9月30日，据证监会官网消息，武汉新芯集成电路股份有限公司（以下简称“武汉新芯”）在科创板IPO的申请已经获得了受理。这也意味着武汉新芯的IPO上市进程正式启动。

根据武汉新芯今年5月中旬在湖北证监局披露了IPO辅导备案报告披露的信息显示，武汉新芯目前控股股东为长江存储科技控股有限责任公司（简称“长存集团”），持股比例为68.1937%，法定代表人为杨士宁。该公司IPO辅导机构由国泰君安及华源证券两家共同担纲。

资料显示，武汉新芯成立于2006年，是一家专注于NOR Flash存储芯片的集成电路制造企业，拥有华中地区首条12英寸集成电路生产线项目。截至2017年底，武汉新芯NOR Flash晶圆出货量已超过75万片，覆盖从消费类到工业级、乃至汽车规范的全部NOR Flash市场，并于当年实现扭亏为盈。2020年，武汉新芯宣布，其自主研发的50纳米浮栅式代码型闪存（SPI NOR Flash）芯片实现全线量产。

官网资料显示，目前武汉新芯可提供40nm及以上工艺制程的12英寸NOR Flash、CIS和Logic晶圆代工与技术服务。

需要指出的是，武汉新芯原为长江存储科技有限责任公司（简称“长江存储”）全资子公司。今年3月初，武汉新芯宣布首度接受外部融资，注册资本由约57.82亿人民币增至约84.79亿人民币。本轮投资方包括了武汉光谷半导体产业投资有限公司、中国银行、湖北集成电路产业投资基金等30家知名投资机构。

3月27日，武汉新芯还在武汉召开创立大会暨第一次股东大会。会议通过了公司章程和其它治理制度，选举了股份公司第一届董事会、监事会成员，并召开了董事会和监事会第一次会议。

据武汉新芯IPO辅导备案报告显示，目前长存集团为武汉新芯控股股东，持股比例高达68.1937%。而长江存储也是隶属于长存集团旗下的全资子公司。也就是说，目前长江存储与武汉新芯都是长存集团旗下的兄弟公司。

作为国内最大的NAND Flash晶圆制造商，长江存储早在2017年10月，就通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。2019年，量产了基于Xtacking架构的64层3D NAND闪存。2020年4月，长江存储又宣布128层的3D NAND研发成功，其中X2-6070型号作为首款第三代QLC闪存，拥有发布之时*业界*最高的I/O速度，最高的存储密度和最高的单颗容量。

随后国外权威研究机构Tech Insights对长江存储的128层TLC 3D闪存进行了芯片级的拆解，发现其存储密度达到了目前业界最高的8.48 Gb/mm²。

2022年，长江存储还曾一度打入了苹果iPhone供应链，为iPhone SE3供应NAND，但是由于美国对苹果的施压，便没有了后续。2022年四季度，美国升级对华半导体出口管制政策，限制128层及以上NAND设备对华出口，及将长江存储列入实体清单后，使得长江存储的发展受到了一定的阻碍。

值得注意的是，为了反击美国的打压，2023年11月，长江存储在美国加州北区地方法院对美光科技和美光消费类产品事业部提起诉讼，指控美光侵犯了其8项与3D NAND相关的美国专利。

今年6月，长江存储还在美国加利福尼亚州北区联邦地区法院提起诉讼，指控受美光资助的丹麦咨询公司Strand Consult及其副总裁罗丝琳·雷顿（Roslyn Layton）散布虚假信息，破坏长江存储的市场声誉和商业关系。

今年7月，长江存储又在美国加利福尼亚州北部地区再度对美光提起诉讼，指控这家美国公司侵犯了其11项专利，涉及3D NAND Flash及DRAM产品。长江存储要求法院勒令美光停止在美国销售侵权的存储器产品，同时支付专利使用费。

市场分析人士认为，武汉新芯启动融资并推进IPO进程，主要是为了支持长存集团在关键发展时期的大规模扩张。由于长存集团旗下长江存储正被美方持续打压，发展受到了限制，因此选择先推动武汉新芯上市，以提供新的融资渠道。

编辑：芯智讯-浪客剑

9月30日，据证监会官网消息，武汉新芯集成电路股份有限公司（以下简称“武汉新芯”）在科创板IPO的申请已经获得了受理。这也意味着武汉新芯的IPO上市进程正式启动。

根据武汉新芯今年5月中旬在湖北证监局披露了IPO辅导备案报告披露的信息显示，武汉新芯目前控股股东为长江存储科技控股有限责任公司（简称“长存集团”），持股比例为68.1937%，法定代表人为杨士宁。该公司IPO辅导机构由国泰君安及华源证券两家共同担纲。

资料显示，武汉新芯成立于2006年，是一家专注于NOR Flash存储芯片的集成电路制造企业，拥有华中地区首条12英寸集成电路生产线项目。截至2017年底，武汉新芯NOR Flash晶圆出货量已超过75万片，覆盖从消费类到工业级、乃至汽车规范的全部NOR Flash市场，并于当年实现扭亏为盈。2020年，武汉新芯宣布，其自主研发的50纳米浮栅式代码型闪存（SPI NOR Flash）芯片实现全线量产。

官网资料显示，目前武汉新芯可提供40nm及以上工艺制程的12英寸NOR Flash、CIS和Logic晶圆代工与技术服务。

需要指出的是，武汉新芯原为长江存储科技有限责任公司（简称“长江存储”）全资子公司。今年3月初，武汉新芯宣布首度接受外部融资，注册资本由约57.82亿人民币增至约84.79亿人民币。本轮投资方包括了武汉光谷半导体产业投资有限公司、中国银行、湖北集成电路产业投资基金等30家知名投资机构。

3月27日，武汉新芯还在武汉召开创立大会暨第一次股东大会。会议通过了公司章程和其它治理制度，选举了股份公司第一届董事会、监事会成员，并召开了董事会和监事会第一次会议。

据武汉新芯IPO辅导备案报告显示，目前长存集团为武汉新芯控股股东，持股比例高达68.1937%。而长江存储也是隶属于长存集团旗下的全资子公司。也就是说，目前长江存储与武汉新芯都是长存集团旗下的兄弟公司。

作为国内最大的NAND Flash晶圆制造商，长江存储早在2017年10月，就通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。2019年，量产了基于Xtacking架构的64层3D NAND闪存。2020年4月，长江存储又宣布128层的3D NAND研发成功，其中X2-6070型号作为首款第三代QLC闪存，拥有发布之时*业界*最高的I/O速度，最高的存储密度和最高的单颗容量。

随后国外权威研究机构Tech Insights对长江存储的128层TLC 3D闪存进行了芯片级的拆解，发现其存储密度达到了目前业界最高的8.48 Gb/mm²。

2022年，长江存储还曾一度打入了苹果iPhone供应链，为iPhone SE3供应NAND，但是由于美国对苹果的施压，便没有了后续。2022年四季度，美国升级对华半导体出口管制政策，限制128层及以上NAND设备对华出口，及将长江存储列入实体清单后，使得长江存储的发展受到了一定的阻碍。

值得注意的是，为了反击美国的打压，2023年11月，长江存储在美国加州北区地方法院对美光科技和美光消费类产品事业部提起诉讼，指控美光侵犯了其8项与3D NAND相关的美国专利。

今年6月，长江存储还在美国加利福尼亚州北区联邦地区法院提起诉讼，指控受美光资助的丹麦咨询公司Strand Consult及其副总裁罗丝琳·雷顿（Roslyn Layton）散布虚假信息，破坏长江存储的市场声誉和商业关系。

今年7月，长江存储又在美国加利福尼亚州北部地区再度对美光提起诉讼，指控这家美国公司侵犯了其11项专利，涉及3D NAND Flash及DRAM产品。长江存储要求法院勒令美光停止在美国销售侵权的存储器产品，同时支付专利使用费。

市场分析人士认为，武汉新芯启动融资并推进IPO进程，主要是为了支持长存集团在关键发展时期的大规模扩张。由于长存集团旗下长江存储正被美方持续打压，发展受到了限制，因此选择先推动武汉新芯上市，以提供新的融资渠道。

编辑：芯智讯-浪客剑