国家知识产权局信息显示,北京航天时代光电科技有限公司申请一项名为“一种紧凑型薄膜铌酸锂调制器芯片”的专利,公开号 CN 119045219 A,申请日期为2024年8月。
专利摘要显示,该发明涉及一种紧凑型薄膜铌酸锂调制器芯片,属于光通信器件领域。
该发明的优势之处在于,提供了一种紧凑的调制器波导光路,增加波导臂的长度的同时减小了芯片的尺寸,由此增加了调制电极的长度,提高了调制效率,降低了半波电压。
电光调制器作为高速光模块的核心组件,其调制速率直接决定了光模块的数据传输能力。迄今为止,众多研究人员已对多种结构类型、制备方法及工作波长的薄膜铌酸锂调制器进行了深入且系统的探索。
薄膜铌酸锂技术作为一项革命性突破,在大规模、高密度光子集成领域展现出了显著优势。与传统铌酸锂相比,薄膜铌酸锂器件能轻松实现超过100GHz的3dB带宽,这对推动高速光通信、光互联以及片上光计算等领域的发展具有深远影响。
对于1.6T这样的高算力光模块而言,薄膜铌酸锂光调制器是不可或缺的组件。它能够满足高算力标准,同时兼具低损耗、小体积和高带宽的特性。然而,薄膜铌酸锂调制器的研发与制造过程极为复杂,当前仍面临大尺寸制备挑战以及材料脆性等难题,亟待解决。
基于薄膜铌酸锂的光调制器凭借其高性能、低成本、小型化、可批量化生产以及与CMOS工艺的高度兼容性等优势,备受业界青睐。当前,包括日本富士通、日本住友、光库科技、铌奥光电以及元芯光电在内的多家企业,均在该细分领域深耕细作,积极布局。
国家知识产权局信息显示,北京航天时代光电科技有限公司申请一项名为“一种紧凑型薄膜铌酸锂调制器芯片”的专利,公开号 CN 119045219 A,申请日期为2024年8月。
专利摘要显示,该发明涉及一种紧凑型薄膜铌酸锂调制器芯片,属于光通信器件领域。
该发明的优势之处在于,提供了一种紧凑的调制器波导光路,增加波导臂的长度的同时减小了芯片的尺寸,由此增加了调制电极的长度,提高了调制效率,降低了半波电压。
电光调制器作为高速光模块的核心组件,其调制速率直接决定了光模块的数据传输能力。迄今为止,众多研究人员已对多种结构类型、制备方法及工作波长的薄膜铌酸锂调制器进行了深入且系统的探索。
薄膜铌酸锂技术作为一项革命性突破,在大规模、高密度光子集成领域展现出了显著优势。与传统铌酸锂相比,薄膜铌酸锂器件能轻松实现超过100GHz的3dB带宽,这对推动高速光通信、光互联以及片上光计算等领域的发展具有深远影响。
对于1.6T这样的高算力光模块而言,薄膜铌酸锂光调制器是不可或缺的组件。它能够满足高算力标准,同时兼具低损耗、小体积和高带宽的特性。然而,薄膜铌酸锂调制器的研发与制造过程极为复杂,当前仍面临大尺寸制备挑战以及材料脆性等难题,亟待解决。
基于薄膜铌酸锂的光调制器凭借其高性能、低成本、小型化、可批量化生产以及与CMOS工艺的高度兼容性等优势,备受业界青睐。当前,包括日本富士通、日本住友、光库科技、铌奥光电以及元芯光电在内的多家企业,均在该细分领域深耕细作,积极布局。