图1 (A) NbS_₃体材料的电子能带结构。(B, C) NbS_₃材料的CBM和VBM处的电荷态密度。(D) 机械剥离二维NbS_₃纳米片的光学图像。(E−G) 分别以0°、45°和90°的偏振角激发二维NbS_₃的拉曼峰强度图。(H) NbS_₃纳米片角分辨拉曼光谱。(I) 在平行和垂直偏振条件下，二维NbS_₃151 cm^⁻¹处归一化拉曼峰强度的极坐标分布曲线。

面内各向异性的结构赋予了二维NbS₃各向异性的电学特性。如图2所示，研究人员探索了二维NbS₃的角分辨电学输运性质。通过测试沿不同方向（对角电极）场效应晶体管的电学输运特性曲线，NbS₃纳米片的源漏电流也表现出明显的角度依赖关系：沿着b轴（0°）方向的源漏电流大于沿着其他三对电极方向，而沿着a轴（90°）方向具有最小的源漏电流，电导率之比（σb/σa）为6.5，优于其他已报道的二维各向异性材料如GeSe₂、PdPSe和b-As，这表明NbS₃纳米片的电学输运特性具有显著的各向异性。此外，研究人员发现NbS₃纳米片器件沿b轴的电子迁移率为最大值20.2 cm² V⁻¹ s⁻¹，沿a轴为最小值3.4 cm² V⁻¹ s⁻¹，沿a、b两轴方向的迁移率之比（μb/μa）为5.9，这进一步验证NbS₃具有典型的N型传输特性和各向异性的电学输运行为。

图2 二维NbS_₃纳米片的电学输运表现出明显的各向异性

紧接着，研究人员探究了NbS₃纳米片在可见光和红外光波段的光响应特性（图3）。在532 nm的入射光下，纳米器件的最大光响应度达到18 A W⁻¹，并且其在0.48~79.38 mW cm⁻²的宽功率密度范围内都表现出稳定和快速的光开关响应。此外，研究人员发现二维NbS₃光电探测器不仅在400~1700 nm波长范围内都具有明显的光响应特性，而且其光响应时间仅为28 μs，这表明二维NbS₃器件具有快速的宽光谱探测能力。

图3 NbS_₃纳米片器件具有高速的宽光谱光电响应特性

NbS₃纳米片本征的各向异性和优良的光电探测能力还使其拥有灵敏检测线偏振光的能力。在300~890 nm的光谱范围内，NbS₃纳米片沿b轴的光吸收强度大于沿a轴的光吸收强度；而在890 ~ 2000 nm的光谱范围内，NbS₃纳米片沿a轴的光吸收强度却大于则沿b轴的光吸收强度，这表明二维NbS₃的LD极性在波长890 nm附近发生了反转。随后，研究人员通过构筑基于NbS₃的光电探测器来进一步探索其偏振敏感特性和波长选择性。研究表明：当入射光偏振角为0°时，二维NbS₃光探测器在450 nm光照下具有最强的光响应特性，而在1300 nm下具有最弱的光响应特性；但是，当入射光偏振角切换为90°时，二维NbS₃光电探测器却在1300 nm光照下表现出最强的光响应特性，在450 nm时具有最弱的光响应特性。光电探测器件在切换偏振角时所表现出不同的光谱响应特性与纳米片中的垂直LD反转行为很好地吻合。研究人员还通过线偏振度（DLP）定量地描述了器件的可见-近红外双波段偏振光响应。研究表明，当DLP值位于0 ~ 1之间时，可以判断其入射波长在830 nm以下；而当DLP值位于−1 ~ 0之间，则可判定入射波长在830 nm以上。因此，当调控入射光的偏振角分别为0°和90°时，二维NbS₃光电探测器可以快速地分辨出830 nm以下的可见光波长和830 nm以上的红外波长。

图4 (A) 二维NbS_₃纳米片沿a轴和b轴的理论吸收光谱。(B, C) 在700 nm和1150 nm波长下NbS₃纳米片的角分辨吸收光谱。(D) Graphene-NbS_₃-Graphene光电探测器结构示意图。(E, F) 器件在450 nm和1300 nm的偏振光照射下的光电流分布图。(G) 器件在450 nm和1300 nm偏振光照射下光电流的极坐标绘制图。(H) 450nm、830nm和1300nm偏振光照射下，NbS_₃纳米器件光电流的时间响应曲线。(I) 器件在可见光至近红外波段（450 ~ 1300 nm）的DLP值分布曲线。

由于二维NbS₃光电探测器具有快速的光响应特性，因此能够对不同光照条件下所产生的偏振敏感光电流实现空间成像。如图5所示，在532 nm的可见光照下，该探测器在0°（90°）偏振角时具有最大（最小）光电流。相反，在1064 nm的近红外光照下，探测器在90°（0°）偏振角下表现出最大（最小）光电流，这些结果与NbS₃的波长选择光响应特性相一致。最后，研究人员又利用NbS₃纳米片光电探测器实现了对可见光和近红外双波段高速、高分辨的偏振成像，这也暗示着基于单一材料二维NbS₃纳米片构筑的光电探测器在分辨可见光和近红外信号方面具有方便、快速的独特优势。

图1 (A) NbS_₃体材料的电子能带结构。(B, C) NbS_₃材料的CBM和VBM处的电荷态密度。(D) 机械剥离二维NbS_₃纳米片的光学图像。(E−G) 分别以0°、45°和90°的偏振角激发二维NbS_₃的拉曼峰强度图。(H) NbS_₃纳米片角分辨拉曼光谱。(I) 在平行和垂直偏振条件下，二维NbS_₃151 cm^⁻¹处归一化拉曼峰强度的极坐标分布曲线。

面内各向异性的结构赋予了二维NbS₃各向异性的电学特性。如图2所示，研究人员探索了二维NbS₃的角分辨电学输运性质。通过测试沿不同方向（对角电极）场效应晶体管的电学输运特性曲线，NbS₃纳米片的源漏电流也表现出明显的角度依赖关系：沿着b轴（0°）方向的源漏电流大于沿着其他三对电极方向，而沿着a轴（90°）方向具有最小的源漏电流，电导率之比（σb/σa）为6.5，优于其他已报道的二维各向异性材料如GeSe₂、PdPSe和b-As，这表明NbS₃纳米片的电学输运特性具有显著的各向异性。此外，研究人员发现NbS₃纳米片器件沿b轴的电子迁移率为最大值20.2 cm² V⁻¹ s⁻¹，沿a轴为最小值3.4 cm² V⁻¹ s⁻¹，沿a、b两轴方向的迁移率之比（μb/μa）为5.9，这进一步验证NbS₃具有典型的N型传输特性和各向异性的电学输运行为。

图2 二维NbS_₃纳米片的电学输运表现出明显的各向异性

紧接着，研究人员探究了NbS₃纳米片在可见光和红外光波段的光响应特性（图3）。在532 nm的入射光下，纳米器件的最大光响应度达到18 A W⁻¹，并且其在0.48~79.38 mW cm⁻²的宽功率密度范围内都表现出稳定和快速的光开关响应。此外，研究人员发现二维NbS₃光电探测器不仅在400~1700 nm波长范围内都具有明显的光响应特性，而且其光响应时间仅为28 μs，这表明二维NbS₃器件具有快速的宽光谱探测能力。

图3 NbS_₃纳米片器件具有高速的宽光谱光电响应特性

NbS₃纳米片本征的各向异性和优良的光电探测能力还使其拥有灵敏检测线偏振光的能力。在300~890 nm的光谱范围内，NbS₃纳米片沿b轴的光吸收强度大于沿a轴的光吸收强度；而在890 ~ 2000 nm的光谱范围内，NbS₃纳米片沿a轴的光吸收强度却大于则沿b轴的光吸收强度，这表明二维NbS₃的LD极性在波长890 nm附近发生了反转。随后，研究人员通过构筑基于NbS₃的光电探测器来进一步探索其偏振敏感特性和波长选择性。研究表明：当入射光偏振角为0°时，二维NbS₃光探测器在450 nm光照下具有最强的光响应特性，而在1300 nm下具有最弱的光响应特性；但是，当入射光偏振角切换为90°时，二维NbS₃光电探测器却在1300 nm光照下表现出最强的光响应特性，在450 nm时具有最弱的光响应特性。光电探测器件在切换偏振角时所表现出不同的光谱响应特性与纳米片中的垂直LD反转行为很好地吻合。研究人员还通过线偏振度（DLP）定量地描述了器件的可见-近红外双波段偏振光响应。研究表明，当DLP值位于0 ~ 1之间时，可以判断其入射波长在830 nm以下；而当DLP值位于−1 ~ 0之间，则可判定入射波长在830 nm以上。因此，当调控入射光的偏振角分别为0°和90°时，二维NbS₃光电探测器可以快速地分辨出830 nm以下的可见光波长和830 nm以上的红外波长。

图4 (A) 二维NbS_₃纳米片沿a轴和b轴的理论吸收光谱。(B, C) 在700 nm和1150 nm波长下NbS₃纳米片的角分辨吸收光谱。(D) Graphene-NbS_₃-Graphene光电探测器结构示意图。(E, F) 器件在450 nm和1300 nm的偏振光照射下的光电流分布图。(G) 器件在450 nm和1300 nm偏振光照射下光电流的极坐标绘制图。(H) 450nm、830nm和1300nm偏振光照射下，NbS_₃纳米器件光电流的时间响应曲线。(I) 器件在可见光至近红外波段（450 ~ 1300 nm）的DLP值分布曲线。

由于二维NbS₃光电探测器具有快速的光响应特性，因此能够对不同光照条件下所产生的偏振敏感光电流实现空间成像。如图5所示，在532 nm的可见光照下，该探测器在0°（90°）偏振角时具有最大（最小）光电流。相反，在1064 nm的近红外光照下，探测器在90°（0°）偏振角下表现出最大（最小）光电流，这些结果与NbS₃的波长选择光响应特性相一致。最后，研究人员又利用NbS₃纳米片光电探测器实现了对可见光和近红外双波段高速、高分辨的偏振成像，这也暗示着基于单一材料二维NbS₃纳米片构筑的光电探测器在分辨可见光和近红外信号方面具有方便、快速的独特优势。