紫光国芯在ICCAD 2024展示三维堆叠DRAM(SeDRAM)技术，助力算力芯片性能提升

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芯智讯

2周前

该方案采用标准IP化交付形式，完全兼容传统的SoC设计流程，在帮助用户缩短产品研发周期、降低工程风险的同时，助力用户的产品性能实现最大化提升。

2024年12月11日至12日，以“智慧上海·芯动世界”为主题的上海集成电路2024年度产业发展论坛暨中国集成电路设计业展览会（ICCAD 2024）在上海举办。

在大会论坛上，紫光国芯副总裁左丰国发表了以“用三维堆叠DRAM技术支持算力芯片超高带宽访存需求”为主题的演讲，重点介绍了公司在三维堆叠DRAM技术（SeDRAM®）方面的最新进展和行业应用情况。同时，包括CXL-DRAM内存扩展主控技术方案在内的多款创新产品和前沿技术也悉数亮相大会展区，吸引了来自世界各地嘉宾和产业链伙伴的关注。

△左丰国发表题为“用三维堆叠DRAM技术支持算力芯片超高带宽访存需求”的演讲

在演讲中，左丰国指出：“大模型技术的发展依托于创新的算法、庞大的数据量以及巨大的算力支撑，而算力芯片做为算力的承载核心，通常需要较高的性能。从系统层面，访存带宽可谓是影响算力芯片性能的关键技术。当前既有技术路线在访存带宽的提升上面临瓶颈，在此背景下，三维堆叠DRAM技术作为一种能为算力芯片提供超大带宽、超低功耗、超大容量的存储解决方案，已然成为行业热点。”

紫光国芯的三维堆叠DRAM技术（SeDRAM®）技术历经多次迭代，如今已发展至第四代，可为算力芯片提供每秒高达数十TB的访存带宽，并支持高达数十GB的内存容量，是助力算力芯片性能极致发挥的超高带宽存储解决方案。过去十年，紫光国芯成功支持了包括行业头部厂商在内的客户完成数十款芯片产品的研发或量产，应用案例数量在业界处于领先地位。

紫光国芯的SeDRAM®技术可为用户提供“带宽+容量”的差异化存储组合方案。该方案采用标准IP化交付形式，完全兼容传统的SoC设计流程，在帮助用户缩短产品研发周期、降低工程风险的同时，助力用户的产品性能实现最大化提升。

在此次展会上，紫光国芯还展出了CXL内存扩展主控技术方案，该方案专为高性能服务器平台设计，旨在满足系统主存在容量及带宽扩展等方面的应用需求，已成功适配多款主流处理器平台，在访存的延迟、带宽等方面均有优异的表现。

作为一家以存储技术为核心的产品和服务提供商，紫光国芯一直坚持以技术创新为驱动的产品策略，推出了行业领先的三维堆叠DRAM技术方案（SeDRAM®）、CXL内存扩展主控技术方案、标准接口DRAM技术等多个系列的存储产品解决方案。未来，公司将继续坚持技术创新思路，携手产业伙伴持续推进新一代技术和产品的变革，为产业快速发展注入强劲动力。

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