，其中，中国本土专利申请在它们的专利布局中占据主导地位，而在中国境外申请专利的厂商寥寥无几。由于中国的专利申请非常活跃，因此，专门针对中国这个密集的生态系统进行分析已变得非常重要，以为全球竞争者提供更清晰的视角。
最后，专利分析强调了市场主要厂商的专利活动，这些厂商在该领域正面临众多新进入者的激烈竞争。它们或是未来的市场竞争者，未来的SiC器件集成商（如Tier 1和OEM），甚至是潜在的供应商（SiC器件、材料）。事实上，在未来的SiC供应链中，专利也可能在谈判和合作中发挥重要作用。
SiC主要IDM厂商的专利申请对比分析
主要厂商的知识产权概况
本报告的第二部分重点聚焦了SiC器件市场主要厂商和/或大力投资建设SiC垂直一体化基础设施的厂商的知识产权活动。这些厂商采用IDM业务模式，希望在内部整合SiC制造的每一个步骤，包括从材料开发到器件制造和封装。有趣的是，对这些厂商的知识产权活动进行比较后发现，它们的知识产权战略大相径庭。某些厂商严重依赖专利来维护其市场地位，而其它厂商则没有在整个SiC供应链中大力发展专利组合。在专利申请的地理分布方面，各厂商也存在一些差异，这表明了不同市场（美国、日本、欧洲、中国、韩国和中国台湾）对它们的相对重要性。
本报告的专利分析全面提供了Wolfspeed、Infineon、onsemi、Rohm、SK、STMicroelectronics、Coherent（及其许可方General Electric）和三安等厂商持有的SiC专利组合。通过关注这些厂商近期的专利活动，可以发现一些蛛丝马迹，例如涉足新的技术领域（如超结结构、沟槽MOSFET），或在新的领域开展强有力的知识产权活动。因此，该报告可以为企业的战略计划提供一些启示。最后，该报告对最新公开专利的全面分析，详细介绍了SiC技术在供应链各个层面的最新发展。
高价值Excel专利数据库
本报告还提供一份高价值Excel专利数据库，其中包括了本研究所分析的19,000多个专利家族（发明专利）。这份高价值专利数据库支持多字段检索，包括专利公开号、实时更新的在线数据库超链接（原始文件、法律状态等）、优先权日期、标题、摘要、专利权人、当前法律状态以及技术分类标引（块体SiC、外延SiC衬底、SiC二极管、平面SiC MOSFET、沟槽SiC MOSFET、SiC模块、电路等）。此外，Excel文件还包括统计分析中按专利权人分列的完整数据，包括专利族数量、专利申请时间表、已授权专利和审中专利数量以及专利组合的地理覆盖范围。
本报告覆盖的关键内容：
• 超过170页的PPT报告
• 专利分析涉及的19,000多个专利族，报告提供了包含这些专利的Excel数据库，并提供在线更新的专利数据
• 全球专利趋势分析，包括已公开专利的时间演变和布局国家
• 供应链各个环节主要专利申请人及新入局者分析
• 专利申请人的活跃度以及申请趋势（上升、放缓、稳定）
• 专利合作和转让分析
• 提供中国SiC生态系统的专利全景分析，重点关注了中国厂商的专利布局
• 按SiC供应链5个主要环节及10个主要子领域进行了专利细分：块体SiC和裸SiC晶圆、外延SiC衬底、SiC器件（二极管、平面MOSFET、沟槽MOSFET）、SiC模块（热问题、寄生、芯片贴装、封装）及电路
• 针对每个重要专利申请人提供：专利申请趋势、专利法律状态和全球专利布局、核心专利以及最近的专利申请分析
Silicon Carbide (SiC) Patent Landscape Analysis 2024
碳化硅（SiC）技术：市场竞争激烈但快速发展
据麦姆斯咨询介绍，在《功率碳化硅（SiC）专利全景分析-2022版》报告中，法国知识产权研究公司KnowMade发现，针对SiC（包括材料、器件、模组、电路）的知识产权（IP）活动正在不断增长。许多历史悠久的专利申请人都希望在这一时期扩大其SiC发明专利的保护范围。电动汽车（EV）推动了功率SiC市场的兴起，促使SiC厂商在欧洲和中国等战略市场布局更多专利。与此同时，仍然年轻的SiC市场的早期领导者，也保持甚至加快了专利申请速度，以为未来几年更激烈的竞争做好准备。因为，电动汽车热潮，正推动更多新兴厂商加快SiC技术的开发。在这种情况下，领先的SiC厂商可能会利用专利来保护其市场份额，从而提高进入SiC行业的门槛。SiC市场竞争日趋激烈，这在专利领域已经十分明显。
功率SiC主要专利权人的领导力分析
中美之间的地缘政治紧张局势，也推高了专利申请增长，加速了全球（尤其是在中国）本土半导体生态系统的建设。2023年，在整个SiC供应链中，中国企业的专利申请量占70%以上，其中不乏SiC晶圆行业的新晋厂商。由于涉足SiC晶圆开发的厂商数量众多，中国已经成功遏制了SiC晶圆的短缺局面，但由于激烈的价格竞争，许多供应商的经济状况也进入了不稳定期。这一新的背景可能促进SiC晶圆供应商之间的专利诉讼。
功率SiC专利申请趋势
专利概况
在此背景下，Knowmade发布了这份最新的SiC专利全景分析报告。该报告的第一部分介绍了SiC供应链上的全球专利竞争概况，确定了SiC供应链各环节的主要专利申请人和新进入者，并对其专利组合进行了分析。本报告还对SiC专利组合进行了地域分析，以突出SiC厂商知识产权战略中的重要市场。
SiC全球专利分析概览
对于SiC功率器件，专利分析细分为二极管、MOSFET以及其它SiC器件。此外，对于SiC MOSFET，还分别提供了平面MOSFET和沟槽MOSFET的专利竞争分析。分析结果表明，SiC专利领域的大多数公司已将沟槽MOSFET纳入其技术路线图，从而加速了该细分领域的专利申请。因此，近年来沟槽MOSFET在专利领域的竞争日益激烈。
此外，本报告还特别关注了中国，因为近年来中国的SiC专利申请人数量激增，其中，中国本土专利申请在它们的专利布局中占据主导地位，而在中国境外申请专利的厂商寥寥无几。由于中国的专利申请非常活跃，因此，专门针对中国这个密集的生态系统进行分析已变得非常重要，以为全球竞争者提供更清晰的视角。
最后，专利分析强调了市场主要厂商的专利活动，这些厂商在该领域正面临众多新进入者的激烈竞争。它们或是未来的市场竞争者，未来的SiC器件集成商（如Tier 1和OEM），甚至是潜在的供应商（SiC器件、材料）。事实上，在未来的SiC供应链中，专利也可能在谈判和合作中发挥重要作用。
SiC主要IDM厂商的专利申请对比分析
主要厂商的知识产权概况
本报告的第二部分重点聚焦了SiC器件市场主要厂商和/或大力投资建设SiC垂直一体化基础设施的厂商的知识产权活动。这些厂商采用IDM业务模式，希望在内部整合SiC制造的每一个步骤，包括从材料开发到器件制造和封装。有趣的是，对这些厂商的知识产权活动进行比较后发现，它们的知识产权战略大相径庭。某些厂商严重依赖专利来维护其市场地位，而其它厂商则没有在整个SiC供应链中大力发展专利组合。在专利申请的地理分布方面，各厂商也存在一些差异，这表明了不同市场（美国、日本、欧洲、中国、韩国和中国台湾）对它们的相对重要性。
本报告的专利分析全面提供了Wolfspeed、Infineon、onsemi、Rohm、SK、STMicroelectronics、Coherent（及其许可方General Electric）和三安等厂商持有的SiC专利组合。通过关注这些厂商近期的专利活动，可以发现一些蛛丝马迹，例如涉足新的技术领域（如超结结构、沟槽MOSFET），或在新的领域开展强有力的知识产权活动。因此，该报告可以为企业的战略计划提供一些启示。最后，该报告对最新公开专利的全面分析，详细介绍了SiC技术在供应链各个层面的最新发展。
高价值Excel专利数据库
本报告还提供一份高价值Excel专利数据库，其中包括了本研究所分析的19,000多个专利家族（发明专利）。这份高价值专利数据库支持多字段检索，包括专利公开号、实时更新的在线数据库超链接（原始文件、法律状态等）、优先权日期、标题、摘要、专利权人、当前法律状态以及技术分类标引（块体SiC、外延SiC衬底、SiC二极管、平面SiC MOSFET、沟槽SiC MOSFET、SiC模块、电路等）。此外，Excel文件还包括统计分析中按专利权人分列的完整数据，包括专利族数量、专利申请时间表、已授权专利和审中专利数量以及专利组合的地理覆盖范围。
本报告覆盖的关键内容：
• 超过170页的PPT报告
• 专利分析涉及的19,000多个专利族，报告提供了包含这些专利的Excel数据库，并提供在线更新的专利数据
• 全球专利趋势分析，包括已公开专利的时间演变和布局国家
• 供应链各个环节主要专利申请人及新入局者分析
• 专利申请人的活跃度以及申请趋势（上升、放缓、稳定）
• 专利合作和转让分析
• 提供中国SiC生态系统的专利全景分析，重点关注了中国厂商的专利布局
• 按SiC供应链5个主要环节及10个主要子领域进行了专利细分：块体SiC和裸SiC晶圆、外延SiC衬底、SiC器件（二极管、平面MOSFET、沟槽MOSFET）、SiC模块（热问题、寄生、芯片贴装、封装）及电路
• 针对每个重要专利申请人提供：专利申请趋势、专利法律状态和全球专利布局、核心专利以及最近的专利申请分析
