证券之星消息，根据天眼查APP数据显示京东方Ａ(000725)新获得一项发明专利授权，专利名为“一种磁场传感器和磁场检测方法”，专利申请号为CN202111120078.3，授权日为2024年9月17日。
专利摘要：本发明实施例公开一种磁场传感器和磁场检测方法。在一具体实施方式中，该磁场传感器，包括光源、光纤、光电探测器和数据处理器；其中，至少部分所述光纤的纤芯包层包括聚二甲基硅氧烷层和设置于所述聚二甲基硅氧烷层外侧的磁致伸缩材料层；所述光源，用于向所述光纤的第一端输出设定光强的光；所述磁致伸缩材料层，用于在待测环境中的磁场的作用下产生拉伸所述聚二甲基硅氧烷层的形变，以改变所述聚二甲基硅氧烷层的折射率；所述数据处理器，用于根据所述光电探测器感测的所述光纤的第二端输出的光的光强及预存的光强与磁场强度值的对应关系，确定待测环境中的磁场强度值。
今年以来京东方Ａ新获得专利授权2734个，较去年同期增加了37.73%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了58.06亿元，同比增10.24%。
数据来源：天眼查APP
为证券之星据公开信息整理，由智能算法生成，不构成投资建议。
证券之星消息，根据天眼查APP数据显示京东方Ａ(000725)新获得一项发明专利授权，专利名为“一种磁场传感器和磁场检测方法”，专利申请号为CN202111120078.3，授权日为2024年9月17日。
专利摘要：本发明实施例公开一种磁场传感器和磁场检测方法。在一具体实施方式中，该磁场传感器，包括光源、光纤、光电探测器和数据处理器；其中，至少部分所述光纤的纤芯包层包括聚二甲基硅氧烷层和设置于所述聚二甲基硅氧烷层外侧的磁致伸缩材料层；所述光源，用于向所述光纤的第一端输出设定光强的光；所述磁致伸缩材料层，用于在待测环境中的磁场的作用下产生拉伸所述聚二甲基硅氧烷层的形变，以改变所述聚二甲基硅氧烷层的折射率；所述数据处理器，用于根据所述光电探测器感测的所述光纤的第二端输出的光的光强及预存的光强与磁场强度值的对应关系，确定待测环境中的磁场强度值。
今年以来京东方Ａ新获得专利授权2734个，较去年同期增加了37.73%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了58.06亿元，同比增10.24%。
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